-
公开(公告)号：CN101866882B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201010166065.5
申请日：2010-04-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明微电子技术领域，公开了可抑制选通二极管之间串扰电流的相变存储器的制备方法，其主要特征在于，在P型半导体衬底上形成重掺杂的N型半导体，在重掺杂的N型半导体上方形成一个本征半导体；对本征半导体有间隔的进行刻蚀形成多个位线方向隔离沟槽，将本征半导体分割形成多个选通二极管，并且刻蚀的位线方向隔离沟槽深入到重掺杂的N型半导体字线以内，在所述的沟槽内形成绝缘介质层；设置多个相变存储单元分别位于P型半导体的上方，并且分别与多个位线相连。本发明还揭露了一种可抑制选通二极管之间串扰电流的相变存储器，完全与CMOS工艺兼容，具有简单易操作，易实现的特点，用于高密度相变存储器，可降低成本，提高存储单元的可靠性。
-
公开(公告)号：CN101741242B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201010023096.5
申请日：2010-01-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明揭示了一种电荷泵及其工作方法，所述电荷泵包括参考电压发生电路、电压比较器、时钟发生器、电荷转移电容、稳压电容、开关单元；通过对电荷转移电容充电，并将充电完毕的电荷转移电容上的电荷转移到电荷泵输出端上，输出高于输入电压的电平，每次对电荷转移电容充电时，并未将电荷转移电容充满，只是将电荷转移电容充到设定的电压后停止充电。本发明可增加电荷泵电路的转换效率。
-
公开(公告)号：CN102339951A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110160543.6
申请日：2011-06-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种DRAM相变存储单元及用于替代DRAM的相变存储器，其存储单元尺寸在10F2以下，所使用的相变材料为：二元材料SbxM100-x，40≦x≦98，或三元材料MySbxTe100-x，40≦x≦98，1≦y≦40。本发明所提供的该相变存储器单元，具有超快的相变速度，超低的功耗，超强的疲劳使用寿命，以及适中的高低电阻比例和适中的数据保持能力。克服了传统DRAM器件在亚28纳米工艺节点之后所遇到的技术瓶颈，可实现对DRAM的替代。
-
公开(公告)号：CN102332530A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201010225613.7
申请日：2010-07-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种具有侧壁加热电极与相变材料的存储器单元及制备方法，该存储器单元包括衬底、位于衬底上的第一绝缘层、位于第一绝缘层上的下电极、位于下电极之上的加热电极、位于加热电极上的相变材料层、位于相变材料层上的上电极；其加热电极为侧壁结构，相变材料层也为侧壁结构，并且所述相变材料层与所述加热电极相交，它们的夹角在30度到150度之间。制备时，通过在绝缘材料中开设沟槽，在沟槽中制备薄膜，然后去除多余材料保留沟槽侧壁上的薄膜从而形成侧壁结构。本发明的加热电极和相变材料采用相交的纳米侧壁结构，使它们的接触面非常小，从而达到降低器件单元操作电流、降低功耗和增加器件可靠性的目的。
-
公开(公告)号：CN101388401B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200810201901.1
申请日：2008-10-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种二极管驱动电阻转换存储器单元及其制造方法，包括基底、设置在基底上的第一导电类型半导体、设置在半导体上的具有电阻转换能力的存储单元以及设置在电阻转换存储单元上的电极；所述第一导电类型半导体与存储单元相邻的表面具有第二导电类型掺杂，所述第二导电类型掺杂与未被掺杂的第一导电类型半导体构成驱动二极管结构，进而对上方的存储单元进行选通和驱动。本发明通过扩散工艺使存储器材料扩散到半导体中形成二极管结构，从而大幅度提高存储器的存储密度，而且本发明的工艺简便，成本低，能够增强二极管驱动电阻转换存储器单元的市场竞争能力。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102324840A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110123472.2
申请日：2011-05-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明揭示了一种电荷泵及其工作方法，所述电荷泵包括参考电压发生电路、电压比较器、时钟发生器、电荷转移电容、稳压电容、第一开关、第二开关、第三开关、及第四开关；通过对电荷转移电容充电，并将充电完毕的电荷转移电容上的电荷转移到电荷泵输出端上，输出高于输入电压的电平，每次对电荷转移电容充电时，并未将电荷转移电容充满，只是将电荷转移电容充到设定的电压后停止充电。本发明可增加电荷泵的转换效率，降低电荷泵电路输出电压纹波。
-
公开(公告)号：CN101882617B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201010199669.X
申请日：2010-06-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/08 , H01L27/24 , H01L21/82 , H01L21/762
Abstract: 本发明揭示了一种肖特基二极管、半导体存储器及其制造工艺，所述存储器包含字/位线、半导体层、第一金属层、第二金属层、绝缘材料、电阻转换存储单元；字/位线之间的隔离依靠第一浅沟槽实现，而同一字/位线上方的肖特基二极管单元的隔离依靠第二浅沟槽实现；所述第一浅沟槽深于第二浅沟槽。本发明采用新型结构的肖特基二极管，可通过简单的工艺制造出存储器装置，实现存储器器件成本的大幅降低。
-
-
公开(公告)号：CN101329907B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200810040950.1
申请日：2008-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法，在进行当前编程操作的同时，预读下一位或多位待编程的地址位，将其数据与待编程数据相比较：如果待编程数据与存储器原始存入数据相同，则不进行编程操作；如果待编程数据与存储器原始存入数据不同，则进行编程操作。由于存储器的状态处于“0”与“1”两种状态，按照概率理论，待编程数据与存储器原始数据相同的概率为50％，故该方法能够降低存储芯片50％的功耗，提高了存储单元的存储寿命，同时擦、写时间比读的时间要长，因此该发明也可提高芯片的存储速度。
-
公开(公告)号：CN101359504B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200810041415.8
申请日：2008-08-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种高速写入相变存储器及其高速写入方法，其包括至少两个相互独立的地址寄存器、数据寄存器、SET驱动电路、列选通器、相变电阻存储阵列、行地址译码器及列地址译码器，可同时对多组对应于不同地址下的相变存储单元进行写入操作，使得数据写入周期小于传统相变存储单元的写入周期，从而提高相变存储器的写入速度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
956
records
(took 0.073 seconds)
