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公开(公告)号：CN112010312A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010482858.1
申请日：2020-06-01
申请人： 通用汽车环球科技运作有限责任公司
IPC分类号： C01B33/037 , C01B33/039
摘要： 本发明公开了生产高纯度细粉的系统和方法。描述了生产细粉的系统、方法和组成。这些包括形成包含目标材料、牺牲基质材料和杂质的过共晶熔体，快速冷却过共晶熔体以形成具有第一相和第二相的过共晶合金，将过共晶合金退火以改变目标材料的形貌以便由此产生目标粒子，和除去牺牲基质以便由此产生目标粒子的细粉。第一相由目标材料限定，且第二相由牺牲基质材料限定。所述牺牲基质材料形成牺牲基质，所述目标材料分散在整个牺牲基质中。
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公开(公告)号：CN107324341A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710384575.1
申请日：2017-05-26
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C01B33/039
摘要： 本发明涉及一种利用铝和氧气去除工业硅中杂质硼的方法，属于工业硅技术领域。首先将工业硅块进行破碎，并球磨至硅粉粒度为150～200目；将硅粉中添加金属铝颗粒混合均匀得到混合物料；将得到的混合物料加热到1300～1400℃，从顶部吹入流速为500mL/min的高纯Ar，硅铝熔液合金化20～30min；经硅铝熔液合金化后，保持温度不变，从顶部吹入氩气和氧气的混合气体精炼2～4h后停止通气，完成吹气精炼过程；吹气精炼过程完成后，停止加热，由底部通入1000mL/min的Ar保护气体，待炉内降至室温后取出坩埚，将样品表面的渣层分离后得到硅块；将得到的硅块进行破碎用盐酸清洗硅中的残铝，最后得到精炼后的硅粉。本发明向工业硅中添加铝，通过吹氧精炼，高效去除工业硅中硼杂质。
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公开(公告)号：CN102050451B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN200910109955.X
申请日：2009-10-29
申请人： 比亚迪股份有限公司
IPC分类号： C01B33/039 , C01B33/04
摘要： 本发明属于硅提纯技术领域，具体公开了一种硅烷纯化剂。该纯化剂其包括载体、催化粒子；所述催化粒子负载载体上；其中，所述载体表面釉化处理。本发明还公开了该纯化剂的制备方法，包括以下步骤，将载体放入浸泡液中浸泡，后取出烘干；然后高温煅烧釉化，再氢气还原，最后惰性气氛下冷却；所述浸泡液为釉化剂溶液、催化粒子盐溶液。本发明所提供的硅烷纯化剂，纯化效果好，不会引进其它杂质，并且纯化收率高，硅烷损失少。并且该硅烷纯化剂的机械强度好。
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公开(公告)号：CN101787562A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010107833.X
申请日：2010-02-10
申请人： 李绍光
发明人： 李绍光
IPC分类号： C30B29/06 , C01B33/039
摘要： 一种联体式真空高温歧化反应装置，由两个相连接的反应炉构成，包括炉壳、发热体、坩埚和真空系统，其特征在于：(1)两反应炉的炉壳分别由两个圆柱体构成，两圆柱体的上侧部通过带冷阱的管道和法兰相连接；(2)两个反应炉分别有各自的发热体和坩埚，发热体和坩埚用相同的材料或者不同的材料制成；(3)第一反应炉坩埚的上方设置一个一氧化硅集气罩，集气罩通过一个Γ形冷凝管同两炉体之间连接管道与法兰相连接；(4)第二反应炉坩埚的上方设置有一氧化硅注入管，该注入管后端同两炉体之间的连接管道与法兰相连接；(5)两反应炉分别设置有各自独立的高真空系统，高真空系统的连接口设置在两炉壳外侧面的偏下方部位。它特别适合于制取太阳能级硅使用。
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公开(公告)号：CN101293652A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810115699.0
申请日：2008-06-26
申请人： 北京京仪世纪自动化设备有限公司
IPC分类号： C01B33/03 , C01B33/033 , C01B33/039
摘要： 本发明公开了一种物料完全循环的太阳能级多晶硅氢锌还原方法，首先将Si和H2、Cl2反应合成SiHCl3，然后将SiHCl3通过H还原生产多晶硅，H还原过程中的副产物SiCl4回收后，再通过Zn还原生产多晶硅。Zn还原过程中的副产物ZnCl2通过电解得到Zn和Cl2。其中，电解得到的Zn可以用于Zn还原过程中；电解得到的Cl2可以用于合成SiHCl3过程中。将锌还原和H还原生产多晶硅的工艺相结合，将SiCl4进行锌还原完全转化成硅，对锌还原反应生成的ZnCl2电解，生产Zn和Cl2并循环应用于过程中，使多晶硅生产过程中产生的SiCl4副产物得到了有效的回收利用，降低了成本和对环境的污染、节省了能源。
