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公开(公告)号：CN100347827C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN03800709.6
申请日：2003-02-20
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: B24B53/017 , B24B7/228 , B24B37/04 , B24B37/044 , B24B49/12 , B24B53/02 , C09G1/00 , H01L21/31053
Abstract: 本发明涉及利用固定磨粒研磨半导体晶片等研磨对象物的抛光方法及研磨液。本发明的抛光方法，将研磨对象物压紧到固定磨粒上，边使之滑动边进行研磨，其特征在于，边供应含有阴离子系界面活性剂且不含磨粒的研磨液，边研磨上述研磨对象物，上述研磨液的pH为4至6.5，上述研磨液中的阴离子系界面活性剂的浓度为0.001重量%至0.15重量%。
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公开(公告)号：CN1249132C
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN03127287.8
申请日：2003-09-30
Applicant: 花王株式会社
IPC: C08J5/14
Abstract: 本发明提供能够高速研磨硅、玻璃、氧化物、氮化物、金属等被研磨底材和被加工膜，而且很少发生刮痕的研磨液组合物，使用该研磨液组合物的被研磨底材的研磨方法以及使用该研磨液组合物提高被研磨底材研磨速度的方法。研磨液组合物，在水系介质中含有聚合物粒子以及无机粒子，该无机粒子的平均粒径为5-170nm，而且上述聚合物粒子的平均粒径Dp(nm)和上述无机粒子的平均粒径Di(nm)满足下式(1)：Dp≤Di+50nm，使用该研磨液组合物研磨被研磨底材的被研磨底材的研磨方法，以及使用上述研磨液组合物提高被研磨底材研磨速度的方法。
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公开(公告)号：CN1613607A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410078477.8
申请日：2004-09-09
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: B24B37/048 , B24B37/00 , C09G1/02
Abstract: 本发明提供一种磁盘用研磨液试剂盒，其包含：含有氧化铝的浆料(A)、含有氧化剂的氧化剂液(B)、和含有酸的酸剂液(C)。另一种磁盘用研磨液试剂盒，其包含：含有氧化铝的浆料(A)、和含有氧化剂和无机酸的添加剂液(D)。又一种磁盘用研磨液试剂盒，其包含：含有氧化铝的浆料(A)、和含有酸的酸剂液(C)，并且与含有氧化剂的氧化剂液(B)一起使用。本发明的磁盘用研磨液试剂盒可以适宜地用于制造高品质的硬盘等磁盘基板。
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公开(公告)号：CN1519293A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200410004018.5
申请日：2004-02-05
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 一种记忆硬盘用基板用的研磨液组合物，包含在水基介质中的硅石微粒，其中所述硅石微粒满足用透射型电子显微镜(TEM)观察测定得到的该硅石微粒的数基平均粒径与数基标准偏差之间的特定关系，且其中在该硅石微粒的粒径60～120nm范围内累积体积频度与粒径之间满足一种特定关系；一种记忆硬盘用基板的微小起伏降低方法，包含用该研磨液组合物对记忆硬盘用基板进行研磨的步骤；一种记忆硬盘用基板的制造方法，包含用该研磨液组合物对镀Ni－P的记忆硬盘用基板进行研磨的步骤；该方法适合用于记忆硬盘用基板等精密部件用基板的制造。
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公开(公告)号：CN1517424A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200310124746.5
申请日：2003-12-26
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , C08K3/36 , H01L21/31053
Abstract: 本发明提供在水系介质中含有二氧化硅粒子、聚合物粒子和阳离子型化合物的研磨液组合物，使用该研磨液组合物的精密部件用基片的研磨方法，使用前述的研磨液组合物的精密部件用基片的平整化方法，具有使用前述研磨液组合物(第1研磨液组合物)在研磨负荷50～1000hPa下进行研磨的第1工序，和使用在水系介质中含有二氧化硅粒子的第2研磨液组合物在研磨负荷50～1000hPa下进行研磨的第2工序的精密部件用基片的平整化方法。前述的研磨液组合物，例如在平整形成薄膜的表面上具有凹凸的半导体基片时有用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1475542A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN03152478.8
