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公开(公告)号：CN106098613B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201610446253.0
申请日：2016-06-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/762 , H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种基于非晶化与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变SiGe的制作方法。其实现步骤是：在清洗后的AlN埋绝缘层上SiGe晶圆顶层SiGe层上淀积SiO2层；对顶层SiGe层进行离子注入形成非晶化层，并去除非晶化层上的SiO2层；在顶层SiGe层上淀积张应力SiN薄膜或压应力SiN薄膜后将SiN薄膜刻蚀成单轴张应力SiN条状阵列或单轴压应力SiN条状阵列，并对该晶圆进行退火，使非晶化层重结晶，使AlN埋绝缘层发生塑性形变；刻蚀掉SiN条状阵列，得到AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变SiGe。本发明应变量大，可用于制作AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变SiGe材料。
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公开(公告)号：CN101419982B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200810232513.X
申请日：2008-12-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种槽栅型源场板高电子迁移率器件及其制作方法，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、槽栅(7)、钝化层(8)、源场板(9)和保护层(11)，该槽栅(7)位于势垒层的凹槽(6)中，该源场板(9)与源极(4)电气连接，其中，钝化层(8)上淀积有n个浮空场板(10)，这些浮空场板与源场板位于同一层面上。每个浮空场板大小相同，相互独立，相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自源场板到漏极方向的个数依次递增。n个浮空场板与源场板在钝化层上一次工艺完成。本发明具有工艺简单、输出功率高和可靠性好的优点，可制作基于化合物半导体材料异质结的微波功率器件。
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公开(公告)号：CN101414623B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200810232526.7
申请日：2008-12-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/772 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种槽栅型源-漏复合场板异质结场效应晶体管及其制作方法，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、槽栅(7)、钝化层(8)、源场板(9)、漏场板(11)和保护层(12)，该漏场板与漏极电气连接，该源场板与源极电气连接，其中，势垒层(3)上开有凹槽(6)；源场板与漏场板之间的钝化层上淀积有n个浮空场板(10)。每个浮空场板大小相同，处于浮空状态，且按照等间距的方式分布于源场板与漏场板之间。n个浮空场板与源场板和漏场板在钝化层上通过一次工艺完成。本发明具有成品率高、可靠性好和输出功率高的优点，可制作基于宽禁带化合物半导体材料异质结的功率器件。
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公开(公告)号：CN101419982A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810232513.X
申请日：2008-12-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种槽栅型源场板高电子迁移率器件及其制作方法，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、槽栅(7)、钝化层(8)、源场板(9)和保护层(11)，该槽栅(7)位于势垒层的凹槽(6)中，该源场板(9)与源极(4)电气连接，其中，钝化层(8)上淀积有n个浮空场板(10)，这些浮空场板与源场板位于同一层面上。每个浮空场板大小相同，相互独立，相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自源场板到漏极方向的个数依次递增。n个浮空场板与源场板在钝化层上一次工艺完成。本发明具有工艺简单、输出功率高和可靠性好的优点，可制作基于化合物半导体材料异质结的微波功率器件。
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公开(公告)号：CN101414637A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810232537.5
申请日：2008-12-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种凹槽绝缘交叠栅异质结场效应晶体管，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘介质层(7)、钝化层(8)、交叠栅(10)和保护层(12)，该势垒层上开有第一凹槽(6)，该钝化层上开有第二凹槽(9)，其中，钝化层上交叠栅与漏极之间淀积有n个浮空场板(11)。每个浮空场板大小相同，相互独立，且相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自交叠栅到漏极方向的个数依次递增。n个浮空场板处于浮空状态，并与交叠栅通过一次工艺完成。本发明具有工艺简单、可靠性好、稳定性强、频率特性好和输出功率高的优点，可制作基于III－V族化合物半导体异质结结构的微波功率器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101414635A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810232529.0