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公开(公告)号：CN114132933A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111286752.5
申请日：2021-11-02
申请人： 江苏中能硅业科技发展有限公司
IPC分类号： C01B33/039 , C01B33/03 , C01B33/021
摘要： 本发明公开了一种颗粒硅生产方法，包括以下步骤：以来自硅粉源的硅粉、氯化氢源的氯化氢、四氯化硅源的四氯化硅和氢气源一的氢气作为原料，进行氯氢化反应得到粗三氯氢硅源；将粗三氯氢硅源纯化分离；将来自三氯氢硅源的三氯氢硅经歧化反应得到粗二氯二氢硅源；将粗二氯二氢硅源分离；将来自二氯二氢硅源中二氯二氢硅进行歧化反应得到粗硅烷源；将粗硅烷源纯化分离；将来自硅烷气源的硅烷气和氢气混合，硅烷气发生非均相沉积生成产品颗粒硅源一。本发明还公开一种颗粒硅生产系统。本发明提供的一种颗粒硅生产方法和系统，能够对歧化反应副产物进行循环利用，提高原料利用率；同时能够有效降低颗粒硅的氢浓度和颗粒硅中的硅粉，从而进一步提高产品质量。
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公开(公告)号：CN108697945B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201680082869.2
申请日：2016-12-22
申请人： 各星有限公司
发明人： S·L·金贝尔
IPC分类号： B01D9/00 , C01B33/039 , C30B11/00 , C30B15/00
摘要： 提供了一种用于提取液体的系统。该系统包括真空源和喷嘴，该喷嘴具有可润湿的柱塞和与真空源流动连通地连接的真空管。当柱塞部分地浸没在液体中并且真空源被致动以引发气体流经真空管时，液体的液滴与柱塞的未浸没部分的至少一部分分离并变成悬浮在气流中。该系统还包括冷却结构，该冷却结构定位在真空管附近，以有利于使悬浮在流经真空管的气体中的液滴凝固。
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公开(公告)号：CN110526249A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910687765.X
申请日：2013-03-28
申请人： 储晞
发明人： 储晞
IPC分类号： C01B33/029 , C01B33/039 , B01J19/08
摘要： 在本发明的一个实施方案中，硅烷和氢气(以及惰性气体)的混合物是采用硅(或包括硅合金的含硅化合物)与氢源如氢气、氢原子和质子的催化气化而生成。将混合物气体(硅烷、氢气以及惰性气体)共同提纯，而不将硅烷单独从气体混合物中分离纯化，然后作为下游应用的原料气体而无需像传统方法中那样进一步稀释硅烷气体。本发明解决了大规模低成本制造高纯度硅和分布式现场交钥匙应用需要改进的制造方法、装置和组合，包括但并不限定于提供硅烷气体的混合物用于半导体集成电路的制造、光伏太阳能电池、液晶平板和其他电子器件。因此，本发明的各种实施可以大大降低硅相关产业的成本，并简化生产过程。
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公开(公告)号：CN108910887A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810827057.7
申请日：2018-07-25
申请人： 成都斯力康科技股份有限公司
IPC分类号： C01B32/956 , C01B33/039 , C05G1/00 , C08J11/06 , C08L71/02
摘要： 本发明公开了一种单晶硅切割渣及切割废液的回收处理方法，包括以下步骤：(1)、在处于搅拌下的单晶硅切割渣及切割废液中加入盐酸，搅拌反应后得混合料液；(2)、将混合料液加热蒸发进行固液分离，得到碳化硅、硅和杂质的固体混合物和气体，将气体蒸出冷凝后得水和聚乙二醇的混合液，脱水后升温排水得聚乙二醇；(3)、将碳化硅、硅和杂质的固体混合物经震荡清洗和重力分离得到碳化硅和硅的固体混合物；(4)、将碳化硅和硅的固体混合物加入到硝酸和HF组成的混合酸溶液中，反应后将氟硅酸蒸出，冷凝得氟硅酸，再将氟硅酸加工回收硅，反应后剩余碳化硅和酸液，过滤酸洗、水洗并干燥得碳化硅。本发明方法环保且具有很大的经济效益。
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公开(公告)号：CN108697945A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680082869.2
申请日：2016-12-22
申请人： 各星有限公司
发明人： S·L·金贝尔
IPC分类号： B01D9/00 , C01B33/039 , C30B11/00 , C30B15/00
摘要： 提供了一种用于提取液体的系统。该系统包括真空源和喷嘴，该喷嘴具有可润湿的柱塞和与真空源流动连通地连接的真空管。当柱塞部分地浸没在液体中并且真空源被致动以引发气体流经真空管时，液体的液滴与柱塞的未浸没部分的至少一部分分离并变成悬浮在气流中。该系统还包括冷却结构，该冷却结构定位在真空管附近，以有利于使悬浮在流经真空管的气体中的液滴凝固。
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