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公开(公告)号：CN103928501A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410165353.7
申请日：2014-04-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/267 , H01L21/205
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L29/201 , H01L29/205
Abstract: 本发明公开了一种基于m面GaN上的极性InN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性InN纳米线生长中工艺成本高、效率低、方向一致性差的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层1-15nm金属Ti；(2)将有金属Ti的m面GaN衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室内通入氢气与氨气，使m面GaN衬底上的一部分金属Ti氮化形成TiN，并残余一部分未被氮化的金属Ti；(3)向MOCVD反应室中同时通入铟源和氨气，利用未被氮化的金属Ti作为催化剂在TiN层上生长平行于衬底、方向一致的极性InN纳米线。本发明具有成本低，生长速率快，方向一致性好的优点，可用于制作高性能极性InN纳米器件。
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公开(公告)号：CN101478006A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910020968.X
申请日：2009-01-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种基于导通型SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管结构及制作方法，主要解决GaAs基太赫兹耿氏器件输出功率极低的问题。该二极管包括SiC衬底层、AlN成核层和GaN外延层，其中SiC衬底层为n型导通型，掺杂浓度为5×1018cm－3，以保证低阻的导电性。所述的低温AlN成核层厚度为30～50nm，以减小GaN外延层中的位错密度。所述的GaN外延层的下层是掺杂浓度为5×1018cm－3，厚度为1μm的高掺杂n+GaN层；中层是掺杂浓度为1×1017cm－3，厚度为1～3μm的低掺杂n－GaN层；上层是掺杂浓度为5×1018cm－3，厚度为100nm的高掺杂n+GaN层。整个器件制作采用了两次刻蚀过程，实现SiC欧姆接触和GaN欧姆接触两种不同性质的金属化，减小了寄生串联电阻。本发明器件具有输出功率和工作频率高的优点，适用于太赫兹频段工作。
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公开(公告)号：CN114582973A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210116368.9
申请日：2022-02-07
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/205 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种平面掺杂磷化铟基高电子迁移率晶体管及其制备方法，所述晶体管包括：半绝缘InP衬底、未掺杂InAlAs缓冲层、未掺杂InP副沟道、下delta‑doping层、未掺杂InGaAs沟道、未掺杂InAlAs隔离层、上delta‑doping层、未掺杂InAlAs势垒层、n+InGaAs源极帽层、n+InGaAs漏极帽层、源极电极、漏极电极、钝化层和栅极电极。本发明能够提高InP基HEMT的击穿电压，并保持较高的输出特性和截止频率，提高晶体管均匀性和重复性的稳定性，能够满足InP基电子器件在低功耗低噪声、数字电路领域的应用要求。
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公开(公告)号：CN110085682B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201910365950.7
申请日：2019-05-05
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/88 , H01L21/328
Abstract: 本发明提供一种共振隧穿二极管及其制作方法。所述共振隧穿二极管包括依次设置的n型GaN衬底层、n+GaN集电极欧姆接触层、第一GaN隔离层、第一Al、N、Ga、N分层结构混合势垒层、GaN量子阱层、第二Al、N、Ga分层结构混合势垒层、第二GaN隔离层、n+GaN发射极欧姆接触层、环形电极、圆形电极和钝化层；所述Al、N、Ga分层结构混合势垒层包括Al层、N层和Ga层。本发明能够消除随机合金AlGaN势垒中Al组分分布不均造成的漏电现象。
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公开(公告)号：CN109830540B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201811564501.7
申请日：2018-12-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/40 , H01L29/20