申请日：2008-12-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种凹槽绝缘栅型栅－漏复合场板功率器件及其制作方法，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘介质层(7)、绝缘槽栅(8)、钝化层(9)、栅场板(10)、漏场板(12)和保护层(13)，该漏场板(12)与漏极(5)电气连接，该栅场板(10)与绝缘槽栅(8)电气连接，其中，势垒层上开有凹槽(6)；栅场板与漏场板之间的钝化层上淀积有n个浮空场板(11)。每个浮空场板大小相同且相互独立，且按照等间距的方式分布于栅场板与漏场板之间。n个浮空场板与栅场板和漏场板在钝化层上通过一次工艺完成。本发明具有工艺简单、可靠性强和输出功率高的优点，可制作大功率器件。
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公开(公告)号：CN101414634A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810232521.4
申请日：2008-12-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种凹槽绝缘栅型复合源场板的异质结场效应晶体管，该器件自下而上包括衬底、过渡层、势垒层、源极、漏极、绝缘介质层、绝缘槽栅、钝化层、源场板和保护层，势垒层上开有凹槽，绝缘槽栅位于凹槽上部的绝缘介质层上，源场板位于钝化层的上面，源极与源场板电气连接，其中，源场板与漏极之间的钝化层上淀积有n个浮空场板。这些浮空场板大小相同，相互独立，相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自源场板到漏极方向的个数依次递增。n个浮空场板处于浮空状态，并与源场板在钝化层上一次工艺完成。本发明具有工艺简单、可靠性好、稳定性强、频率特性好和输出功率高的优点，可制作基于III－V族化合物半导体异质结结构的微波功率器件。
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公开(公告)号：CN101414633A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810232518.2
申请日：2008-12-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种凹槽绝缘栅型复合栅场板高电子迁移率器件，该器件自下而上包括衬底、过渡层、势垒层、源极、漏极、绝缘介质层、绝缘槽栅、钝化层、栅场板和保护层，势垒层上开有凹槽，绝缘槽栅位于凹槽上部的绝缘介质层上，栅场板位于钝化层的上面，绝缘槽栅与栅场板电气连接，其中，钝化层上淀积有n个浮空场板。每个浮空场板大小相同，相互独立，相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自栅场板到漏极方向的个数依次递增。n个浮空场板处于浮空状态，并与栅场板在钝化层上通过一次工艺完成。本发明具有工艺简单、可靠性好、频率特性好、稳定性强和击穿电压高的优点，可制作基于III－V族化合物半导体异质结结构的微波功率器件。
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公开(公告)号：CN101414629A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810232547.9
申请日：2008-12-03
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种源场板高电子迁移率晶体管，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、栅极(6)、钝化层(7)、保护层(10)和源场板(8)，该源场板(8)与源极(4)电气连接，其中，钝化层(7)上淀积有n个浮空场板(9)，n≥1，以增大势垒层耗尽区的面积。这些浮空场板与源场板位于同一层钝化层上，每个浮空场板大小相同，相互独立，相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自源场板到漏极方向的个数依次递增。n个浮空场板处于浮空状态，并与源场板在钝化层上一次工艺完成。本发明具有工艺简单、可靠性好和击穿电压高的优点，可制作基于III－V族化合物半导体异质结结构的高频大功率器件。
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公开(公告)号：CN101414626A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810232527.1
申请日：2008-12-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅型栅－漏复合场板功率器件，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘栅极(7)、钝化层(8)、栅场板(9)、漏场板(11)和保护层(12)，该栅场板与绝缘栅极电气连接，该漏场板与漏极电气连接，其中：源极(4)上部和漏极(5)上部，以及势垒层(3)上的其它区域淀积有绝缘介质层(6)；栅场板与漏场板之间的钝化层上淀积有n个浮空场板(10)。每个浮空场板大小相同且相互独立，且按照等间距的方式分布于栅场板与漏场板之间。n个浮空场板与栅场板和漏场板在钝化层上一次工艺完成。本发明具有工艺简单、可靠性强和输出功率高的优点，可制作大功率器件。
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