公开(公告)号：CN100430526C

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN03810206.4

申请日：2003-04-08

Applicant: ACM研究公司

Inventor： 王晖 ,  沃哈·纳持 ,  费利克斯·古特曼 ,  穆罕默德·阿夫南 ,  希曼舒·J·乔克什 ,  马克·J·范柯克威科 ,  戴蒙·L·克勒 ,  佩奥尔·伊 ,  麦·H·源 ,  张如皋 ,  弗雷德里克·霍

IPC: C25D5/48 ,  C25D17/00 ,  C25D7/12 ,  C25F3/30 ,  C25F7/00

CPC classification number: H01L21/6708 ,  C25D7/12 ,  C25D17/001 ,  C25F7/00 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67769 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68707

Abstract: 本发明一方面提供一种用于对半导体晶片执行电解抛光或电镀处理的设备和方法。该设备包括一清洗模块，该清洗模块具有一边缘清洗组件(930)，用于去除位于晶片(901)的斜角或边缘部上的金属残留物。边缘清洗设备包括一喷嘴头(1030)，其往晶片主表面上供给液体和气体，以及在供给液体、径向向内位置处供给气体，从而减小液体沿径向向内方向流到晶片上形成的金属薄膜的可能性。

公开(公告)号：CN1732561A

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN01815862.5

申请日：2001-09-18

Applicant: ACM研究公司

Inventor： 王晖

IPC: H01L21/44 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC classification number: H01L21/76835 ,  C25F3/02 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/7684 ,  H01L2221/1036

Abstract: 形成一种半导体晶片(100)的层，一电介质层淀积在该半导体晶片上。电介质层(204)包括具有低介电常数的材料。凹区(210)和非凹区(211)形成在电介质层中覆盖非凹区。然后金属层被电抛光以除去覆盖在非凹区上的金属层，留下凹区中的金属层。

公开(公告)号：CN1663036A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN02808834.4

申请日：2002-04-04

Applicant: ACM研究公司

Inventor： 王晖 ,  易培豪

IPC: H01L21/4763 ,  H01L23/48 ,  C25D5/02

CPC classification number: C25D5/48 ,  C25D5/02 ,  C25D7/123 ,  H01L21/32125 ,  H01L21/7684

Abstract: 在电抛光半导体晶片上的金属层中，在半导体晶片(未示出)上形成电介质(100)。该电介质(100)形成有凹进区(102)和非凹进区(103)。多个虚设结构(200)是构成的非活动区，以便增加后来形成在电介质(100)上的金属层(106)的平整度。然后形成金属层(106)以便填充凹进区(102)并且覆盖非凹进区(103)和多个虚设结构(200)。然后电抛光该金属层(106)以便露出非凹进区(102)。