公开(公告)号：CN105264644A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201480031035.X

申请日：2014-05-02

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 鹿内洋志 ,  佐藤宪 ,  后藤博一 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和德

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02658 ,  C30B23/025 ,  C30B25/18 ,  C30B25/186 ,  C30B29/06 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/2251 ,  H01L21/2258 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明是一种硅系基板，其用以在表面形成氮化物系化合物半导体层，其特征在于，其具有：第一部分，该第一部分具有第一杂质浓度且位于所述硅系基板的表面侧；及，第二部分，该第二部分具有比前述第一杂质浓度高的第二杂质浓度，且位于所述硅系基板的比前述第一部分更内侧处；并且，前述第一杂质浓度是1×1014原子/原子cm3以上且未满1×1019原子/cm3。由此，提供一种硅系基板，其可改善基板的翘曲，并良好地维持形成于上层的氮化物系化合物半导体层的结晶性。

公开(公告)号：CN104303268A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201380024651.8

申请日：2013-04-19

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 鹿内洋志 ,  后藤博一 ,  佐藤宪 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和徳

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/167 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L33/007 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是一种外延基板，其特征在于，其具备：硅基板，其以4×1017cm－3以上且6×1017cm－3以下的浓度含有氧原子，且以5×1018cm－3以上且6×1019cm－3以下的浓度含有硼原子；及，半导体层，其配置于硅基板上，并且由具有与硅基板不同的热膨胀系数的材料所构成。由此，可提供一种外延基板，所述外延基板可抑制由于硅基板与半导体层之间的应力所导致的翘曲的产生。

公开(公告)号：CN104115258A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201380009855.4

申请日：2013-02-14

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 鹿内洋志 ,  后藤博一 ,  佐藤宪 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和徳

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L21/3228 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02587 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/34 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明具备硅系基板(11)与外延生长层(12)，其中外延生长层(12)具有晶格常数和热膨胀系数彼此相异的第1氮化物半导体层和第2氮化物半导体层交互积层而成的结构，并以在外缘部中的膜厚逐渐变薄的方式被配置在硅系基板(11)上。由此，本发明提供一种抑制外缘部发生裂痕的外延基板、半导体装置及这种半导体装置的制造方法。