公开(公告)号：CN102245345B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN200980150398.4

申请日：2009-12-16

Applicant: 株式会社钢臂功科研 ,  株式会社神户制钢所

Inventor： 木内清 ,  井冈郁夫 ,  加藤千明 ,  丸山信俊 ,  塚谷一郎 ,  田边诚 ,  中山准平

IPC: B23K35/30 ,  B23K9/00 ,  B23K9/04 ,  B23K9/23 ,  B23K31/00 ,  B23K103/04

CPC classification number: B23K35/3053 ,  B23K9/04 ,  B23K9/23 ,  B23K31/12 ,  C21D9/50 ,  C21D9/505 ,  C21D2211/001 ,  C21D2251/04 ,  C22C38/001 ,  C22C38/004 ,  C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/50 ,  C22C38/54 ,  F16J12/00

Abstract: 一种焊接材料，是奥氏体系焊接材料，其含有C：0.01wt％以下、Si：0.5wt％以下、Mn：0.5wt％以下、P：0.005wt％以下、S：0.005wt％以下、Ni：15～40wt％、Cr：20～30wt％、N：0.01wt％以下、O：0.01wt％以下，余量是Fe和不可避免的杂质，并且，所述焊接材料中作为所述不可避免的杂质含有的B为3wtppm以下，并且所述焊接材料中的所述C、P、S、N和O的含量合计为0.02wt％以下。

公开(公告)号：CN102762386B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201180010074.8

申请日：2011-02-25

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 高冈启吾 ,  吉川一男 ,  古保里隆

IPC: B41N1/24

CPC classification number: B41N1/247

Abstract: 提供一种即便在使用了高粘度的膏剂的情况下，也能够进行没有印刷模糊、高低差少的印刷，且能得到高印刷位置精度的网版印刷用网状构件。本发明涉及一种网版印刷用网状构件，用于通过感光性乳剂来形成印刷图案，其中，所述网版印刷用网状构件由轧制金属箔构成，在与印刷对象物的印刷区域相当的轧制金属箔的部分上具有朝向印刷对象物变宽的多个孔，通过与所述印刷区域相当的轧制金属箔的部分的印刷对象物侧的线部最大宽度A和所述孔与孔的间隔B之比A/B所规定的最大线宽系数小于0.40。

公开(公告)号：CN103201232B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201180054499.9

申请日：2011-11-11

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 后藤裕史 ,  岩崎祐纪 ,  得平雅也 ,  米田阳一郎

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/453 ,  C04B35/00 ,  C04B35/457

CPC classification number: H01B1/08 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡和氧化铟的各粉末混合并烧结而得到的氧化物烧结体，在对氧化物烧结体进行X射线衍射时，以Zn2SnO4相为主相，具有在ZnSnO3中固溶有In和/或In2O3的In/In2O3-ZnSnO3固溶体，且未检测到ZnxInyOz相(x、y、z为任意的正整数)。根据本发明，能够提供一种适合用于制造显示装置用氧化物半导体膜的氧化物烧结体，所述氧化物烧结体兼具高导电性和高相对密度，能够使具有高载流子迁移率的氧化物半导体膜成膜。

公开(公告)号：CN102362002B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201080011383.2

申请日：2010-04-14

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 松村仁实 ,  南部旭 ,  得平雅也 ,  冈本晋也

IPC: C23C14/34 ,  B22F9/08 ,  C22C9/00

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F2998/10 ,  C22C1/0425 ,  C22C9/00 ,  B22F9/082 ,  C23C14/34 ,  B22F3/15

Abstract: 本发明提供一种Cu-Ga合金溅射靶，可形成膜的成分组成的均匀性(膜均匀性)优异的Cu-Ga溅射膜且可降低溅射中的穿孔产生，同时，强度高且可抑制溅射中的裂纹。本发明是一种包含含有Ga的Cu基合金的溅射靶，其平均结晶粒径为10μm以下，且孔隙率为0.1％以下。

公开(公告)号：CN103429554A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201280011333.3

申请日：2012-03-01

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 后藤裕史 ,  岩崎祐纪

IPC: C04B35/453 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明提供适合用于制造显示装置用氧化物半导体膜的氧化物烧结体及溅射靶，该氧化物烧结体及溅射靶兼具较高导电性和相对密度，能形成具有较高的载流子迁移率的氧化物半导体膜，特别是即使利用直流溅射法来制造也不易产生结瘤且能长时间稳定地进行放电的直流放电稳定性优异。本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡以及从由Al、Hf、Ni、Si、Ga、In及Ta构成的组中选择的至少一种金属(M金属)的氧化物混合并烧结而得到的氧化物烧结体，维氏硬度为400Hv以上。

