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公开(公告)号：CN103592727A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310357355.1
申请日：2013-08-16
申请人： 超科技公司
CPC分类号： G03F7/201 , G03F7/70391 , H01L25/0753 , H01L33/642 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种具有高收光效率的基于发光二极管的光刻发光器揭露于此。所述发光器使用发光二极管阵列，其中各发光二极管具有发光二极管晶粒以及散热器。发光二极管晶粒被成像在光均匀器柱的输入端以大致覆盖该输入端，而不包含发光二极管的不会发光的散热器部分。微透镜阵列用来成像发光二极管晶粒。发光器的收光效率比50%来的更好，且光均匀器的输出端的照明均匀性在+/-2%以内。
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公开(公告)号：CN103489812B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201310232241.4
申请日：2013-06-13
申请人： 超科技公司
IPC分类号： B23K26/00 , B23K26/064 , B23K26/70 , H01L21/268 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/324 , B23K26/0006 , B23K26/032 , B23K26/0608 , B23K26/0648 , B23K26/0736 , B23K26/082 , B23K26/354 , B23K2101/40 , B23K2103/56 , H01L21/02675 , H01L21/02691 , H01L21/268 , H01L21/67115 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种以超短驻留时间对一半导体晶圆执行退火之雷射退火系统及方法。雷射退火系统可包括一或二激光束，其至少部分重迭。其中一激光束系为一预热激光束且其他激光束系为退火激光束。退火激光束以足够快的速度扫描以使驻留时间介于大约1微秒至100微秒之间。所述超短驻留时间对于产品晶圆的退火是有用的，所述产品晶圆系形成自薄装置晶圆，因为他们避免装置晶圆之装置侧因退火过程中的加热而受损。
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公开(公告)号：CN106247974A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610342180.0
申请日：2016-05-23
申请人： 超科技公司
发明人： D·G·斯蒂特斯
摘要： 本发明公开一种基于偏振的相干梯度感测系统及方法，用以测量镜面反射式平面的至少一个表面形状特性。所述方法包含反射来自样品平面的第一圆偏振激光光束以形成包含表面形状信息的第二圆偏振激光光束；将第二圆偏振激光光束转换为线偏振反射激光光束；将相应的线偏振反射激光束的第一部分及第二部分引导至第一中继组件及第二中继组件，第一、第二中继组件构成第一、第二干涉仪臂。第一和第二中继组件每个使用一对轴向间隔分离的光栅以将相应的第一和第二干涉图案产生在相应的图像传感器上。来自第一和第二图像传感器的相应的第一、第二信号被处理以确定至少一个表面形状特性。
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公开(公告)号：CN105719958A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510938929.3
申请日：2015-12-16
申请人： 超科技公司
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/324 , B23K26/00
摘要： 本发明公开了具有超短停留时间的激光退火系统及方法。该方法包括利用预加热线图像来局部地预加热半导体晶片，然后相对于预加热线图像快速地扫描退火图像以定义具有停留时间在10ns到500ns范围内的扫描重叠区域。这些超短停留时间对于执行产品晶片的表面熔化退火或者次表面熔化退火是有用的，因为它们防止设备结构回流。
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公开(公告)号：CN105386010A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510534891.3
申请日：2015-08-27
申请人： 超科技公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/40
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/40 , C23C16/452 , C23C16/45534 , C23C16/45536 , C23C16/507 , H01L21/02164 , H01L21/02175 , H01L21/02205 , H01L21/02216 , H01L21/02274
摘要： 本发明涉及使用CF4来增强氧自由基产生的自由基增强的原子层沉积。公开了在位于反应室内部中的基材表面上执行自由基增强原子层沉积过程的方法。所述方法包括从由CF4和O2构成的气体混合物形成等离子体，其中CF4存在的浓度处于从0.1体积％至10体积％范围内。由所述气体混合物形成的等离子体比在气体混合物中不存在CF4时更快地产生氧自由基O*。所述方法还包括将氧自由基和前体气体顺序地供给至反应室的内部，从而在基材的表面上形成氧化物膜。还公开了用于使用快速形成的氧自由基来执行自由基增强的原子层沉积过程的系统。
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公开(公告)号：CN105177527A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510103249.X
申请日：2015-03-10
申请人： 超科技公司
发明人： A·W·泽弗洛普洛
CPC分类号： H01L21/02274 , C23C16/401 , C23C16/405 , C23C16/45536 , C23C16/507 , H01L21/02164 , H01L21/02175 , H01L21/0228
摘要： 本发明公开了一种采用臭氧等离子体的氧自由基增强原子层沉积。具体地，公开了一种在位于反应室内部的衬底表面上进行氧自由基增强的原子层沉积过程的方法。该方法包括形成臭氧等离子体以产生氧自由基O*。该方法还包括按顺序供给该氧自由基和前体气体进入反应室的内部以在衬底表面上形成氧化物膜。还公开了一种用于进行氧自由基增强的原子层沉积过程的系统。
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公开(公告)号：CN104517817A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410499689.7
申请日：2014-09-26
申请人： 超科技公司
CPC分类号： C30B25/183 , C30B23/025 , C30B29/403 , C30B29/406
摘要： 本发明涉及使用晶格调整的晶畴匹配外延的化合物半导体的外延生长。公开了一种使用晶体基板外延生长最终膜的方法，其中最终膜无法直接生长在晶体基板的表面上。该方法包括在晶体基板的上表面上形成过渡层。过渡层的晶格间距在过渡层的上表面与过渡层的下表面之间变化。过渡层的下表面处的晶格间距与晶体基板的晶格间距匹配在7％的第一晶格失配度内。过渡层的上表面处的晶格间距与最终膜的晶格间距匹配在7％的第二晶格失配度内。该方法还包括在过渡层的上表面上形成最终膜。
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公开(公告)号：CN104501946A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410364162.3
申请日：2014-07-29
申请人： 超科技公司
IPC分类号： G01J1/42
CPC分类号： G01J1/0407 , G01J1/0414 , G01J1/0477 , G01J1/4257 , G01J2001/0481 , G01J2001/4261 , G02B5/04 , G02B27/108
摘要： 本发明涉及用于测量高强度光束的系统和方法，公开了用于测量光束的强度特性的系统和方法。所述方法包括将光束引导到包括由两个透明板夹在中间的薄棱镜的棱镜组件中，以及由全内反射表面将光束的一部分反射到积分球，同时将光束的剩余部分通过两个透明板发射到光束收集器。方法还包括检测由积分球捕获的光束并且根据所检测的光束确定光束的强度特性。
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公开(公告)号：CN110225997A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201880008633.3
申请日：2018-01-23
申请人： 超科技公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458 , B33Y80/00
摘要： 一种用于执行在基板上形成导电膜的基板偏置的原子层沉积工艺的卡盘系统，包括：导电基板保持器，被构造为支撑基板；以及导电基座，其支撑基板保持器。电隔离层夹在基板保持器和基座之间。电隔离层具有外端和在外边缘中形成并围绕外边缘延伸的边缘凹部。边缘凹部被构造为防止导电膜涂覆边缘凹部的整个内部，从而维持基板保持器和基座之间的电隔离。
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