公开(公告)号：CN102122567A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN201010563227.9

申请日：2010-11-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 入江周一郎 ,  政冈雷太郎 ,  宝角敏也 ,  千叶哲也

IPC: H01F41/02 ,  C22C38/00 ,  H01F1/08

CPC classification number: H01F41/0266 ,  B22F3/1021 ,  B22F3/20 ,  C22C19/07 ,  C22C33/0285 ,  C22C38/005 ,  C22C38/06 ,  C22C38/10 ,  C22C38/14 ,  C22C38/16 ,  H01F1/0557 ,  H01F1/0577

Abstract: 本发明涉及稀土类烧结磁铁的制造方法。稀土类烧结磁铁(10)的制造方法具有以下工序：对包含磁性粉末和充油橡胶的混合物进行成形来制作成形体的成形工序，所述磁性粉末含有稀土类化合物，所述充油橡胶含有油及橡胶；从成形体中除去充油橡胶的脱溶剂工序；烧成除去了充油橡胶的成形体从而获得稀土类烧结磁铁(10)的烧成工序。

公开(公告)号：CN1941233B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200610146375.4

申请日：2006-09-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小岛达也 ,  政冈雷太郎 ,  室泽贵子

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01G13/00

CPC classification number: C04B35/4682 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  H01G4/0085 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 一种具有电介质层和内部电极层的叠层型陶瓷电子部件的制造方法，其中作为用于形成内部电极层的导体糊剂包含至少由导体粒子和陶瓷粉末构成的第1共材料，和由陶瓷粉末构成的、具有比上述第1共材料大的平均粒径的第2共材料；通过使用上述第1共材料的平均粒径是上述导体粒子的平均粒径的1/20～1/2的尺寸，上述第2共材料的平均粒径是烧结后的上述内部电极层的平均厚度的1/10～1/2的尺寸的导体糊剂的叠层型陶瓷电子部件的制造方法，本发明提供一种能够有效抑制裂纹的产生、降低短路不良率及耐压不良率并且具有高静电容量的叠层型陶瓷电容器等叠层型陶瓷电子部件的制造方法。

公开(公告)号：CN1909125A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610108209.5

申请日：2006-08-01

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 外海透 ,  小岛达也 ,  室泽尚吾 ,  政冈雷太郎 ,  山口晃

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01G4/005

CPC classification number: H01G4/30 ,  H01G4/012

Abstract: 本发明涉及一种层叠电子部件，其具有：含有内层部分及在其上下设置的一对外层部分的陶瓷基体、和设置在所述陶瓷基体左右的一对外部电极。在所述内层部分埋设有与所述外部电极交互连接的多个内部电极。在至少一个所述外层部分埋设有分别与所述外部电极连接的2层或更多层的伪电极。最内侧的所述伪电极被设置为与最外侧的所述内部电极同极性。所述伪电极含有作为不同极性相邻的至少一对。

公开(公告)号：CN107221430A

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201710169473.8

申请日：2017-03-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 内山弘基 ,  政冈雷太郎 ,  藤井祥平 ,  城川真生子

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/495 ,  H01B3/12

Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有高的相对介电常数、Q值以及绝缘击穿电压的电介质膜以及使用该电介质组合物的电子部件。所述电介质膜其特征在于，所述电介质膜以具有NaCl型晶体结构的碱土金属氧化物为主成分，所述电介质膜在法线方向具有(111)取向的柱状结构，在所述电介质膜的Cu‑KαX射线衍射图中，(111)的衍射峰的半峰宽为0.3°～2.0°。

公开(公告)号：CN107221429A

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201710169275.1

申请日：2017-03-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 城川真生子 ,  政冈雷太郎 ,  内山弘基 ,  藤井祥平

IPC: H01G4/10 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01G4/10 ,  C04B35/053 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C23C14/082 ,  C23C14/3414 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/33 ,  H01P7/10 ,  H03H1/00 ,  H03H2001/0021

Abstract: 本发明的目的在于提供一种维持低介电损耗、即高的Q值而对应于急剧的温度变化具有高的耐热冲击性的以MgO为主成分的电介质薄膜以及具备该电介质薄膜的电子部件。所述电介质薄膜其特征在于，所述电介质薄膜以MgO为主成分，所述电介质薄膜由含有分别至少1个以上的由单晶构成的柱状结构A和由多晶构成的柱状结构B的柱状结构群构成，在将所述电介质薄膜的垂直方向的截面中所述柱状结构A所占的面积记为CA，并且将所述柱状结构B所占的面积记为CB的情况下，所述CA与CB的关系为0.4≤CB/CA≤1.1。

公开(公告)号：CN106960726A

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201610855620.2

申请日：2016-09-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 藤井祥平 ,  政冈雷太郎 ,  内山弘基 ,  城川真生子

