公开(公告)号：CN109904227B

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN201910194062.3

申请日：2019-03-14

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王玮 ,  王宏兴 ,  张明辉 ,  林芳 ,  问峰 ,  王艳丰 ,  陈根强 ,  卜忍安

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/47 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种低功函数导电栅极的金刚石基场效应晶体管及其制备方法，包括：金刚石衬底；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有源极和漏极；源极和漏极之间的单晶金刚石外延薄膜上形成有导电沟道；导电沟道上设置有低功函数导电栅极层，低功函数导电栅极层上设置有栅电极；其中，低功函数导电栅极层与导电沟道接触，能够产生达到预设阈值的势垒高度，用于夹断沟道。本发明的金刚石基场效应晶体管，利用肖特基势垒产生的空间电荷区将氢终端金刚石表面产生的二维空穴气完全耗尽，夹断沟道实现常关型器件特性；本发明不会损伤导电沟道的性能，同时能够保证器件源漏之间的电流通过能力。

公开(公告)号：CN109285894B

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN201811075622.5

申请日：2018-09-14

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王玮 ,  王宏兴 ,  问峰 ,  王艳丰 ,  林芳 ,  张明辉 ,  张景文 ,  卜忍安 ,  侯洵

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明公开了一种金刚石基多通道势垒调控场效应晶体管及其制备方法，包括金刚石衬底；在金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有台面区域；单晶金刚石外延薄膜上设置有刻蚀区域；台面区域内设置有多通道沟道区域和刻蚀区域；多通道沟道包括二维空穴气导电层；刻蚀区域包含氧、氟或氮终端；源电极和漏电极处于台面区域的两侧；栅电极设置在源电极和漏电极之间的多通道沟道区域和刻蚀区域上，且栅电极同时设置在单晶金刚石外延薄膜上的刻蚀区域上。本发明的晶体管器件能够获得常关型特性，且不会损伤导电沟道的性能，同时多通道结构也能够保证器件源漏之间的电流通过能力。

公开(公告)号：CN119133182A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411231156.0

申请日：2024-09-04

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王玮 ,  梁月松 ,  陈根强 ,  牛田林 ,  王艳丰 ,  林芳 ,  张明辉 ,  问峰 ,  王宏兴

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种金刚石基CMOS反相器及其制备方法。所述金刚石基CMOS反相器包括金刚石衬底、单晶金刚石薄膜、氢终端区域、台面隔离区域、n型氧化物半导体层、第一源电极、第一漏电极、第二源电极、第二漏电极、第一栅介质层、第一栅电极、第二栅介质层和第二栅电极；第一漏电极和第二漏电极金属互连；第一栅电极和第二栅电极金属互连。本发明通过将p型氢终端金刚石和n型氧化物半导体结合制备获得金刚石基CMOS反相器，有效规避了目前金刚石难以实现n型MOS器件的技术难题，充分发挥了金刚石与n型氧化物半导体各自的优势，实现了高性能金刚石基单片集成CMOS反相器。

公开(公告)号：CN118150660A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410262780.0

申请日：2024-03-07

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张明辉 ,  王宏兴 ,  王玮 ,  吴化雄 ,  问峰 ,  林芳 ,  杜宇翔 ,  张倩文 ,  谢睿 ,  陈根强 ,  王艳丰 ,  张鹏飞

IPC: G01N27/327 ,  G01N27/414

Abstract: 本发明属于生物传感技术领域，公开了一种氨基终端金刚石溶液栅场效应晶体管及其制备方法、应用；其中，所述氨基终端金刚石溶液栅场效应晶体管包括：器件本体、DNA探针和参考电极；器件本体包括：氢终端金刚石衬底、源电极、漏电极和绝缘层；源电极和漏电极之间的氢终端金刚石衬底区域形成氨基终端金刚石表面；DNA探针修饰有羧基终端，与氨基终端金刚石表面的酰胺键共价偶联；DNA探针用于与miRNA‑24‑3p杂交。本发明公开了可用于miRNA‑24‑3p检测的基于共价偶联的氨基终端金刚石溶液栅场效应晶体管，具有固定化密度高、固定化效率高以及不易脱落等特点。

公开(公告)号：CN115863436A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211600276.4

申请日：2022-12-12

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王玮 ,  梁月松 ,  牛田林 ,  熊义承 ,  陈根强 ,  冯永昌 ,  方培杨 ,  王艳丰 ,  林芳 ,  张明辉 ,  问峰 ,  卜忍安 ,  王宏兴 ,  侯洵

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明公开了一种金刚石场效应晶体管及其制备方法，所述金刚石场效应晶体管包括：金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、源电极、漏电极、应力调控薄膜和栅电极；金刚石衬底上设置有单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有氢终端区域和氧终端区域，氢终端区域为由二维空穴气导电层构成的沟道区域；沟道区域的两端分别设置有源电极和漏电极；源电极、漏电极以及未设置源漏电极的沟道区域上设置有应力调控薄膜；栅电极设置于应力调控薄膜和氧终端区域上。本发明引入了应力调控薄膜；基于应力调控薄膜，通过应力调控能够增强载流子迁移率，且不会损伤导电沟道的性能。

公开(公告)号：CN113430640B

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202110698287.X

申请日：2021-06-23

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 魏强 ,  林芳 ,  张晓凡 ,  王若铮 ,  陈根强 ,  王宏兴

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/04 ,  C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C14/16

Abstract: 本发明公开了一种利用Pt系金属作为Ir缓冲层制备异质外延单晶金刚石的方法，包括如下步骤：步骤一、在异质外延衬底上制备出Pt系金属(001)取向薄膜；步骤二、在步骤一中的Pt系金属(001)取向薄膜上外延生长Ir(001)取向薄膜；步骤三、在步骤二中的Ir(001)取向薄膜上制备出(001)方向的金刚石核；步骤四、将步骤三中的(001)方向的金刚石核在MP‑CVD中外延生长，得到连续(001)方向的金刚石薄膜。该制备方法中，利用Pd作为Ir与衬底之间的缓冲层缓冲层，可以有效降低Ir薄膜的应力，解决了Ir薄膜容易脱落和断裂的问题。

公开(公告)号：CN110797399A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201910943294.4

申请日：2019-09-30

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王玮 ,  王宏兴 ,  林芳 ,  问峰 ,  张明辉 ,  陈根强

IPC: H01L29/45 ,  H01L21/28 ,  H01L33/40 ,  H01S5/042

Abstract: 本发明公开了一种低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触电极及其制备方法和应用，包括：p-GaN材料层，所述p-GaN材料层形成有重掺杂p-GaN层；所述重掺杂p-GaN层上形成有底层接触金属层，所述底层接触金属层上形成有上层盖帽金属层；其中，重掺杂p-GaN层为Mg离子注入层，Mg离子浓度≥1×1019cm-3。本发明的p-GaN欧姆接触电极，具有低比接触电阻率的欧姆接触特性。