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公开(公告)号：CN103107210B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201210375763.5
申请日：2012-09-29
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/05
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池模块。根据本发明的实施方式的太阳能电池模块包括：多个背接触太阳能电池，其均包括基板、均定位在基板的背表面上并且在第一方向上延伸的多个第一电极以及均定位在两个相邻的第一电极之间并且在第一方向上延伸多个第二电极；多个第一导电粘附膜，其均接触两个相邻的背接触太阳能电池中的一个的第一电极中的每一个的一个端部；多个第二导电粘附膜，其均接触两个相邻的背接触太阳能电池中的另一个的第二电极中的每一个的一个端部；以及互连件，其定位在两个相邻的背接触太阳能电池之间。
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公开(公告)号：CN104167454A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410354042.5
申请日：2014-05-16
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0682 , H01L31/022441 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/068
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。讨论的太阳能电池包括：具有基区和掺杂区的半导体衬底；形成在半导体衬底上的掺杂层，掺杂层具有不同于掺杂区的导电类型；介于掺杂层和半导体衬底之间的隧道层；连接到掺杂区的第一电极；和连接到掺杂层的第二电极。
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公开(公告)号：CN103107210A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210375763.5
申请日：2012-09-29
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/05
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池模块。根据本发明的实施方式的太阳能电池模块包括：多个背接触太阳能电池，其均包括基板、均定位在基板的背表面上并且在第一方向上延伸的多个第一电极以及均定位在两个相邻的第一电极之间并且在第一方向上延伸多个第二电极；多个第一导电粘附膜，其均接触两个相邻的背接触太阳能电池中的一个的第一电极中的每一个的一个端部；多个第二导电粘附膜，其均接触两个相邻的背接触太阳能电池中的另一个的第二电极中的每一个的一个端部；以及互连件，其定位在两个相邻的背接触太阳能电池之间。
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公开(公告)号：CN103035763A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210367945.8
申请日：2012-09-28
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/048
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/0516 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池模块。根据本发明的实施方式的太阳能电池模块包括：多个太阳能电池，每一个太阳能电池包括基板、定位在基板的背表面的第一边缘处并且在第一方向上延伸的第一电极电流收集器以及定位在基板的背表面的第二边缘处并且在第一方向上延伸的第二电极电流收集器；导电粘附膜，其接触多个太阳能电池的第一太阳能电池的第一电极电流收集器，或者接触与第一太阳能电池相邻的第二太阳能电池的第二电极电流收集器，或者接触这两者；以及互连件，其接触导电粘附膜并且将相邻的第一和第二太阳能电池彼此电气连接。
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公开(公告)号：CN102292828A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201080005253.8
申请日：2010-02-19
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/0368 , H01L31/02167 , H01L31/022466 , H01L31/03682 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , H01L31/077 , Y02E10/546 , Y02E10/547
Abstract: 示出一种太阳能电池。该太阳能电池包括：第一导电类型的半导体基板；包括晶体部分的第一非晶半导体层；所述半导体基板上的第一电极部分；和所述半导体基板上的第二电极部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102044579A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010535062.4
申请日：2010-09-07
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/0747 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及太阳能电池。该太阳能电池包括第一导电类型的基板；位于所述基板上的与所述第一导电类型相反的第二导电类型的射极区；与所述射极区隔开地位于所述基板上的所述第一导电类型的第一场区；电连接到所述射极区的第一电极；电连接到所述第一场区的第二电极；以及位于所述射极区和所述第一场区中的至少一个上的绝缘区。
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公开(公告)号：CN105390558B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201510514775.5
申请日：2015-08-20
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/20
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种太阳能电池，并且该太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，该隧穿层在半导体基板的表面上；缓冲层，该缓冲层在隧穿层上，其中，缓冲层是与隧穿层分开的层并且包括本征缓冲部，并且其中，缓冲层的材料、成分和晶体结构中的至少一项与隧穿层的不同；导电类型区域，该导电类型区域在隧穿层上，并且包括具有第一导电类型的第一导电类型区域和具有第二导电类型的第二导电类型区域；以及电极，该电极连接到导电类型区域。该缓冲层定位成与隧穿层相邻并且与电极分开。
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公开(公告)号：CN104681648B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410709226.9
申请日：2014-11-28
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L21/266 , H01L31/022441 , H01L31/03529 , H01L31/0747 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。讨论了一种太阳能电池。根据一种实施方式的太阳能电池包括半导体基板以及设置在该半导体基板的同一侧的第一导电类型区域和第二导电类型区域，其中，所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域中的至少一方包括主区域和设置在该主区域的周边部分的边界区域，并且所述边界区域具有变化的掺杂浓度和变化的掺杂深度中的至少一方。
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公开(公告)号：CN105390558A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510514775.5
申请日：2015-08-20
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/20
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种太阳能电池，并且该太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，该隧穿层在半导体基板的表面上；缓冲层，该缓冲层在隧穿层上，其中，缓冲层是与隧穿层分开的层并且包括本征缓冲部，并且其中，缓冲层的材料、成分和晶体结构中的至少一项与隧穿层的不同；导电类型区域，该导电类型区域在隧穿层上，并且包括具有第一导电类型的第一导电类型区域和具有第二导电类型的第二导电类型区域；以及电极，该电极连接到导电类型区域。该缓冲层定位成与隧穿层相邻并且与电极分开。
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公开(公告)号：CN105304749A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510315716.5
申请日：2015-06-10
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/042
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/02167 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/1872 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/042
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。讨论了一种制造太阳能电池的方法。该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成隧穿层；在该隧穿层上形成半导体层，其中，形成该半导体层的步骤包括沉积半导体材料；以及形成连接到所述半导体层的电极。在高于室温的温度和低于大气压力的压力下形成所述隧穿层。
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