公开(公告)号：CN113808942A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202110982636.0

申请日：2021-08-25

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 马晓华 ,  芦浩 ,  邓龙格 ,  杨凌 ,  侯斌 ,  陈炽 ,  武玫 ,  张濛 ,  郝跃

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/28 ,  H01L29/45 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种高铝组分氮化物欧姆接触器件及其制备方法，制备方法包括：在衬底层上依次生长成核层、缓冲层、沟道层、插入层和高铝组分氮化物势垒层；刻蚀部分高铝组分氮化物势垒层、部分插入层和部分沟道层直至缓冲层内；在高铝组分氮化物势垒层上形成图形化阵列光刻区域；根据图形化阵列光刻区域刻蚀高铝组分氮化物势垒层形成若干凹槽；分别在源电极区域和漏电极区域的若干凹槽内和高铝组分氮化物势垒层形成源电极和漏电极；在高铝组分氮化物势垒层、源电极和漏电极上生长钝化层；刻蚀栅电极区域的钝化层，在栅电极区域形成栅电极；在栅电极、源电极和漏电极上分别沉积互联金属。本发明工艺简单，制备了低接触电阻率的欧姆接触器件。

公开(公告)号：CN113745324A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110866200.5

申请日：2021-07-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 祝杰杰 ,  马晓华 ,  张颖聪 ,  杨凌 ,  侯斌 ,  郝跃

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/732 ,  H01L29/737 ,  H01L29/76 ,  H01L21/335 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明涉及一种准垂直结构射频器件及制作方法，该器件包括基区、基极、发射区、第一钝化层、第二钝化层和发射极，其中，发射区和第一钝化层形成第二台阶；第二钝化层覆盖第一钝化层的部分表面以形成靠近第一台阶的第一台面，位于第二台阶上的第二钝化层的表面形成发射极台面；基极的底部贯穿第二钝化层且位于基区上，基极的侧面与第二台阶侧面的第二钝化层接触，基极的顶部位于第一台面上且位于发射极台面上。该器件中基极搭上发射极台面，最大限度缩小了基极与发射极台面间横向距离，降低了基极串联总电阻，实现了晶体管工作性能的提升。

公开(公告)号：CN112466925A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011141377.0

申请日：2020-10-22

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 马晓华 ,  杜佳乐 ,  侯斌 ,  芦浩 ,  杨凌 ,  牛雪锐 ,  张新创 ,  贾富春 ,  郝跃

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种低射频损耗的硅基氮化镓射频功率器件及其制备方法，所述制备方法包括：选取电阻率为10Ω.cm‑20000Ω.cm的Si衬底，并根据所述Si衬底的不同电阻率在所述Si衬底的正面生长不同厚度的单晶α‑Al2O3隔离层；在所述单晶α‑Al2O3隔离层上生长AlGaN/GaN异质结外延结构；在所述AlGaN/GaN异质结外延结构上形成源、漏欧姆接触、台面隔离及钝化层，形成栅极以及互连金属，完成器件正面工艺；在对器件正面进行保护的条件下对所述Si衬底的背面进行超深度刻蚀，以暴露栅极与漏极的竖直方向之间区域的所述单晶α‑Al2O3隔离层。本发明通过单晶α‑Al2O3隔离层及硅衬底背面刻蚀工艺来减小硅衬底引入的插入损耗，改善高频漏电情况，能够有效地改善功率附加效率及漏极效率。

公开(公告)号：CN111477690A

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN202010256166.5

申请日：2020-04-02

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 杨凌 ,  侯斌 ,  王军 ,  宓珉瀚 ,  张蒙 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明公开了一种基于P-GaN帽层和叉指结构的横向肖特基二极管及其制备方法，二极管包括衬底，依次位于衬底上的AlN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层、SiN钝化层；阴极，沉积有第一欧姆金属，贯穿SiN钝化层且位于AlGaN势垒层上；阳极包括第一结构(肖特基凹槽结构)和第二结构(混合阳极结构)，第一结构包括P-GaN帽层上方和凹槽内均沉积的若干阳极金属，第二结构包括若干第二欧姆金属，以及P-GaN帽层和若干第二欧姆金属上方均沉积的若干阳极金属，第一结构和第二结构交替分布呈叉指结构。本发明器件阳极采用混合阳极加肖特基凹槽的交叉排列结构，有效避免电子由阳极从缓冲层转移至阴极，提高了器件的反向击穿性能。

公开(公告)号：CN109216331B

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201810811137.3

申请日：2018-07-23

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 马晓华 ,  杨凌 ,  芦浩 ,  祝杰杰 ,  周小伟 ,  侯斌 ,  宓珉翰 ,  郝跃