Abstract: 本发明涉及一种基于空心阳极结构的肖特基二极管及其制备方法，该方法包括：选取衬底层；在所述衬底层上生长AlN成核层；在所述AlN成核层上生长GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层上生长异质结沟道层；在所述异质结沟道层上形成空心阳极。本发明实施例，通过采用一种基于空心阳极结构及掺杂GaN+/GaN‑结构结合非故意掺杂AlGaN/GaN异质结结构的方法，提高GaN基肖特基二极管的截止频率fC。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111463565A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010187440.8
申请日：2020-03-17
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种太赫兹波阻抗调谐空气介质八木天线及其制作方法，包括衬底层；衬底层正面以引向器金属支撑柱与衬底层连接的引向器金属层；衬底层正面的开关金属层；衬底层正面以信号线金属支撑柱与衬底层连接的信号线金属层；衬底层正面以正面接地金属支撑柱与衬底层连接的正面接地金属层；衬底层背面的背面接地金属层。本发明实施例，能够在有效降低损耗、提高品质因数的同时，解决阻抗调谐以及工艺稳定性方面的问题，以满足太赫兹天线的性能与阻抗设计要求。
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公开(公告)号：CN110698717A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910838649.3
申请日：2019-09-05
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多孔结构介电材料及其制备方法、电容式压力传感器，所述制备方法包括：将一液体金属与一聚合物的液态预聚物按预定比例混合，形成混合溶液；向所述混合溶液中添加固化剂，形成所述液体金属与所述聚合物的液态混合物；将所述液态混合物渗入多孔结构模板中并固化；溶解所述多孔结构模板，形成具有可变介电常数的固态多孔结构介电材料。所述电容式压力传感器包括两个电极板和位于所述两个电极板之间的柔性介电层，其中，所述柔性介电层由所述介电材料制成。该介电材料具有可变的介电常数与良好的柔性；该电容式压力传感器具有较高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN105679838B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201610015393.2
申请日：2016-01-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/15 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种基于AlGaN/GaN异质结多沟道结构的GaN太赫兹肖特基二极管及其制作方法，主要解决现有GaN肖特基二极管掺杂迁移率低，串联电阻大，截止频率低的问题。包括主体部分和辅体部分，主体部分自下而上包括：(1)半绝缘SiC衬底、(2)GaN缓冲层、(3)AlGaN/GaN异质结多沟道层、(4)GaN帽层，辅体部分包括：(5)欧姆接触电极(阴极)、(6)肖特基势垒接触电极(阳极)、(7)空气桥、(8)背金层。其中：AlGaN/GaN异质结多沟道层采用AlGaN/GaN类超晶格结构，该类超晶格有2到6个周期，每个周期中GaN层和AlGaN层的厚度均为10‑20nm，且AlGaN层中的Al组分为30％。本发明能够避免传统的n型掺杂工艺，利用极化形成的多层二维电子气沟道来提高电子迁移率，减小串联电阻，提高截止频率，适用于太赫兹频段工作。
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公开(公告)号：CN105680132B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201610150646.7
申请日：2016-03-16
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波阻抗易调谐空气共面波导结构及其制备方法，该共面波导结构利用空气桥制作技术，实现了以空气介质层作为主要介质层的共面波导结构；同时在空气介质层和碳化硅基片层之间插入开关金属层，并在开关金属层上开有一定尺寸的沟槽Slot。本发明通过采用空气材料作为主要介质层，减小了太赫兹信号传输的损耗和色散，实现了一种高品质因数的共面波导结构，本发明通过采用高阻型碳化硅基片层，针对基于第三代半导体太赫兹器件和电路设计了一种新型传输线结构，通过加入开关金属层减小空气介质层厚度，降低了加工难度，另外调节金属开关层的开槽Slot尺寸，能够使阻抗更易调谐。
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公开(公告)号：CN104393048B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201410658234.5
申请日：2014-11-18
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种介质调制复合交叠栅功率器件，主要解决现有场板技术在实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其包括：衬底(1)、过渡层层(8)和保护层(13)，势垒层(3)上淀积有源极(4)与漏极(5)，钝化层(8)内刻有栅槽(9)与凹槽(10)，其中栅槽靠近源极，凹槽靠近漏极，且栅槽的深度等于钝化层的厚度，凹槽(10)中完全填充有高介电常数介质(11)，在栅槽内、栅槽与漏极之间的钝化层上部及高介电常数介质上部淀积有交叠栅(12)，高介电常数介质与交叠栅构成复合交叠栅。本发明具有工艺简单、击穿电压高、场板效率高、可靠性高和成品率高的优点。(2)、势垒层(3)、台面(6)、绝缘介质层(7)、钝化
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