IPC: H01G4/12 ,  H01B3/12

CPC classification number: C04B35/057 ,  C01F11/02 ,  C01G33/006 ,  C01G35/006 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/01 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/33 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/00 ,  H01L28/55 ,  H01G4/1209 ,  H01B3/12

Abstract: 本发明的目的在于提供一种即使是在以高频(2GHz)进行使用的情况下相对介电常数也高且介电损耗小即Q值高而且绝缘破坏电压高的电介质组合物以及使用了该电介质组合物的电子元件。本发明所涉及的电介质组合物的特征在于：作为主成分含有由化学式AαBβC2γOα+β+5γ(A为Ba元素，B为选自Ca或者Sr中的至少一种元素，C为选自Ta或者Nb当中至少一种元素)表示的复合氧化物，α、β、γ的关系满足α+β+γ＝1.000；0.000＜α≤0.375；0.625≤β＜1.000；0.000≤γ≤0.375。

公开(公告)号：CN106298237A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610497982.9

申请日：2016-06-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 政冈雷太郎 ,  内山弘基 ,  藤井祥平 ,  城川真生子

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/33

CPC classification number: C04B35/495 ,  C01F5/00 ,  C01F11/00 ,  C01G15/006 ,  C01G33/006 ,  C01G35/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  H01B3/10 ,  H01B3/12 ,  H01G4/10 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/33 ,  H01G4/1209

Abstract: 本发明的目的在于提供一种介电组合物以及使用了该介电组合物的电子部件，该介电组合物即使是在小型化了的情况下也能够相对介电常数高、介电损耗低、即Q值高、进一步耐受电压高。本发明所涉及的介电组合物的特征在于：作为主成分包含由通式xAO-yBO-zC2O5(式中A表示选自Ba、Ca、Sr中的至少一种元素，B表示Mg，C表示选自Nb、Ta中的至少一种元素)表示的复合氧化物，其中，x、y、z的关系为：x+y+z＝1.000；0.000＜x≤0.281；0.625≤y＜1.000；0.000＜z≤0.375。

公开(公告)号：CN102219491A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110070209.1

申请日：2011-03-16

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 和田龙一 ,  川田原奖 ,  高桥幸雄 ,  政冈雷太郎 ,  铃木孝志 ,  桃井博

IPC: C04B35/28 ,  C04B35/26

CPC classification number: C04B35/265 ,  B82Y30/00 ,  C01G49/0018 ,  C01G53/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/42 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  H01F1/344

Abstract: 铁氧体组合物，包含主成分及副成分，主成分包含：氧化铁，以Fe2O3换算含有46.0-49.8摩尔％；氧化铜，以CuO换算含有5.0-14.0摩尔％；氧化锌，以ZnO换算含有8.0-32.0摩尔％；其余由氧化镍所构成；相对于主成分100重量％，副成分包含：氧化硅，以SiO2换算含有0.5-6.0重量％；氧化硼，以B2O3换算含有0.01-2.0重量％。副成分还可包含氧化钾，以K2O换算含有0.01-0.17重量％。副成分也可包含氧化锡，以SnO2换算含有0.3-2.0重量％。根据本发明，可提供初始磁导率及直流重叠特性良好、且初始磁导率的温度特性较优及可低温烧成的铁氧体组合物，以及具有该铁氧体组合物的电子零件。

公开(公告)号：CN100570772C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200610084659.5

申请日：2006-05-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 岩崎彰则 ,  小岛达也 ,  外海透 ,  室泽尚吾 ,  政冈雷太郎 ,  阿部晓太朗 ,  山口晃

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/30 ,  H01G4/129

Abstract: 一种层叠陶瓷电容器具有内层部和一对外层部。内层部包含多个第一陶瓷层和多个内部电路元件导体。多个第一陶瓷层和多个内部电路元件导体交替层叠。第一和第二陶瓷层包含玻璃成分。对于第二陶瓷层的主要成分的量的该第二陶瓷层的玻璃成分的量的成分量比，大于对于第一陶瓷层的主要成分的量的该第一陶瓷层的玻璃成分的量的成分量比。

公开(公告)号：CN101034620A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200710085549.5

申请日：2007-03-08

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小岛达也 ,  外海透 ,  室泽尚吾 ,  政冈雷太郎

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/30 ,  H01G4/012 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供一种层叠陶瓷电子部件，其不会阻碍小型化和容量的增加，能够抑制从上下面达到左右侧面的裂纹的产生。层叠陶瓷电容(1)在陶瓷基体(3)中埋设有多个内部电极(5、7)，具有由内部电极和其间的陶瓷层构成的功能区(51)、以及在该功能区的周围形成的且断面呈环形的保护区(53)。当设保护区的上下方向的壁厚为t、左右方向的壁厚为Wg时，则满足0＜t/Wg≤0.80。更优选的是，满足0＜t/Wg≤0.57。