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公开(公告)号：CN104823127A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201380059457.3
申请日：2013-11-14
申请人： GTAT公司
IPC分类号： G06F1/16
CPC分类号： H04M1/0266 , G06F1/1626 , G06F1/1637 , G06F3/044 , H04M1/185 , H04M2250/22
摘要： 所揭示的是一种包含包覆板的电子装置。包覆板包含具有一或多个厚度小于50微米的蓝宝石层。还揭示的是使用离子布植/剥离方法制备这些超薄蓝宝石层的方法。
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公开(公告)号：CN103987453A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201180072986.8
申请日：2011-09-27
申请人： GTAT公司
IPC分类号： B01J19/00 , C01B33/107
CPC分类号： F28F7/02 , B01J12/00 , B01J12/005 , B01J19/0013 , B01J19/0053 , B01J19/24 , B01J2219/0002 , B01J2219/00085 , B01J2219/00094 , B01J2219/00103 , B01J2219/00135 , B01J2219/00159 , C01B33/1071 , Y02P20/124
摘要： 本发明涉及用于将四氯化硅(STC)转换成三氯硅烷(TCS)的装置及相关联方法。转换器以环绕一反应室的一相对薄环形加热区为特征。在该环形加热区内围绕该反应室具有一环形构形的一加热组件。设计允许高对流热传递，其促成较低加热组件表面温度的使用、延长设备的寿命、借由允许使用一较小反应器来减小资本成本且极大地改进加热效率。具有多个热交换器区块的一热交换器提供进一步效率。
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公开(公告)号：CN103890242A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280048372.0
申请日：2012-07-17
申请人： GTAT公司
发明人： C·夏蒂埃
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/002 , C30B11/007 , C30B11/02 , C30B29/06 , F28D15/00 , F28F13/00
摘要： 本发明揭露一种长晶炉，包括：至少含有原料的坩锅以及液体冷却热交换器，液体冷却热交换器是在该坩锅下方能垂直移动来从该坩锅散热以促成晶锭的成长。液体冷却热交换器包含由高导热材料制作的散热球，其能够垂直移动地与该坩锅进行热交流来使用液态冷媒从该坩锅散热。还揭露一种被封闭在密封管状外罩中的液体冷却热交换器和使用能垂直移动的液体冷却热交换器来制造晶锭的方法。
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公开(公告)号：CN103608499A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201280024487.6
申请日：2012-03-07
申请人： GTAT公司
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/006 , C30B29/06 , C30B29/20 , F23M5/00 , F27B14/00 , F27B2014/004 , F27D1/0033 , F27D1/12 , F27D21/0014 , Y10T117/1004 , Y10T117/1024
摘要： 本发明揭露一种高温加热炉，其包括具有至少一个成型的热电偶封装件端口的热区绝热体以降低温度测量的变化性。该成型的热电偶封装件端口具有在该绝热体中面向热区的开口，其大于在该绝热体的该炉壳侧上的该开口。本发明也揭露一种方法，用于在利用具有成型的热电偶封装件端口的绝热体的高温加热炉中制造晶锭。
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公开(公告)号：CN103348491A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201180062988.9
申请日：2011-12-22
申请人： GTAT公司
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/056 , H01L31/1804 , H01L31/1896 , H01L31/202 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明描述了半导体组件，其中在半导体薄片的表面上构造支撑元件。在薄的薄片（该薄片可具有大约50微米或更小的厚度）形成之后，例如，通过电镀，或通过前体的应用和原位固化，从而产生可为例如金属、陶瓷、聚合物等等的支撑元件，从而形成所述支撑元件。这与刚性的或半刚性的预成型的支撑元件形成对照，该支撑元件在薄片形成之后被粘附到薄片上，或粘附到施体晶片上，随后从所述施体晶片切割下所述薄片。原位制作所述支撑元件可避免用来将所述薄片附着到永久的支撑元件上的粘合剂的使用；这样的粘合剂可能无法承受完成设备所需要的加工温度和条件。在某些实施例中，这个工艺流程允许在高温上退火所述薄片，然后在该退火之后，具有在所述薄片的每一个面上形成的非晶硅层。可形成包括所述薄片的设备，如光伏电池。
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公开(公告)号：CN110878430B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201911000419.6
申请日：2014-09-05
申请人： GTAT公司
摘要： 一种用来生产大块硅碳化物的器具，本发明披露一种生产硅碳化物的方法。本方法包含提供升华炉的步骤，该升华炉包含炉壳、至少一个置于该炉壳外的加热元件、以及置于该炉壳内通过绝缘物围绕的热区。该热区包含坩埚，该坩埚具有置于其下部区中的硅碳化物先驱物及置于其上部区中的硅碳化物晶种。将该热区加热以令该硅碳化物先驱物升华，在该硅碳化物晶种的底部表面上形成硅碳化物。亦披露用以生成硅碳化物的升华炉以及所产生的硅碳化物材料。
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公开(公告)号：CN105900213B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201480071670.0
申请日：2014-12-29
申请人： GTAT公司
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 一种反应室，包括内部涂覆有金属氮化物的外壳的罩壳，所述金属氮化物提供大于90％的内部红外线的平均反射率。所述金属氮化物可以为氮化钛、氮化锆、氮化铪或其它金属的氮化物，并且可以为0.1微米到10微米厚度，优选为4微米到5微米厚度。所述层不会失去光泽，并且能够承受达到至少250℃，优选达到300℃的反应室温度。它适用于沉积过程，例如PVD、CVD、热喷涂或阴极弧，其中所述罩壳本身为金属氮化物沉积罩壳。沉积的均匀性能够由旋转沉积源以360/d的总重复次数通过T角度并返回至T±d角度而改善。反应器能够为将多晶硅沉积在加热的丝线上的CVD反应器。
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公开(公告)号：CN110670124A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910967962.7
申请日：2014-09-05
申请人： GTAT公司
摘要： 一种生产大块硅碳化物的方法，该方法包含提供升华炉的步骤，该升华炉包含炉壳、至少一个置于炉壳外的加热元件、以及置于炉壳内通过绝缘物围绕的热区。该热区包含坩埚，该坩埚具有置于其下部区中的硅碳化物先驱物及置于其上部区中的硅碳化物晶种。将该热区加热以令硅碳化物先驱物升华，在硅碳化物晶种的底部表面上形成硅碳化物。本发明亦揭示用以生成硅碳化物的升华炉以及所产生硅碳化物材料。
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公开(公告)号：CN105531405B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201480049112.4
申请日：2014-09-05
申请人： GTAT公司
摘要： 揭露一种生产硅碳化物之方法。本方法包含提供升华炉之步骤，该升华炉包含炉壳、至少一个置于该炉壳外之加热元件、以及置于该炉壳内通过绝缘物围绕之热区。该热区包含坩埚，该坩埚具有置于其下部区中之硅碳化物先驱物及置于其上部区中之硅碳化物晶种。将该热区加热以令该硅碳化物先驱物升华，在该硅碳化物晶种之底部表面上形成硅碳化物。亦揭露用以生成硅碳化物的升华炉以及所产生的硅碳化物材料。
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