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/56 ,  H01L29/778 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明涉及一种基于PIN二极管的毫米波预失真集成电路的制作方法，包括步骤：制备AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，测试得到所述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的输入阻抗；制备PIN二极管，使得所述PIN二极管的输出阻抗与所述输入阻抗共轭匹配；键合所述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管和所述PIN二极管，得到预失真集成电路。本发明实施例的预失真集成电路在低频、窄带环境和高频、宽带环境下都可以发挥最佳效应；同时，预失真集成电路可以减小氮化镓基功率放大器的幅度，改善功率放大器的非线性失真。

公开(公告)号：CN107248531B

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201710549523.5

申请日：2017-07-07

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 马晓华 ,  侯斌 ,  季子路 ,  朱青 ,  祝杰杰 ,  杨凌 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/66 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种基于实时监控开栅结构参数的阈值电压可控型GaN基增强型器件的制备方法，主要解决现有技术不能精确控制阈值电压的问题。其制作过程包括：在衬底基片上，自下而上依次生长GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层；在GaN帽层上制作源、漏电极；根据阈值电压的设计要求计算出势垒层剩余厚度和开栅结构的导通电阻；根据计算出的理论值，在源、漏电极之间的AlGaN势垒层上制作相应深度的凹槽；将样品在N2气氛中进行快速热退火；在凹槽上方制作栅电极；在源、漏电极上方制作金属互联，完成器件制作。本发明能够根据实际需求来制备具有特定的阈值电压的器件，可用于高频大功率的集成电路中。

公开(公告)号：CN108807183A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810433594.3

申请日：2018-05-08

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 祝杰杰 ,  马咪 ,  马晓华 ,  侯斌 ,  杨凌

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78606

Abstract: 本发明提供一种MOS器件的制作方法及器件。所述方法包括：制备半导体材料层；在所述半导体材料层上的电极区域制作下电极；在所述半导体材料层上的非电极区域制作阻挡介质层；对所述阻挡层进行氧化处理，使得氧化气氛扩散到所述半导体材料层；在所述阻挡层上生长介质层；在所述介质层上制备上电极。本发明可以减少介质层与半导体之间的界面电荷，改善MOS器件的界面特性和可靠性，提高器件工作稳定性和使用寿命。

公开(公告)号：CN108598000A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201810433595.8

申请日：2018-05-08

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 马晓华 ,  祝杰杰 ,  马咪 ,  杨凌 ,  侯斌

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明提供一种GaN基增强型MISHEMT器件的制作方法及器件。所述方法包括在包含有衬底层、成核层、缓冲层、插入层、势垒层的外延基片上制备源电极和漏电极以及钝化层；在所述钝化层上制备通孔，在所述势垒层上制备凹槽，所述通孔和所述凹槽的开口相连通，形成所述钝化层和所述势垒层的界面；所述界面包括所述钝化层远离所述势垒层的一面、所述通孔的侧壁、所述凹槽的侧壁和所述凹槽的底面；在所述界面上制备阻挡层介质，形成所述介质势垒层界面；对所述阻挡层进行氧化处理，使得氧化气氛扩散到所述介质势垒层界面；在所述阻挡层上生长介质层；在介质层上依次制备栅极、保护层、金属互联。本发明能够改善MISHEMT器件的界面质量。

公开(公告)号：CN107919397A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201711155491.7

申请日：2017-11-20

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 马晓华 ,  张濛 ,  芦浩 ,  杨凌 ,  郝跃

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明公开了一种高线性场效应晶体管器件，主要解决现有FinFET器件栅控能力不均匀的问题。其自上而下包括衬底层(1)、GaN缓冲层(2)和AlGaN势垒层(3)，AlGaN势垒层(3)的两端分别设有源电极(4)和漏电极(5)，源极(4)和漏极(5)之间刻蚀有若干条均匀排列的纳米线沟道，其特征在于纳米线沟道上覆盖有介质层(6)，介质层(6)上设有栅电极(7)，该介质层(6)在竖直方向的厚度为零，在水平方向厚度为1nm-3nm，以使得纳米线沟道在多方向上电容平衡。本发明相较传统器件，减小了短沟道效应和栅极电流泄漏，提高了栅控能力的均匀性，可广泛应用于通讯，卫星导航，雷达系统和基站系统中。

公开(公告)号：CN107248528A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201710429801.3

申请日：2017-06-09

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 杨凌 ,  芦浩 ,  马晓华 ,  康慨 ,  周小伟 ,  宓珉瀚 ,  祝杰杰 ,  郝跃

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种低频率损耗GaN基微波功率器件，自下而上包括衬底层(1)、成核层(2)、缓冲层(3)和势垒层(4)，势垒层的两端分别设有源电极(5)和漏电极(6)，其中源电极(5)与漏电极(6)之间的势垒层上依次设有SiN钝化层(7)和BN钝化层(8)，该两层钝化层的中部刻蚀有开孔，开孔中引出半浮空栅电极(9)。本发明通过采用低介电常数、低电容材料BN与SiN组成复合钝化层，较传统钝化技术相比，减小了栅漏寄生电容和栅源寄生电容，降低了器件的频率损耗，可用于通讯、卫星导航、雷达系统和基站系统中。