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公开(公告)号：CN1948418B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200610141662.6
申请日：2006-10-09
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , C03C19/00 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供了半导体基板用研磨液组合物，其含有二羟基乙基甘氨酸、二氧化铈粒子、分散剂和水性介质，该研磨液组合物中的二氧化铈粒子的含量为2～22重量％，分散剂的含量为0.001～1.0重量％。本发明还提供了使用该研磨液组合物的半导体基板的研磨方法以及具有利用该研磨方法进行研磨的工序的半导体装置的制造方法。该研磨液组合物例如可应用于嵌入元件分离工序、层间绝缘膜的平坦化工序、嵌入金属布线的形成工序、嵌入电容器形成工序等，特别适用于嵌入元件分离膜的形成工序和层间绝缘膜的平坦化工序，优选用于存储器IC、逻辑IC、或者系统LSI等半导体装置的制造。
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公开(公告)号：CN1782013B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200510125382.1
申请日：2005-11-16
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及半导体基板用研磨液组合物，其含有选自丝氨酸、半胱氨酸和二羟基乙基甘氨酸之中的至少1种的氨基酸、二氧化铈粒子和水性介质；涉及半导体基板的研磨方法，其具有使用该研磨液组合物研磨半导体基板的工序；还涉及半导体装置的制造方法，其具有如下工序，该工序是在所述研磨液组合物的存在下，在表面形成有包含硅且具有凹凸形状的膜的半导体基板上，以5～100kPa的研磨载荷按压研磨垫来进行研磨。
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公开(公告)号：CN103270129A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180062469.2
申请日：2011-12-21
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , G11B5/8404
Abstract: 提供一种研磨液组合物的制造方法，其能够减少研磨后的被研磨物的划痕及颗粒。一种研磨液组合物的制造方法，其包括用进行过滤的过滤器对含有一次粒子的平均粒径为1～100nm的胶态二氧化硅的二氧化硅粒子分散液进行过滤处理，其中，前述进行过滤的过滤器含有用分子内具有9～200个阳离子性基团的多元胺化合物进行了阳离子化处理的硅藻土。
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公开(公告)号：CN101568615A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200780047959.9
申请日：2007-12-28
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , B24B7/241 , B24B37/044 , C01F17/0043 , C01G25/00 , C01G25/02 , C01P2002/50 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/304 , H01L21/31053
Abstract: 本发明提供一种研磨液组合物，其含有包含铈和锆的复合氧化物粒子、分散剂和水系介质，其中，在通过照射CuKα1射线(λ＝0.154050nm)而获得的所述复合氧化物粒子的粉末X射线衍射光谱中，分别存在下述峰：顶点在衍射角2θ(θ为布拉格角)为28.61～29.67°的范围内的峰(第1峰)；顶点在衍射角2θ为33.14～34.53°的范围内的峰(第2峰)；顶点在衍射角2θ为47.57～49.63°的范围内的峰(第3峰)；以及顶点在衍射角2θ为56.45～58.91°的范围内的峰(第4峰)，并且，所述第1峰的半峰宽为0.8°以下。
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公开(公告)号：CN1948418A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610141662.6
申请日：2006-10-09
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , C03C19/00 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供了半导体基板用研磨液组合物，其含有二羟基乙基甘氨酸、二氧化铈粒子、分散剂和水性介质，该研磨液组合物中的二氧化铈粒子的含量为2～22重量％，分散剂的含量为0.001～1.0重量％。本发明还提供了使用该研磨液组合物的半导体基板的研磨方法以及具有利用该研磨方法进行研磨的工序的半导体装置的制造方法。该研磨液组合物例如可应用于嵌入元件分离工序、层间绝缘膜的平坦化工序、嵌入金属布线的形成工序、嵌入电容器形成工序等，特别适用于嵌入元件分离膜的形成工序和层间绝缘膜的平坦化工序，优选用于存储器IC、逻辑IC、或者系统LSI等半导体装置的制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103119122A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201180045169.3
申请日：2011-09-21
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供能够减少研磨后的被研磨物的表面粗糙度及颗粒的研磨液组合物的制造方法。本发明涉及研磨液组合物的制造方法，其具有如下工序：将含有一次粒子的平均粒径为1～100nm的胶态二氧化硅的被处理二氧化硅分散液，用包含过滤助剂的过滤器进行过滤处理的工序，其中，利用汞压入法测定的所述过滤助剂的平均细孔径为0.1～3.5μm。
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公开(公告)号：CN1497010A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN03127287.8
申请日：2003-09-30
Applicant: 花王株式会社
IPC: C08J5/14
Abstract: 本发明提供能够高速研磨硅、玻璃、氧化物、氮化物、金属等被研磨底材和被加工膜，而且很少发生刮痕的研磨液组合物，使用该研磨液组合物的被研磨底材的研磨方法以及使用该研磨液组合物提高被研磨底材研磨速度的方法。研磨液组合物，在水系介质中含有聚合物粒子以及无机粒子，该无机粒子的平均粒径为5－170nm，而且上述聚合物粒子的平均粒径Dp(nm)和上述无机粒子的平均粒径Di(nm)满足下式(1)：Dp≤Di+50nm，使用该研磨液组合物研磨被研磨底材的被研磨底材的研磨方法，以及使用上述研磨液组合物提高被研磨底材研磨速度的方法。
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公开(公告)号：CN103119122B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201180045169.3
申请日：2011-09-21
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供能够减少研磨后的被研磨物的表面粗糙度及颗粒的研磨液组合物的制造方法。本发明涉及研磨液组合物的制造方法，其具有如下工序：将含有一次粒子的平均粒径为1～100nm的胶态二氧化硅的被处理二氧化硅分散液，用包含过滤助剂的过滤器进行过滤处理的工序，其中，利用汞压入法测定的所述过滤助剂的平均细孔径为0.1～3.5μm。
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公开(公告)号：CN1286939C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN03155318.4
申请日：2003-08-27
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: H01L21/02024 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明提供，一种含有水系介质和研磨粒子的研磨液组合物，粒径在2～200nm范围的研磨粒子，其含量为50体积%以上，且研磨粒子中粒径在2nm以上且小于58nm的粒子，粒径在58nm以上且小于75nm的粒子，粒径在75nm至200nm的粒子分别占研磨粒子总量的40～75体积%，0～50体积%，10～60体积%；一种含有水系介质和研磨粒子的研磨液组合物，其中平均粒径为2～50nm的研磨粒子组A和平均粒径为52～200nm的研磨粒子组B的重量比A/B为0.5/1～4.5/1；使用该研磨液组合物的研磨方法、半导体基板的平坦化方法及半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN1782013A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510125382.1
申请日：2005-11-16
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及半导体基板用研磨液组合物，其含有选自丝氨酸、半胱氨酸和二羟基乙基甘氨酸之中的至少1种的氨基酸、二氧化铈粒子和水性介质；涉及半导体基板的研磨方法，其具有使用该研磨液组合物研磨半导体基板的工序；还涉及半导体装置的制造方法，其具有如下工序，该工序是在所述研磨液组合物的存在下，在表面形成有包含硅且具有凹凸形状的膜的半导体基板上，以5～100kPa的研磨载荷按压研磨垫来进行研磨。
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