公开(公告)号：CN102033144B

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201010298497.1

申请日：2010-09-29

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社钢臂功科研

Inventor： 平野贵之 ,  山口证 ,  宫本隆志

IPC: G01R1/067 ,  G01R31/26

CPC classification number: H01B5/00 ,  G01R1/06738 ,  G01R1/06761 ,  H01R13/03

Abstract: 提供一种电接点构件，可极力降低至少具有角的这种电接点构件在使用时构成问题的这种碳皮膜的剥离，能够长期保持稳定的电接触。一种电接点构件，是在具有角的前端部与被测体反复接触的电接点构件，其特征在于，包括：基材；形成在所述前端部的基材表面上，含有Au、Au合金、Pd或Pd合金的衬底层；形成在该衬底层表面上的中间层；形成在该中间层的表面上，含有金属和该金属的碳化物中的至少一个的碳皮膜，并且，所述中间层为层叠构造，其具有：含有Ni或Ni合金的内侧层；和含有Cr、Cr合金、W、W合金中的至少一种的外侧层。

公开(公告)号：CN103298767A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201280005106.X

申请日：2012-02-09

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 金丸守贺 ,  岩崎祐纪 ,  松井实 ,  后藤裕史 ,  南部旭

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C23C14/086

Abstract: 提供一种氧化物烧结体，其适合用于显示装置用氧化物半导体膜的制造，并兼备高的导电性和相对密度，具有高的载流子迁移率，且能够成膜具有非常优越的面内均匀性的氧化物半导体膜。本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡、氧化铟的各粉末混合以及烧结而得到的氧化物烧结体，对所述氧化物烧结体进行X线衍射，设2θ＝34°附近的XRD峰值的强度由A表示，设2θ＝31°附近的XRD峰值的强度由B表示，设2θ＝35°附近的XRD峰值的强度由C表示，设2θ＝26.5°附近的XRD峰值的强度由D表示时，满足下述式(1)：[A/(A+B+C+D)]×100≥70 (1)。

公开(公告)号：CN103154308A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180048311.X

申请日：2011-10-05

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社钢臂功科研

Inventor： 松本克史 ,  高木胜寿 ,  武富雄一 ,  中井淳一 ,  莳野秀忠 ,  高木敏晃

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/115 ,  B22F3/15 ,  B22F3/24 ,  C22C1/02 ,  C22C1/04 ,  C22C21/00 ,  C22F1/00

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F3/115 ,  B22F3/15 ,  B22F3/24 ,  C22C1/0416 ,  C22C21/00 ,  C22F1/04 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586

Abstract: 本发明提供使用了溅射钯时的成膜速度(溅射速率)被提高、理想的是能够防止飞溅的发生的Al基合金溅射钯。本发明的Al基合金溅射钯含有Ta。优选的是含有Al及Ta的Al-Ta系金属间化合物的平均粒子直径为0.005μm以上且1.0μm以下，且Al-Ta系金属间化合物的平均粒子间距离满足0.01μm以上且10.0μm以下。

公开(公告)号：CN102770576A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201180010694.1

申请日：2011-02-25

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社钢臂功科研

Inventor： 岩崎祐纪 ,  松本克史 ,  高木敏晃 ,  长尾护 ,  莳野秀忠

IPC: C23C14/34 ,  C22C21/00

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22C21/00

Abstract: 本发明提供一种技术，其在使用Al基合金溅射靶时，即使进行高速成膜也能够抑制飞溅的发生。本发明涉及一种Al基合金溅射靶，其含有Ni和稀土元素，在利用背散射电子衍射像法对上述Al基合金溅射靶的表层部、1/4×t(t：Al基合金溅射靶的厚度)部、1/2×t部的各溅射面的法线方向的结晶方位 、 、 、 及 进行观察时，满足以下要件：(1)在将上述 ±15°、上述 ±15°及上述 ±15°的总面积率设为R(各处的R中，上述表层部为Ra，上述1/4×t部为Rb，上述1/2×t部为Rc)时，R为0.35以上且0.80以下，并且，(2)上述Ra、上述Rb及上述Rc在R平均值[Rave＝(Ra+Rb+Rc)/3]的±20％的范围内。

公开(公告)号：CN101691657B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200910132939.2

申请日：2009-03-31

Applicant: 株式会社钢臂功科研 ,  株式会社神户制钢所

Inventor： 高木胜寿 ,  岩崎祐纪 ,  得平雅也 ,  后藤裕史 ,  三木绫 ,  奥野博行 ,  越智元隆 ,  岸智弥

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C22C21/00 ,  C22C21/12 ,  C22C1/02 ,  C22F1/04 ,  C22F1/057

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22C21/00 ,  C22F1/04

Abstract: 本发明提供一种能减少溅射靶在使用初始阶段产生的飞溅，由此防止配线膜等中产生的缺陷，提高FPD的成品率和动作性能的Al-(Ni，Co)-(Cu，Ge)-(La，Gd，Nd)系合金溅射靶及其制造方法。本发明涉及构成分别含有选自A组(Ni，Co)中的至少一种、选自B组(Cu，Ge)中的至少一种和选自C组(La，Gd，Nd)中的至少一种的Al-(Ni，Co)-(Cu，Ge)-(La，Gd，Nd)系合金溅射靶，并且其维氏硬度(HV)为35以上的Al-基合金溅射靶。