公开(公告)号：CN111834455A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010735924.1

申请日：2020-07-28

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 毛维 ,  高北鸾 ,  马佩军 ,  杜鸣 ,  张春福 ,  张金风 ,  周弘 ,  刘志宏 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法，主要解决现有功率开关器件存在阈值电压低和实现高击穿电压时工艺复杂的问题，其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、栅槽(4)、漏槽(5)、P型层(6)、P型漏柱(7)、栅柱(9)、源极(11)、台面(14)、栅极(15)和钝化层(16)。栅柱内部设有N型排柱(8)；栅柱左侧的势垒层内与P型漏柱右侧的势垒层内均设有阵列孔(10)；P型漏柱右侧设有欧姆接触(12)，P型漏柱与欧姆接触共同组成漏极(13)；钝化层上部设有复合板(17)；钝化层和复合板的外围设有保护层(18)。本发明工艺简单、正向阻断与反向阻断好，阈值电压高，可作为开关器件。

公开(公告)号：CN111785787A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN202010733948.3

申请日：2020-07-24

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 朱卫东 ,  张泽阳 ,  张春福 ,  陈大正 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种无电子传输层和空穴传输层钙钛矿太阳能电池及制作方法，包括自下而上依次分布的FTO衬底、FTO电极、PEIE修饰层和钙钛矿光活性层，在钙钛矿光活性层上方设有阳极，在FTO衬底上方设有阴极。其结构中避免了使用有机-无机杂化铅卤钙钛矿材料、有机空穴传输层材料、昂贵的金属电极，同时摒弃了电子传输层；PEIE材料沉积于FTO电极上，该方法可在其表面引入单分子层，在FTO电极与钙钛矿光活性层之间形成了界面偶极子，进而降低了FTO电极表面的功函数，使得FTO电极与CsPbIBr2光活性层的能级更加匹配。极大地抑制了光生载流子间的复合。同时器件的开路电压和填充系数得到了明显的改善。

公开(公告)号：CN111785776A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN202010683643.6

申请日：2020-07-16

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 周弘 ,  燕庆龙 ,  张进成 ,  张春福 ,  许晟瑞 ,  郝跃

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种垂直结构Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，主要解决现有同类器件源漏之间因热扩散产生泄漏电流的问题。其实现为：在清洗后的外延片上淀积SiO2；通过光刻，刻蚀去除部分SiO2，形成待退火区；将刻蚀完成的外延片放入O2环境中退火；之后用HF洗掉剩余的SiO2；在源极区域下方进行浅结的N++Si离子注入并退火；再通过ALD生长Al2O3栅介质；通过光刻刻蚀去掉源极区域Al2O3；光刻形成源极和漏极区域，蒸发源漏电极金属并退火，形成欧姆接触；光刻形成栅极区域并蒸发栅电极金属，完成器件制作。本发明能实现源漏区域的电学隔离，提高了击穿电压和电流，可用于制作氧化镓大功率器件。

公开(公告)号：CN110634861A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910860757.0

申请日：2019-09-11

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张春福 ,  张家祺 ,  武毅畅 ,  陈大正 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8232

Abstract: 本发明公开了基于智能剥离技术的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管，由GaN高电子迁移率晶体管和Si金属氧化物半导体场效应晶体管组合而成，其自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)，AlGaN势垒层的中间刻有隔离槽(4)，以对所组合的两种晶体管进行电气隔离；隔离槽一侧的AlGaN势垒层上设有GaN高电子迁移率晶体管的源、漏、栅电极；隔离槽另一侧的AlGaN势垒层一侧上设有Si有源层(5)；该Si有源层键合到隔离槽一侧的AlGaN势垒层上，形成硅与氮化镓异质集成的单片芯片。本发明降低了制造成本，增强了器件的可靠性，可用于电源转换器及反相器电源控制与转换。

公开(公告)号：CN110610936A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201910860761.7

申请日：2019-09-11

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张春福 ,  张家祺 ,  武毅畅 ,  陈大正 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8232

Abstract: 本发明公开了基于键合的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管，主要解决现有Cascode氮化镓高电子迁移率晶体管不能大面积单片集成的问题。其自上而下包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)，该AlGaN势垒层(3)的中间刻有隔离槽(4)，用于对GaN高电子迁移率晶体管和Si金属氧化物半导体场效应晶体管进行电气隔离；Si有源层(5)印制到隔离槽一侧的AlGaN势垒层(3)上面，形成硅与氮化镓异质集成的单片芯片。本发明可以实现晶圆级制造，增强了器件的可靠性，提高了芯片集成度，可用于电源转换器、反相器进行电源控制与转换的场景。

公开(公告)号：CN110518074A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201910664067.8

申请日：2019-07-23

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 陈大正 ,  张春福 ,  吴艺聪 ,  赵胜雷 ,  张雅超 ,  朱卫东 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/41

