公开(公告)号：CN101494212A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200810191057.9

申请日：2008-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪琮沅 ,  崔吉铉 ,  黄烘奎 ,  李钟鸣 ,  郭旻根 ,  成金重

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC classification number: B32B15/01 ,  B32B15/017 ,  B32B15/018 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/12528 ,  Y10T428/12701 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12882 ,  Y10T428/12896 ,  Y10T428/12931 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明公开了一种焊垫结构、包括该焊垫结构的半导体器件及其制造方法。一种用于半导体器件的焊垫结构包括器件的接合区域中的第二上金属层和在第二上金属层之下的第一下金属层。下金属层形成为下金属层的金属不存在于接合区域。因此，如果在例如探测或者接合的工艺过程中在接合区域产生对结构的损坏，下金属层不会暴露到环境。暴露到环境引起的下金属层的金属的氧化被防止，从而提高了器件的可靠性。