公开(公告)号：CN104659096B

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201410433124.9

申请日：2014-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  卞卿溵 ,  宋俔在 ,  申铉振 ,  李珉贤 ,  柳寅敬 ,  朴晟准

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明公开了一种包括分离的结接触的石墨烯器件及其制造方法。石墨烯器件是其中石墨烯被用作沟道的场效应晶体管(FET)。源电极和漏电极不直接接触石墨烯沟道，通过掺杂半导体而形成的结接触分离地设置在石墨烯沟道和源电极之间以及石墨烯沟道和漏电极之间。因此，在其中电压不施加到栅电极的截止状态中，由于在石墨烯沟道和结接触之间的势垒，载流子不会移动。结果，石墨烯器件在截止状态可以具有低电流。

公开(公告)号：CN107547003A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710206465.6

申请日：2017-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金在瑛 ,  卞卿溵 ,  申铉振 ,  郑雅林

IPC: H02N1/04

Abstract: 示例实施方式涉及一种利用摩擦电的能量采集器，以及涉及包括该能量采集器的装置。能量采集器可以包括具有第一摩擦电材料的第一结构，具有第二摩擦电材料的第二结构，以及将第一摩擦电材料和第二摩擦电材料的摩擦表面与外部环境隔离的封闭结构。能量采集器还可以包括在封闭结构中的填充材料。填充材料可以具有电荷。填充材料可以具有粘度。封闭结构的至少一部分可以包括弹性材料。

公开(公告)号：CN103715259B

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201310221610.X

申请日：2013-06-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  朴晟准 ,  卞卿溵 ,  D.徐 ,  宋伣在 ,  李载昊 ,  郑现钟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/16 ,  B82Y99/00 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供包括石墨烯沟道的隧穿场效应晶体管(TFET)。该TFET包括：在基板上的第一电极；在第一电极上的半导体层；在半导体层上的石墨烯沟道，该石墨烯沟道朝向与第一电极相邻的第一区域延伸；在石墨烯沟道上的第二电极，该第二电极在第一区域上；覆盖石墨烯沟道的栅绝缘层；以及在栅绝缘层上的栅电极。第一电极和石墨烯沟道设置为彼此面对，半导体层设置在其间。

公开(公告)号：CN107359808A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710303449.9

申请日：2017-05-03

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 白正民 ,  千珍晟 ,  芮秉旭 ,  金在瑛 ,  卞卿溵 ,  薛珉洙 ,  申铉振

IPC: H02N1/04

Abstract: 本公开提供一种摩擦电发电机。该摩擦电发电机包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；第一带电物体，在第一电极的面对第二电极的表面上；第二带电物体，提供在第一带电物体和第二电极之间；以及接地单元，配置为由于第二带电物体的运动而间歇地使第二带电物体和电荷储存器互相连接。第一带电物体配置为由于接触而带正电荷。第二带电物体配置为由于接触而带负电荷。

公开(公告)号：CN103715259A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310221610.X

申请日：2013-06-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  朴晟准 ,  卞卿溵 ,  D.徐 ,  宋伣在 ,  李载昊 ,  郑现钟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/16 ,  B82Y99/00 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供包括石墨烯沟道的隧穿场效应晶体管（TFET）。该TFET包括：在基板上的第一电极；在第一电极上的半导体层；在半导体层上的石墨烯沟道，该石墨烯沟道朝向与第一电极间隔开的第一区域延伸；在石墨烯沟道上的第二电极，该第二电极在第一区域上；覆盖石墨烯沟道的栅绝缘层；以及在栅绝缘层上的栅电极。第一电极和石墨烯沟道设置为彼此面对，半导体层设置在其间。

公开(公告)号：CN112239860B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202010679035.8

申请日：2020-07-15

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 卞卿溵 ,  金亨燮 ,  朴台镇 ,  金会俊 ,  申铉振 ,  安元植 ,  M.林 ,  赵连柱

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02

Abstract: 一种在衬底上形成过渡金属二硫族化物薄膜的方法包括用金属有机材料处理衬底以及在衬底周围提供过渡金属前体和硫族前体以在衬底上合成过渡金属二硫族化物。过渡金属前体可以包括过渡金属元素，硫族前体可以包括硫族元素。

公开(公告)号：CN118335771A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202311554518.5

申请日：2023-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛珉洙 ,  杨智恩 ,  金尚昱 ,  卞卿溵 ,  李殷奎

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34

Abstract: 公开了一种半导体器件、制造其的方法和各自包括该半导体器件的电子元件和电子装置。该半导体器件可以包括衬底、在衬底上的沟道层、分别在沟道层的两个相反端上并彼此间隔开的第一电极和第二电极、在沟道层上并与第一电极和第二电极间隔开的栅电极、提供在沟道层和栅电极之间的栅极绝缘材料、以及硫族化合物层，硫族化合物层在栅极绝缘材料和沟道层之间、第一电极和沟道层之间以及第二电极和沟道层之间中的至少之一。

公开(公告)号：CN116266530A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211410901.9

申请日：2022-11-11

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 薛珉洙 ,  申铉石 ,  卞卿溵 ,  黄炫泰 ,  李昌锡 ,  金炯俊

IPC: H01L21/02

Abstract: 提供非均质二维材料的复合物、制造其的方法、和电子器件。所述非均质二维材料的复合物可包括：基板；在所述基板上并且具有二维晶体结构的第一二维材料层；以及在所述基板和所述第一二维材料层之间的第二二维材料层。所述第二二维材料层具有其中多个磷原子彼此共价键合的二维晶体结构。

公开(公告)号：CN115802744A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202210517382.X

申请日：2022-05-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌锡 ,  金尚元 ,  金昌炫 ,  卞卿溵 ,  李殷奎

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种垂直沟道单元阵列晶体管结构和包括其的动态随机存取存储器(DRAM)器件。该垂直沟道单元阵列晶体管结构包括：半导体基板；多个沟道，在半导体基板上布置成阵列并且每个从半导体基板垂直地延伸；在所述多个沟道上的栅极绝缘层；多条字线，在半导体基板上并在第一方向上延伸；以及二维(2D)材料层，在所述多条字线中的每条的至少一个表面上。

公开(公告)号：CN115799297A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202210498032.3

申请日：2022-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卞卿溵 ,  金尚元 ,  金昌炫 ,  申建旭 ,  李昌锡

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种垂直沟道晶体管包括：第一源/漏电极；第二源/漏电极，在第一方向上与第一源/漏电极间隔开；第一沟道图案，在第一源/漏电极和第二源/漏电极之间；第一栅电极，在第一沟道图案的侧表面上；第一栅绝缘层，在第一沟道图案和第一栅电极之间；以及第一石墨烯插入层，在第一源/漏电极和第一沟道图案之间。