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公开(公告)号：CN102533220A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110411215.9
申请日：2011-12-12
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: G11B5/8404 , B24B37/044 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供一种磁盘基板用研磨液组合物及使用该组合物的磁盘基板的制造方法，所述磁盘基板用研磨液组合物可以在不损伤生产率的情况下减少残留无机粒子及划痕。所述磁盘基板用研磨液组合物含有无机粒子、二烯丙基胺聚合物、酸及水，其中，所述二烯丙基胺聚合物具有选自下述通式(I-a)、(I-b)、(I-c)及(I-d)所示的结构单元中的1种以上结构单元，研磨液组合物中的所述二烯丙基胺聚合物的含量为0.008～0.100重量％。
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公开(公告)号：CN102533220B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201110411215.9
申请日：2011-12-12
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: G11B5/8404 , B24B37/044 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供一种磁盘基板用研磨液组合物及使用该组合物的磁盘基板的制造方法，所述磁盘基板用研磨液组合物可以在不损伤生产率的情况下减少残留无机粒子及划痕。所述磁盘基板用研磨液组合物含有无机粒子、二烯丙基胺聚合物、酸及水，其中，所述二烯丙基胺聚合物具有选自下述通式(I-a)、(I-b)、(I-c)及(I-d)所示的结构单元中的1种以上结构单元，研磨液组合物中的所述二烯丙基胺聚合物的含量为0.008～0.100重量％。
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公开(公告)号：CN119836491A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202380064697.6
申请日：2023-09-06
Applicant: 花王株式会社
Abstract: 在一个方式中，本发明提供一种蚀刻液组合物的制造方法，其可抑制向容器填充时的滴液。在一个方式中，本发明涉及一种蚀刻液组合物的制造方法，其中，上述蚀刻液组合物是用于对形成于基板上的金属膜进行蚀刻的蚀刻液组合物，该蚀刻液组合物的制造方法包括使用具有吐出蚀刻液组合物的填充口的填充喷嘴将上述蚀刻液组合物填充至容器中的工序，上述蚀刻液对于上述填充喷嘴的填充口的材料的后退接触角为60°以上，且前进接触角与后退接触角的比(前进接触角/后退接触角)为1.4以下。
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公开(公告)号：CN116964719A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202180095498.2
申请日：2021-10-15
Applicant: 花王株式会社
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明在一个方式中提供一种蚀刻液组合物，其能够减少蚀刻不均。本发明在一个方式中涉及一种蚀刻液组合物，其用于对含有至少1种金属的被蚀刻层进行蚀刻，上述蚀刻液组合物含有蚀刻抑制剂、至少包含硝酸的酸、及水，且pH值为1以下，上述蚀刻抑制剂是选自聚亚烷基亚胺及含有源自二烯丙胺的结构单元的聚合物中的至少1种含氮化合物。
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