申请日：2003-07-31
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 一种研磨液组合物，含有0.03－0.5重量％的有机酸或其盐、研磨材和水，且该研磨材的表面电位为－140～200mV；一种倒棱降低剂，其由具有控制研磨液组合物中的研磨材表面电位的特性的无机化合物构成，在制备含有研磨材(用α型的刚玉晶体构成的Al2O3纯度为98.0重量％以上的高纯度氧化铝)20重量份、柠檬酸1重量份、水78重量份及无机化合物1重量份而成的基准研磨液组合物的场合，通过该无机化合物的存在，该基准研磨液组合物中的研磨材的表面电位被控制在－110～250mV。该研磨液组合物或倒棱降低剂组合物可很好地用于精密部件用基板的研磨。
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公开(公告)号：CN1325933A
公开(公告)日：2001-12-12
申请号：CN01117604.0
申请日：2001-04-27
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种辗轧减少剂,它含有一种或多种选自具有2－20个碳原子并具有OH基团(一个或多个)或SH基团(一个或多个)的羧酸、具有1－20个碳原子的单羧酸、具有2－3个碳原子的二羧酸及其盐的化合物;和一种辗轧减少剂组合物,它含有一种辗轧减少剂,该辗轧减少剂含有一种或多种选自具有2－20个碳原子并具有OH基团(一个或多个)或SH基团(一个或多个)的羧酸、具有1－20个碳原子的单羧酸、具有2－3个碳原子的二羧酸及其盐的化合物和研磨剂及水。
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公开(公告)号：CN101240159B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200810082982.8
申请日：2003-12-26
Applicant: 花王株式会社
Abstract: 一种存储硬盘用基板的研磨液组合物，含有水和二氧化硅粒子，其中二氧化硅粒子具有如下的粒径分布，其中，粒径(R)和累积体积频率(V)的关系满足式(1)和式(2)，该关系体现在粒径一累积体积频率的图中，该图通过绘制二氧化硅粒子的累积体积频率(％)来得到，该二氧化硅粒子的累积体积频率通过相对于二氧化硅粒子的粒径(nm)的小粒径一侧来计算；并且其中，在90％的累积体积频率(D90)的粒径为大于等于65nm并且小于105nm。通过使用本发明的研磨组合物，可以有效制备镀Ni-P的磁盘用基板，该基板磨后具有良好的表面光滑性，其中，微凹坑被有效减少。
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公开(公告)号：CN101240159A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810082982.8
申请日：2003-12-26
Applicant: 花王株式会社
Abstract: 一种存储硬盘用基板的研磨液组合物，含有水和二氧化硅粒子，其中二氧化硅粒子具有如下的粒径分布，其中，粒径(R)和累积体积频率(V)的关系满足式(1)和式(2)，该关系体现在粒径一累积体积频率的图中，该图通过绘制二氧化硅粒子的累积体积频率(％)来得到，该二氧化硅粒子的累积体积频率通过相对于二氧化硅粒子的粒径(nm)的小粒径一侧来计算；并且其中，在90％的累积体积频率(D90)的粒径为大于等于65nm并且小于105nm。通过使用本发明的研磨组合物，可以有效制备镀Ni－P的磁盘用基板，该基板磨后具有良好的表面光滑性，其中，微凹坑被有效减少。
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公开(公告)号：CN100387673C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200310124681.4
申请日：2003-12-26
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02
Abstract: 一种存储硬盘用基板的研磨液组合物，含有水和二氧化硅粒子，其中二氧化硅粒子具有如下的粒径分布，其中，粒径(R)和累积体积频率(V)的关系满足式(1)和式(2)，该关系体现在粒径一累积体积频率的图中，该图通过绘制二氧化硅粒子的累积体积频率(%)来得到，该二氧化硅粒子的累积体积频率通过相对于二氧化硅粒子的粒径(nm)的小粒径一侧来计算；并且其中，在90%的累积体积频率(D90)的粒径为大于等于65nm并且小于105nm。通过使用本发明的研磨组合物，可以有效制备镀Ni-P的磁盘用基板，该基板磨后具有良好的表面光滑性，其中，微凹坑被有效减少。
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