公开(公告)号：CN117525109A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202210887598.5

申请日：2022-07-26

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王明湘 ,  刘敏 ,  周国澳 ,  张冬利 ,  王槐生

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

Abstract: 本申请公开了一种具有阻隔区的场效应晶体管器件，用于解决现有技术场效应晶体管短沟道效应的问题，该场效应晶体管器件包括有源层，该有源层包括源极区域、漏极区域以及位于源极区域和漏极区域之间的沟道区域；当器件开启时，沟道区域内形成有有效沟道以及至少在沟道区域的厚度方向上远离有效沟道的等效源区和等效漏区，该场效应晶体管器件通过有效沟道、以及等效源区和等效漏区连通源极区域和漏极区域以贡献工作电流，其中，该场效应晶体管还包括载流子阻隔区，在与有效沟道长度方向垂直的平面上，等效源区和等效漏区的垂直投影位于载流子阻隔区的垂直投影之内。

公开(公告)号：CN114419872A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202111677769.3

申请日：2021-12-31

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王槐生 ,  何心怡 ,  华国栋

IPC: G08G1/005 ,  G08G1/16 ,  G08G1/01

Abstract: 本发明涉及一种盲人智能道路交通引导系统，盲杖子系统包括盲杖设备，在盲杖设备上部署第一通信模块，利用第一通信模块发送用户数据；道路子系统包括路侧设备，在路侧设备上部署第二通信模块和智能感知模块，利用智能感知模块采集用户数据，并对获取的数据进行识别，在识别到盲杖设备进入到路侧设备的感应范围内后，获取用户数据，同时路侧设备将用户数据转发至中心子系统；中心子系统包括控制平台，在控制平台上部署第三通信模块，利用第三通信模块接收用户数据，将用户数据转发至车辆的车载终端，通过车载终端对驾驶员进行提醒，同时向第一通信模块发送周围车辆信息的提示。本发明通过路侧设备与盲杖设备的相互通信，实现盲人智能道路交通引导。

公开(公告)号：CN113363323A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202010149102.5

申请日：2020-03-05

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王明湘 ,  赵金凤 ,  张冬利 ,  王槐生

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明提供了一种单栅场效应晶体管器件及其电流调控方法，以解决现有技术中单栅场效应晶体管器件的驱动电流不能有效提升，无法满足应用需求的问题。该场效应晶体管包括有源层、形成于有源层两侧的源极区域和漏极区域、以及位于源极区域和漏极区域之间沟道区域；其中，场效应晶体管器件被设置成：在器件关闭时，于沟道区域中自发形成耗尽型的第二沟道，且第二沟道不连通所述源极区域和漏极区域；在器件开启时，于沟道区域中形成第二沟道以及与第二沟道同极性的第一沟道；且第一沟道和第二沟道的至少其中之一对其中另一注入载流子，以使源漏连通并且第二沟道的载流子贡献器件的开启电流。

公开(公告)号：CN110210123A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201910467871.7

申请日：2019-05-31

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王明湘 ,  陈言言 ,  张冬利 ,  王槐生

IPC: G06F17/50

Abstract: 本申请公开了一种SOI器件的kink电流计算方法和装置，用以解决现有技术中kink电流计算不精准，不适合电路仿真的问题。该方法包括：分别获取SOI器件的碰撞离化作用因子、寄生晶体管作用因子、以及漏端饱和电流；根据碰撞离化作用因子、寄生晶体管作用因子、以及漏端饱和电流，计算SOI器件的kink电流。

公开(公告)号：CN103943685A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410184090.4

申请日：2014-05-04

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张冬利 ,  王明湘 ,  王槐生

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/786 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明涉及的是一种新型薄膜晶体管结构，其包括绝缘衬底、源区、漏区、连接源区和漏区的有源岛、覆盖在有源岛上的绝缘层以及设置在绝缘层上的栅电极；有源岛上设置有沟道区以及与源漏导电类型相反的载流子输运区。本发明通过增加一个与源漏导电类型相反的载流子输运区，连接源区、漏区和沟道区，可以有效将由热载流子效应产生并扩散至沟道内的载流子由源/漏端的金属接触转移走，从而可以尽量减少体电位的变化引起的器件性能的不稳定性。

公开(公告)号：CN103730514A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201410030048.7

申请日：2014-01-23

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王明湘 ,  王槐生 ,  张冬利

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78618 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7839 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/0607

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括衬底、半导体沟道区、栅绝缘层、源区、漏区、源极、漏极及栅极，所述薄膜晶体管还包括用于向半导体沟道区提供空穴或电子的载流子注入结构。本发明涉及的薄膜晶体管可以显著降低动态热载流子效应造成的器件退化和阈值电压漂移，提高薄膜晶体管器件和电路的可靠性，并简化了阈值电压补偿电路设计的复杂性，另外，本发明的薄膜晶体管工艺难度低并且对器件正常工作无影响。