Abstract: 本发明公开了一种阴阳极交替的大电流GaN肖特基二极管器件，主要解决现有GaN肖特基二极管器件无法满足更大电流以及更大功率应用需求的问题，其自下而上包括：衬底(1)、高阻Buffer层(2)、AlGaN势垒层(3)、AlN插入层(4)和GaN层(5)；GaN层(5)上设有钝化层(6)和阴极(7)，钝化层(6)和阴极(7)上设有介质层(8)；高阻Buffer层、AlGaN势垒层、AlN插入层、GaN层、钝化层和介质层内贯穿有凹槽(9)，该凹槽上设有阳极(10)，且阴极和阳极采用阳极环与阴极环的同心交替嵌套结构。本发明提高了阳极利用率，增大了电流密度，可用于微波整流、限幅器、功率开关和功率转换电路。

公开(公告)号：CN110224047A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201910465077.9

申请日：2019-05-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张雅超 ,  马德璞 ,  许晟瑞 ,  王学炜 ,  张进成 ,  马佩军 ,  张春福 ,  郝跃

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种基于P型掺杂AlScN/AlScN超晶格势垒层的高效发光二极管及制备方法，主要解决现有p型区空穴注入效率低，量子阱当中存在电子泄漏的问题。其自下而上包括：氧化镓衬底层、高温AlN成核层、n型GaN层，n型GaN层的上面设有电极和工作区层，工作区层的上面依次设有电子阻挡层、p型层和电极，该工作区层包含六个周期AlxGa1-xN/AlyGa1-yN的多量子阱层和一个势垒层，且势垒层采用P型掺杂AlmSc1-mN/AlnSc1-nN超晶格结构，以实现与电子阻挡层间的电子耗尽，本发明减少了电子泄漏，降低了空穴注入势垒，提高了量子阱中空穴浓度，可用来制做高效率的紫外和深紫外发光设备。

公开(公告)号：CN109300996A

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201810893495.3

申请日：2018-08-08

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张春福 ,  陈大正 ,  杜丰羽 ,  张家祺 ,  常晶晶 ,  林珍华 ,  习鹤 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种MSM结构的柔性瞬态硅薄膜光电探测器，主要解决现有光电探测器不能同时满足具有柔性以及瞬态可降解特性的问题。其包括柔性衬底层(1)、粘合层(2)、硅薄膜活性层(3)、欧姆接触层(4)、钝化保护层(5)、光减反层(6)。其中硅薄膜活性层采用n型单晶轻掺薄膜硅；欧姆接触层中设有TiO2插入层，以改善欧姆接触且避免高温工艺对柔性衬底的损害；光减反层采用ZnO种子层与ZnO纳米圆柱线阵列复合结构，实现高减反陷光，拓宽器件的吸收角度，拓展紫外光探测能力，并实现瞬态可降解特性。本发明同时实现了光电探测器的柔性及瞬态特性，可用于紫外天文学、医学、生物学、天际通信、火焰探测以及污染监视。

公开(公告)号：CN109037411A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810846620.5

申请日：2018-07-27

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 许晟瑞 ,  范晓萌 ,  王学炜 ,  郝跃 ,  张进成 ,  李培咸 ,  张春福 ,  马晓华 ,  毕臻 ,  周小伟

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种基于Sn离子注入的氮化物光电转换结构及其制备方法，主要解决现有光电转换结构光吸收效率较低导致太阳能电池效率低的问题。其自下而上包括：衬底(1)、高温AlN成核层(2)、i‑GaN层(3)、n型GaN层(4)、InxGa1‑xN/GaN量子阱层(5)和p型GaN层(6)，其中n型GaN层(4)通过离子注入的方式进行掺杂，注入有剂量为1×1015‑1017cm‑2、能量为100keV的Sn离子。本发明提高了光电转换结构对光的吸收率，进而提高了其效率，可用来制作高效率的太阳能电池。

公开(公告)号：CN105244441B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201510644931.X

申请日：2015-10-08

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 习鹤 ,  吕玲 ,  唐诗 ,  罗莉 ,  马晓华 ,  张春福 ,  郝跃

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种基于四苯乙烯聚合物空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及制备方法，主要解决现有空穴传输材料成本高、载流子迁移率低和性质不稳定的问题。其自下而上包括：衬底(1)、阴极(2)、电子传输层(3)、光活性层(4)、空穴传输层(5)、阳极(6)，其中空穴传输层(5)采用厚度为80～200nm的四苯乙烯‑三苯胺聚合物TPE‑TPA，并通过旋涂TPE‑TPA前驱体溶液的方法来制备空穴传输层。本发明的空穴传输层能有效抑制光活性层与空穴传输层间的紧密接触，减少界面处的载流子复合几率，改善界面特性，有效提高了钙钛矿太阳能电池的性能，可用于光电转化。