一种热工水力实验系统主回路的温度调控方法及系统

    公开(公告)号:CN119512267A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411664568.3

    申请日:2024-11-20

    Abstract: 本发明公开了一种热工水力实验系统主回路的温度调控方法及系统,涉及热工水力实验研究领域。一种热工水力实验系统主回路的温度调控方法,包括采集热工水力实验系统的历史数据;训练待训练的阀门开度预测模型,获得训练完成的阀门开度预测模型;将实时的实验支路加热功率、冷却器一次侧入口流体流量、冷却器一次侧入口流体温度和冷却水入口流体温度作为阀门开度预测模型的输入参数,实时预测获得阀门开度前馈值;得到阀门开度反馈值;将阀门开度前馈值和阀门开度反馈值相加,得到阀门开度值,分别对冷却水流量调节阀、主回路冷却器旁路流量调节阀和主回路冷却器支路流量调节阀进行控制,实现对热工水力实验系统主回路的温度调控。本发明解决了调控温度的同时,难以维持实验过程中热工水力实验系统主回路维持相对稳定、主回路流量波动大的问题。

    一种高层建筑钢结构抗震测试装置

    公开(公告)号:CN119509877A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411679860.2

    申请日:2024-11-22

    Abstract: 本发明公开了一种高层建筑钢结构抗震测试装置,包括支撑座、承载板、托载板、侧限位块、防护挡板、传动固定组件和传动延展组件,所述传动固定组件包括两个旋转杆,两个所述旋转杆分别转动安装于承载板上表面同一端的两端,传动固定组件可以传动带动传动延展组件启动,通过防护挡板和延伸挡板可以对钢结构两侧进行围栏防护,当发生坍塌时可以防止零碎的钢结构向两侧崩塌,有效提高该测试装置的稳定性和安全性,并更方便对建筑钢结构进行安装和固定进行抗震测试,通过传动固定组件和传动延展组件二者联动并同步安装在一起,降低了零件使用的损耗。

    一种用于高含硫气井的天然气水合物抑制剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN119505849A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202311061388.1

    申请日:2023-08-22

    Abstract: 本发明公开了一种用于高含硫气井的天然气水合物抑制剂及其制备方法,包括如下重量份的各组分:40份~45份动力学抑制剂、1份‑3份增效剂、5份~10份聚合醇、10份~20份无机盐、500~600份水。本发明的水合物抑制剂以动力学抑制剂为主,与热力学抑制剂、聚合醇、增效剂复配后,大幅提升动力学抑制剂的抑制性能,可以显著提高动力学水合物抑制效果,适用于H2S含量在5%~15%的含硫天然气。

    一种配电网下电能计量的谐波参数测量方法、系统和设备

    公开(公告)号:CN119492914A

    公开(公告)日:2025-02-21

    申请号:CN202411713806.5

    申请日:2024-11-27

    Abstract: 本申请公开了一种配电网下电能计量的谐波参数测量方法、系统和设备,方法包括:离散采样得到直流信号,并获取谐波分量数据;以余弦窗的旁瓣峰值电平和旁瓣渐近衰减速率为优化目标,采用免疫算法对组合余弦窗参数进行优化,得到六项五阶组合余弦窗;结合乘法窗和卷积窗的优势构建自乘卷积优化窗;将优化窗运用于离散傅里叶变换迭代插值的谐波分析,通过双谱线迭代插值完成谐波参数估计和修正。本申请采用免疫算法对组合余弦窗参数进行优化,再结合乘法窗和卷积窗的优势构建自乘卷积优化窗,将该自乘卷积优化窗运用于FFT迭代插值的谐波分析,通过双谱线迭代插值完成谐波参数的估计和修正,从而快速准确地获得直流配电网下的谐波参数。

    减少激光损伤的DBR掩膜结构及背接触电池的制作方法

    公开(公告)号:CN119486369A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411592385.5

    申请日:2024-11-08

    Abstract: 本发明公开了一种减少激光损伤的DBR掩膜结构及背接触电池的制作方法,涉及电池技术领域;DBR掩膜结构包括重叠设置的多组DBR单元结构,每组DBR单元结构均由氧化硅膜层和氮化硅膜层组成,所述DBR掩膜结构中,氧化硅膜层和氮化硅膜层交替布置,所述氧化硅膜层的折射率为1.5±0.045,光学厚度为59.2±1.8nm或88.6±2.5nm,所述氮化硅膜层的折射率为1.9±0.057,光学厚度为46.7±1.35nm或70±2.0nm;本发明利用DBR掩膜结构反射掉大部分的激光能量,在激光图形化过程中对掩膜层下面的膜层结构进行保护,避免掺杂源形成二次分布,降低表面的钝化特性,影响电池转化效率。

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