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公开(公告)号：CN116023580A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202111252257.2
申请日：2021-10-26
Applicant: 上海新阳半导体材料股份有限公司 , 上海芯刻微材料技术有限责任公司
IPC: C08F220/18 , C08F230/08 , C08F232/08 , C08F220/20 , G03F7/004
Abstract: 本发明公开了一种用于制备ArF干法光刻胶的树脂的制备方法。该备方法包括如下步骤：将如下以重量份计的40‑47.5份的单体A、以重量份计的0.5‑5份的单体B、以重量份计的0.25‑2.5份的单体C和以重量份计的0.25‑2.5份的单体D在有机溶剂中进行聚合反应，得到所述的树脂。含有本发明的制得的树脂的光刻胶具有分辨率高、灵敏度高和线宽粗糙度低的优点。
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公开(公告)号：CN111363631B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201811599894.5
申请日：2018-12-26
Applicant: 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC: C11D1/14 , C11D1/72 , C11D1/22 , C11D3/10 , C11D3/04 , C11D3/30 , C11D3/20 , C11D3/28 , C11D3/33 , C11D3/32 , C11D3/34 , C11D3/60
Abstract: 本发明公开了一种可用于去毛刺的去胶剂及其制备方法和应用。本发明的去胶剂，其包括下述质量分数的组分：20％‑70％的溶剂、10％‑50％有机胺、0.01％‑50％还原剂、0.01％‑5％无机碱、0.01％‑10％表面活性剂、0.1％‑5％挥发结晶抑制剂和水；所述去胶剂的pH值为7.5‑13.5，所述挥发结晶抑制剂为凡士林和氯化石蜡的混合物，所述凡士林与所述氯化石蜡的质量比为1：1～3：1。本发明的去胶剂对tape胶和溢料具有去除效果，无结晶物，使用寿命长。
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公开(公告)号：CN115960298A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202111187548.8
申请日：2021-10-12
Applicant: 上海新阳半导体材料股份有限公司 , 上海芯刻微材料技术有限责任公司
IPC: C08F220/18 , C08F222/26 , C08F232/08 , G03F7/004
Abstract: 本发明公开了一种树脂和含其的ArF干法光刻胶。该树脂由如下以重量份数计的单体聚合得到：其由如下以重量份数计的单体聚合得到：40‑50份的单体A、0.5‑5份的单体B、0.25‑2.5份的单体C和0.25‑2.5份的单体D。含有本发明的树脂的光刻胶具有分辨率高、灵敏度高和线宽粗糙度低的优点。
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公开(公告)号：CN111048415B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN201811185568.X
申请日：2018-10-11
Applicant: 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种选择性刻蚀液组合物及其制备方法和应用。本发明选择性刻蚀液组合物，其包括以下组分：如式I所示和/或如式II所示的含硅杂原子化合物，磷酸和水。本发明的选择性刻蚀液组合物在去除3D NAND存储器结构中的氮化层，在7h内可避免氧化物膜层的过刻蚀或负刻蚀。
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公开(公告)号：CN113161234B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110461606.5
申请日：2021-04-27
Applicant: 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC: H01L21/306 , C23F1/26
Abstract: 本发明公开了一种含氟清洗液组合物的应用。该含氟清洗液组合物包括下述质量分数的组分：10％‑30％的氧化剂、0.001‑0.01％的还原型谷胱甘肽、0.001％‑0.25％的半胱氨酸、1％‑5％的氟化物、1％‑5％的有机碱、0.01％‑2％的螯合剂、0.01％‑2％的缓蚀剂、0.5％‑3％的羧酸铵、0.01％‑1％的EO‑PO聚合物L31、0.01％‑2％的钝化剂和水，水补足余量；各组分质量分数之和为100％。本发明的含氟清洗液组合物可选择性地除去微电子器件上的硬遮罩，具有良好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113201742B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202110459939.4
