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公开(公告)号：CN103119122A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201180045169.3
申请日：2011-09-21
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供能够减少研磨后的被研磨物的表面粗糙度及颗粒的研磨液组合物的制造方法。本发明涉及研磨液组合物的制造方法，其具有如下工序：将含有一次粒子的平均粒径为1～100nm的胶态二氧化硅的被处理二氧化硅分散液，用包含过滤助剂的过滤器进行过滤处理的工序，其中，利用汞压入法测定的所述过滤助剂的平均细孔径为0.1～3.5μm。
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公开(公告)号：CN103119122B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201180045169.3
申请日：2011-09-21
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供能够减少研磨后的被研磨物的表面粗糙度及颗粒的研磨液组合物的制造方法。本发明涉及研磨液组合物的制造方法，其具有如下工序：将含有一次粒子的平均粒径为1～100nm的胶态二氧化硅的被处理二氧化硅分散液，用包含过滤助剂的过滤器进行过滤处理的工序，其中，利用汞压入法测定的所述过滤助剂的平均细孔径为0.1～3.5μm。
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公开(公告)号：CN102209765B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN200980144360.6
申请日：2009-11-04
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , B24B29/00 , B24B37/044 , B24B37/048 , C01B33/14 , C03C19/00 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , G11B5/8404
Abstract: 本发明提供一种能够在不损害生产率的情况下减少研磨后的基板的划痕和表面粗糙度的磁盘基板用研磨液组合物、以及使用了该研磨液组合物的磁盘基板的制造方法。本发明涉及一种磁盘基板用研磨液组合物，其含有ΔCV值为0～10％的胶体二氧化硅和水，所述ΔCV值是CV30与CV90之差的值(ΔCV＝CV30-CV90)，所述CV30是将从采用动态光散射法在30°的检测角测得的散射强度分布得到的标准偏差除以根据所述散射强度分布得到的平均粒径再乘以100后得到的值，所述CV90是将从在90°的检测角测得的散射强度分布得到的标准偏差除以根据所述散射强度分布得到的平均粒径再乘以100后得到的值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103270129A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180062469.2
申请日：2011-12-21
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , G11B5/8404
Abstract: 提供一种研磨液组合物的制造方法，其能够减少研磨后的被研磨物的划痕及颗粒。一种研磨液组合物的制造方法，其包括用进行过滤的过滤器对含有一次粒子的平均粒径为1～100nm的胶态二氧化硅的二氧化硅粒子分散液进行过滤处理，其中，前述进行过滤的过滤器含有用分子内具有9～200个阳离子性基团的多元胺化合物进行了阳离子化处理的硅藻土。
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公开(公告)号：CN119836491A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202380064697.6
申请日：2023-09-06
Applicant: 花王株式会社
Abstract: 在一个方式中，本发明提供一种蚀刻液组合物的制造方法，其可抑制向容器填充时的滴液。在一个方式中，本发明涉及一种蚀刻液组合物的制造方法，其中，上述蚀刻液组合物是用于对形成于基板上的金属膜进行蚀刻的蚀刻液组合物，该蚀刻液组合物的制造方法包括使用具有吐出蚀刻液组合物的填充口的填充喷嘴将上述蚀刻液组合物填充至容器中的工序，上述蚀刻液对于上述填充喷嘴的填充口的材料的后退接触角为60°以上，且前进接触角与后退接触角的比(前进接触角/后退接触角)为1.4以下。
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公开(公告)号：CN117223092A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202280029695.9
申请日：2022-04-22
Applicant: 花王株式会社
Inventor： 佐藤宽司
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明在一个方式中提供一种可抑制蚀刻工序中生成的二氧化硅析出、附着于氧化硅膜的蚀刻液。本发明在一个方式中涉及一种蚀刻液，其是用于从具有氮化硅膜及氧化硅膜的基板去除氮化硅膜的工序的蚀刻液，其含有由具有亚烷基氧基的化合物修饰的硅氧烷化合物、磷酸、及水。
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公开(公告)号：CN103270129B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201180062469.2
申请日：2011-12-21
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , G11B5/8404
Abstract: 提供一种研磨液组合物的制造方法，其能够减少研磨后的被研磨物的划痕及颗粒。一种研磨液组合物的制造方法，其包括用进行过滤的过滤器对含有一次粒子的平均粒径为1～100nm的胶态二氧化硅的二氧化硅粒子分散液进行过滤处理，其中，前述进行过滤的过滤器含有用分子内具有9～200个阳离子性基团的多元胺化合物进行了阳离子化处理的硅藻土。
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公开(公告)号：CN102209765A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200980144360.6
申请日：2009-11-04
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , B24B29/00 , B24B37/044 , B24B37/048 , C01B33/14 , C03C19/00 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , G11B5/8404
Abstract: 本发明提供一种能够在不损害生产率的情况下减少研磨后的基板的划痕和表面粗糙度的磁盘基板用研磨液组合物、以及使用了该研磨液组合物的磁盘基板的制造方法。本发明涉及一种磁盘基板用研磨液组合物，其含有ΔCV值为0～10％的胶体二氧化硅和水，所述ΔCV值是CV30与CV90之差的值(ΔCV＝CV30-CV90)，所述CV30是将从采用动态光散射法在30°的检测角测得的散射强度分布得到的标准偏差除以根据所述散射强度分布得到的平均粒径再乘以100后得到的值，所述CV90是将从在90°的检测角测得的散射强度分布得到的标准偏差除以根据所述散射强度分布得到的平均粒径再乘以100后得到的值。
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