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公开(公告)号：CN1513931A
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN200310124640.5
申请日：2003-12-25
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种抛光液组合物，其为含有水和硅石粒子的、用于存储器硬盘所用基板的抛光液组合物，对通过透射式电子显微镜(TEM)观察前述硅石粒子测定得到的该硅石粒子的粒径(nm)从小粒径侧开始的累积体积频率(％)进行绘图得到的该硅石粒子的粒径对累积体积频率图中，粒径40～100nm范围内的累积体积频率(V)相对于粒径(R)满足下式(1)：V≥0.5×R+40(1)。本发明的抛光液组合物特别适用于存储器硬盘所用基板等精密元件用基板的制造。
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公开(公告)号：CN1781971A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510125376.6
申请日：2005-11-16
Applicant: 花王株式会社
IPC: C08J5/14
CPC classification number: B24B37/042
Abstract: 本发明提供一种研磨液组合物，其含有有机氮化合物、有机多元酸、研磨材料和水，其中有机氮化合物在分子内具有两个或更多个氨基或亚氨基，或者在分子内具有1个或多个氨基以及1个或多个亚氨基；以及提供使用该研磨液组合物的基板的制造方法和基板表面污染的减少方法。该研磨液组合物例如可以适用于存储硬盘等硬盘用基板的制造工序。
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公开(公告)号：CN100529008C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200510085991.9
申请日：2005-07-21
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14
Abstract: 本发明涉及研磨液组合物及研磨粒子调配液，含有研磨材料和水，pH值为0.1～7，且满足以下条件：(1)在每1cm3的研磨液组合物或研磨粒子调配液中，大于等于0.56μm但不足1μm的研磨粒子为500000个或以下，(2)大于等于1μm的研磨粒子相对于研磨液组合物或研磨粒子调配液中的所有研磨粒子为0.001重量%或以下；涉及研磨液组合物及研磨粒子调配液的制造方法，具有以下精制工序：(I)用深层型过滤器过滤精制前的研磨液组合物或研磨粒子调配液而得到中间过滤物，(II)用褶皱型过滤器过滤中间过滤物而得到研磨液组合物或研磨粒子调配液，其中在工序I中，过滤器入口压力的波动幅度为50kPa或以下；涉及基板的制造方法，其具有使用研磨液组合物并通过研磨机研磨基板的工序。
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公开(公告)号：CN100404634C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200310124640.5
申请日：2003-12-25
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种抛光液组合物，其为含有水和硅石粒子的、用于存储器硬盘所用基板的抛光液组合物，对通过透射式电子显微镜(TEM)观察前述硅石粒子测定得到的该硅石粒子的粒径(nm)从小粒径侧开始的累积体积频率(%)进行绘图得到的该硅石粒子的粒径对累积体积频率图中，粒径40～100nm范围内的累积体积频率(V)相对于粒径(R)满足下式(1)：V≥0.5×R+40(1)。本发明的抛光液组合物特别适用于存储器硬盘所用基板等精密元件用基板的制造。
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公开(公告)号：CN1733861A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510085991.9
申请日：2005-07-21
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14
Abstract: 本发明涉及研磨液组合物及研磨粒子调配液，含有研磨材料和水，pH值为0.1～7，且满足以下条件：(1)在每1cm3的研磨液组合物或研磨粒子调配液中，大于等于0.56μm但不足1μm的研磨粒子为500000个或以下，(2)大于等于1μm的研磨粒子相对于研磨液组合物或研磨粒子调配液中的所有研磨粒子为0.001重量％或以下；涉及研磨液组合物及研磨粒子调配液的制造方法，具有以下精制工序：(I)用深层型过滤器过滤精制前的研磨液组合物或研磨粒子调配液而得到中间过滤物，(II)用褶皱型过滤器过滤中间过滤物而得到研磨液组合物或研磨粒子调配液，其中在工序I中，过滤器入口压力的波动幅度为50kPa或以下；涉及基板的制造方法，其具有使用研磨液组合物并通过研磨机研磨基板的工序。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN1781971B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200510125376.6
申请日：2005-11-16
Applicant: 花王株式会社
IPC: C08J5/14
CPC classification number: B24B37/042
Abstract: 本发明提供一种研磨液组合物，其含有有机氮化合物、有机多元酸、研磨材料和水，其中有机氮化合物在分子内具有两个或更多个氨基或亚氨基，或者在分子内具有1个或多个氨基以及1个或多个亚氨基；以及提供使用该研磨液组合物的基板的制造方法和基板表面污染的减少方法。该研磨液组合物例如可以适用于存储硬盘等硬盘用基板的制造工序。
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公开(公告)号：CN1519293A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200410004018.5
申请日：2004-02-05
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 一种记忆硬盘用基板用的研磨液组合物，包含在水基介质中的硅石微粒，其中所述硅石微粒满足用透射型电子显微镜(TEM)观察测定得到的该硅石微粒的数基平均粒径与数基标准偏差之间的特定关系，且其中在该硅石微粒的粒径60～120nm范围内累积体积频度与粒径之间满足一种特定关系；一种记忆硬盘用基板的微小起伏降低方法，包含用该研磨液组合物对记忆硬盘用基板进行研磨的步骤；一种记忆硬盘用基板的制造方法，包含用该研磨液组合物对镀Ni－P的记忆硬盘用基板进行研磨的步骤；该方法适合用于记忆硬盘用基板等精密部件用基板的制造。
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公开(公告)号：CN101423746B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN200810173817.3
申请日：2008-10-29
Applicant: 花王株式会社
Abstract: 一种硬盘基板用研磨液组合物，其含有氧化铝粒子、二氧化硅粒子和水，其中，所述氧化铝粒子的二次粒子的用激光衍射法测定的体积中值粒径为0.1～0.8μm，所述二氧化硅粒子的一次粒子的用透射型电子显微镜观察测定的体积中值粒径为40～150nm，所述二氧化硅粒子的一次粒子的用透射型电子显微镜观察测定的粒径的以个数为基准的标准偏差为11～35nm。所述硬盘基板用研磨液组合物优选可以在不损害生产率的情况下减少氧化铝磨粒向基板中的扎入。
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公开(公告)号：CN101423746A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810173817.3
申请日：2008-10-29
Applicant: 花王株式会社
Abstract: 一种硬盘基板用研磨液组合物，其含有氧化铝粒子、二氧化硅粒子和水，其中，所述氧化铝粒子的二次粒子的用激光衍射法测定的体积中值粒径为0.1～0.8μm，所述二氧化硅粒子的一次粒子的用透射型电子显微镜观察测定的体积中值粒径为40～150nm，所述二氧化硅粒子的一次粒子的用透射型电子显微镜观察测定的粒径的以个数为基准的标准偏差为11～35nm。所述硬盘基板用研磨液组合物优选可以在不损害生产率的情况下减少氧化铝磨粒向基板中的扎入。
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