申请日：2021-04-27
Applicant: 上海新阳半导体材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种化学机械抛光后清洗液的应用。具体公开了一种清洗液在清洗化学机械抛光后的半导体器件中的应用，所述清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.01％‑25％强碱、0.01％‑30％醇胺、0.001％‑1％抗氧化物、0.01％‑0.1％多肽、0.01％‑0.1％氨基酸、0.01％‑10％缓蚀剂、0.01％‑10％螯合剂、0.01％‑5％表面活性剂、以及28.9％‑89.9％水，各组分质量分数之和为100％；其中，所述氨基酸为组氨酸和半胱氨酸的组合，所述多肽为还原型谷胱甘肽(肽A)和氧化型谷胱甘肽(肽B)的组合。本发明清洗液清洗能力更强、腐蚀速率更低、BTA去除能力更强、稳定性更好，可同时实现清洗、缓蚀和BTA的去除的效果。
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公开(公告)号：CN113186044B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202110461607.X
申请日：2021-04-27
Applicant: 上海新阳半导体材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种含氟清洗液组合物的制备方法。该制备方法包括如下步骤：将以下质量分数的组分混合，即得到所述的含氟清洗液组合物；10％‑30％的氧化剂、0.001‑0.01％的还原型谷胱甘肽、0.001％‑0.25％的半胱氨酸、1％‑5％的氟化物、1％‑5％的有机碱、0.01％‑2％的螯合剂、0.01％‑2％的缓蚀剂、0.5％‑3％的羧酸铵、0.01％‑1％的EO‑PO聚合物L31、0.01％‑2％的钝化剂和水，水补足余量；各组分质量分数之和为100％。采用本发明的含氟清洗液组合物的制备方法制得的含氟清洗液组合物对硬遮罩具有优秀的选择性且对等离子刻蚀后残余物和灰化后残余物清洗效果佳。
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公开(公告)号：CN113150885B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202110459926.7
申请日：2021-04-27
Applicant: 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC: C11D1/722 , C11D3/04 , C11D3/20 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/32 , C11D3/33 , C11D3/39 , C11D3/60 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种含氟清洗液组合物。该含氟清洗液组合物包括下述质量分数的组分：10％‑30％的氧化剂、0.001‑0.01％的还原型谷胱甘肽、0.001％‑0.25％的半胱氨酸、1％‑5％的氟化物、1％‑5％的有机碱、0.01％‑2％的螯合剂、0.01％‑2％的缓蚀剂、0.5％‑3％的羧酸铵、0.01％‑1％的EO‑PO聚合物L31、0.01％‑2％的钝化剂和水，水补足余量；各组分质量分数之和为100％。本发明的含氟清洗液组合物可选择性地除去微电子器件上的硬遮罩，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN113801042B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110979286.2
申请日：2021-08-25
Applicant: 上海新阳半导体材料股份有限公司 , 上海芯刻微材料技术有限责任公司
IPC: C07C309/42 , C07C321/30 , C07C323/20 , C07C319/20 , C07C303/32 , G03F7/004
Abstract: 本发明公开了一种ArF光源干法光刻用多鎓盐型光产酸剂。该光产酸剂为具有阴离子和鎓离子的鎓盐，所述阴离子具有式(I)所示的结构，所述鎓离子具有式(A)或式(B)所示的结构，所述鎓离子的个数使所述鎓盐的电荷保持中性。包含本发明鎓盐的光刻胶具有更好的分辨率、灵敏度和线宽粗糙度。
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公开(公告)号：CN114180332A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202210007237.7
申请日：2022-01-05
Applicant: 上海新阳半导体材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及引线框架搬运装置，其包括托举装置和托叉，所述托举装置包括托板，所述托板可升降地设置；所述托叉可升降地设置；所述托叉升降时可贯穿所述托板升至所述托板上方并可下降至所述托板下方地设置。托板设置缺口，托叉可自缺口穿过托板，使得本发明易于实现托出料盒内的引线框架。托叉可平移地设置，在使用过程中可避开托板升降，避免干涉。
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