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公开(公告)号：CN111925800B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202010817237.4
申请日：2020-08-14
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： C09K13/06 , H01L21/311
摘要： 本发明公开了一种蚀刻液组合物、其制备及应用。具体地，所述的蚀刻液组合物，按质量份数计，其包括下述组分：磷酸76.5～84.6份、水13.5～15份、如式A所示的化合物0.5～10份。使用本发明的如式A所示的化合物及组合物可提供高选择比，提升蚀刻液的寿命，能适应层叠结构层数的增加。
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公开(公告)号：CN111048415B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN201811185568.X
申请日：2018-10-11
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/28
摘要： 本发明公开了一种选择性刻蚀液组合物及其制备方法和应用。本发明选择性刻蚀液组合物，其包括以下组分：如式I所示和/或如式II所示的含硅杂原子化合物，磷酸和水。本发明的选择性刻蚀液组合物在去除3D NAND存储器结构中的氮化层，在7h内可避免氧化物膜层的过刻蚀或负刻蚀。
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公开(公告)号：CN108063106A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201810036154.4
申请日：2018-01-15
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种对准标记重现清洗装置及使晶圆上的对准标记重现的方法。对准标记重现清洗装置包括基板、清洗桶、第一液管、喷嘴和真空管道。基板用于放置晶圆。清洗桶架设于晶圆的上方，清洗桶的外壁与内壁之间形成有环形空间。第一液管位于环形空间内，第一液管的出液口对应于晶圆上的对准标记，且第一液管的出液口的大小与对准标记的大小相适配。喷嘴设于清洗桶上，喷嘴与第一液管的进液口相连通，喷嘴用于向第一液管内通入刻蚀剂和清洗剂。真空管道设于清洗桶上，真空管道与环形空间相连通，真空管道的远离所述清洗桶的一端用于连接于真空设备。该对准标记重现清洗装置能够减少刻蚀剂和清洗剂的用量，减少对晶圆的二次污染。
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公开(公告)号：CN108063106B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201810036154.4
申请日：2018-01-15
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种对准标记重现清洗装置及使晶圆上的对准标记重现的方法。对准标记重现清洗装置包括基板、清洗桶、第一液管、喷嘴和真空管道。基板用于放置晶圆。清洗桶架设于晶圆的上方，清洗桶的外壁与内壁之间形成有环形空间。第一液管位于环形空间内，第一液管的出液口对应于晶圆上的对准标记，且第一液管的出液口的大小与对准标记的大小相适配。喷嘴设于清洗桶上，喷嘴与第一液管的进液口相连通，喷嘴用于向第一液管内通入刻蚀剂和清洗剂。真空管道设于清洗桶上，真空管道与环形空间相连通，真空管道的远离所述清洗桶的一端用于连接于真空设备。该对准标记重现清洗装置能够减少刻蚀剂和清洗剂的用量，减少对晶圆的二次污染。
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公开(公告)号：CN111363550A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201910520709.7
申请日：2019-06-17
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： C09K13/06 , H01L21/306 , H01L21/311
摘要： 本发明公开了一种选择性刻蚀液组合物及其制备方法和应用。本发明的选择性刻蚀液组合物，其包括以下组分：添加剂、磷酸和水，所述添加剂为式1化合物和/或式2化合物。本发明的选择性刻蚀液组合物可选择性移除高达192层堆叠设计的NAND中的氮化物膜层，其氧化物膜层没有出现过刻蚀或负刻蚀，且可多次使用，没有出现颗粒析出。
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公开(公告)号：CN110838436A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201911074665.6
申请日：2019-11-06
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/67 , C25D3/02
摘要： 本发明公开了一种湿制程工艺及应用。所述的湿制程工艺包括如下步骤：(1)将待处理工件与第一药液接触，得处理工件，其中第一药液添加剂的质量浓度>0；(2)将处理工件置于第二药液中进行处理，其中第二药液添加剂的质量浓度≥0，第一药液和第二药液添加剂的化学成分相同或不同。本发明的湿制程工艺能够有效节约添加剂的用量，降低药液的变质风险，从而大大降低工艺成本。
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公开(公告)号：CN109852977B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201910181969.6
申请日：2019-03-11
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种锡球生产工艺、清洗剂及其制备方法。本发明的锡球生产工艺中使用清洗剂对锡球进行清洗，其中清洗剂包括下列质量分数的组分：20％‑50％的有机酸、1％‑2％的防变色剂、1％‑3％的缓蚀剂、0.1％‑1％的钝化剂、1％‑2％的阴离子型表面活性剂、和水，各组分质量分数之和为100％；所述钝化剂为甘氨酸。其中清洗剂的制备方法为将上述各组分混合，即可。本发明锡球生产工艺中使用的清洗剂能清除锡球表面各种污物和杂质，但对锡球的腐蚀并不明显，也不影响锡球表面的颜色。
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公开(公告)号：CN111925800A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010817237.4
申请日：2020-08-14
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： C09K13/06 , H01L21/311
摘要： 本发明公开了一种蚀刻液组合物、其制备及应用。具体地，所述的蚀刻液组合物，按质量份数计，其包括下述组分：磷酸76.5～84.6份、水13.5～15份、如式A所示的化合物0.5～10份。使用本发明的如式A所示的化合物及组合物可提供高选择比，提升蚀刻液的寿命，能适应层叠结构层数的增加。
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公开(公告)号：CN111048415A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201811185568.X
申请日：2018-10-11
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/28
摘要： 本发明公开了一种选择性刻蚀液组合物及其制备方法和应用。本发明选择性刻蚀液组合物，其包括以下组分：如式I所示和/或如式II所示的含硅杂原子化合物，磷酸和水。本发明的选择性刻蚀液组合物在去除3D NAND存储器结构中的氮化层，在7h内可避免氧化物膜层的过刻蚀或负刻蚀。
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公开(公告)号：CN109852977A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910181969.6
申请日：2019-03-11
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种锡球生产工艺、清洗剂及其制备方法。本发明的锡球生产工艺中使用清洗剂对锡球进行清洗，其中清洗剂包括下列质量分数的组分：20％-50％的有机酸、1％-2％的防变色剂、1％-3％的缓蚀剂、0.1％-1％的钝化剂、1％-2％的阴离子型表面活性剂、和水，各组分质量分数之和为100％；所述钝化剂为甘氨酸。其中清洗剂的制备方法为将上述各组分混合，即可。本发明锡球生产工艺中使用的清洗剂能清除锡球表面各种污物和杂质，但对锡球的腐蚀并不明显，也不影响锡球表面的颜色。
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