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公开(公告)号：CN101139446B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200710149086.4
申请日：2007-09-07
Applicant: 花王株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够抑制端面下垂的研磨液组合物。其含有共聚物以及研磨材料，所述共聚物具有下述式(I)表示的结构单元和下述式(II)-(IV)表示的一种以上的结构单元。作为用于形成下述式(I)表示的结构单元的单体，可列举出甲基丙烯酸甲氧基聚乙二醇酯等，作为用于形成下述式(II)表示的结构单元的单体，可列举出甲基丙烯酸硬脂酸酯等，作为用于形成下述式(III)表示的结构单元的单体，可列举出甲基丙烯酸聚丙二醇酯等，作为用于形成下述式(IV)表示的结构单元的单体，可列举出苯乙烯等。
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公开(公告)号：CN1221613C
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN02102828.1
申请日：2002-01-23
Applicant: 花王株式会社
IPC: C08L95/00
CPC classification number: C08L95/005 , C08L97/00 , C08L2666/26
Abstract: 具体提供了了阳离子沥青乳液组合物，它几乎不受铺路时的温度和所用集料的特性的影响，它能保证混合集料所需的足够时间，并使沥青砂浆的流动性适于铺路。沥青乳液组合物含有沥青和水，该组合物包括分子量为4000-60000的牛皮纸浆木素(A)和专用的多胺(B)，这两者在沥青乳液组合物中有特定的比率。
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公开(公告)号：CN1673306A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510059065.4
申请日：2005-03-22
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种包含水系介质和氧化硅粒子的研磨液组合物，其中氧化硅粒子的ζ电位为－15～40mV；涉及一种基板的制造方法，其包括如下工序：使用将包含水系介质与氧化硅粒子的研磨液组合物中的氧化硅粒子的ζ电位调节到－15～40mV的研磨液组合物，对被研磨基板进行研磨；涉及一种降低被研磨基板划痕的方法，其将包含水系介质和氧化硅粒子的研磨液组合物中的氧化硅粒子的ζ电位调节至－15～40mV。本发明的研磨液组合物适用于精密部件基板，例如磁盘、光盘、磁光盘等磁性记录介质的基板、光掩模基板、光学透镜、光学反射镜、光学棱镜、半导体基板等精密部件基板的研磨中。
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公开(公告)号：CN1673306B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200510059065.4
申请日：2005-03-22
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种包含水系介质和氧化硅粒子的研磨液组合物，其中氧化硅粒子的ζ电位为-15～40mV；涉及一种基板的制造方法，其包括如下工序：使用将包含水系介质与氧化硅粒子的研磨液组合物中的氧化硅粒子的ζ电位调节到-15～40mV的研磨液组合物，对被研磨基板进行研磨；涉及一种降低被研磨基板划痕的方法，其将包含水系介质和氧化硅粒子的研磨液组合物中的氧化硅粒子的ζ电位调节至-15～40mV。本发明的研磨液组合物适用于精密部件基板，例如磁盘、光盘、磁光盘等磁性记录介质的基板、光掩模基板、光学透镜、光学反射镜、光学棱镜、半导体基板等精密部件基板的研磨中。
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公开(公告)号：CN1680509B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200510064805.3
申请日：2005-04-06
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , C09K3/1409
Abstract: 本发明涉及一种包含平均粒径为1～30nm的研磨材料和水的研磨液组合物，其中该研磨材料的填充率为79～90重量％；涉及一种基板的制造方法，其包括将上述研磨液组合物引入到基板与研磨垫之间，使其一边与所述基板接触，一边进行研磨的工序；还涉及一种减少被研磨基板的划痕的方法，其包括使用上述研磨液组合物对被研磨基板进行研磨的工序。本发明的研磨液组合物，例如适用于磁盘、磁光盘等磁性记录介质的基板、光掩模基板、光盘、光学透镜、光学反射镜、光学棱镜、半导体基板等精密部件基板的研磨。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1315947C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN03802331.8
申请日：2003-01-15
Applicant: 花王株式会社
IPC: C08L95/00 , C08K5/134 , C10C3/00 , E01C7/22 , C09D195/00
CPC classification number: C08K5/134 , C08L95/00 , C08L2666/74
Abstract: 本发明提供可以进一步提高沥青和骨料的防止剥离效果的加热沥青用的添加剂。本发明是一种含有特定的没食子酸酯等的加热沥青用添加剂。
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公开(公告)号：CN100529008C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200510085991.9
申请日：2005-07-21
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14
Abstract: 本发明涉及研磨液组合物及研磨粒子调配液，含有研磨材料和水，pH值为0.1～7，且满足以下条件：(1)在每1cm3的研磨液组合物或研磨粒子调配液中，大于等于0.56μm但不足1μm的研磨粒子为500000个或以下，(2)大于等于1μm的研磨粒子相对于研磨液组合物或研磨粒子调配液中的所有研磨粒子为0.001重量%或以下；涉及研磨液组合物及研磨粒子调配液的制造方法，具有以下精制工序：(I)用深层型过滤器过滤精制前的研磨液组合物或研磨粒子调配液而得到中间过滤物，(II)用褶皱型过滤器过滤中间过滤物而得到研磨液组合物或研磨粒子调配液，其中在工序I中，过滤器入口压力的波动幅度为50kPa或以下；涉及基板的制造方法，其具有使用研磨液组合物并通过研磨机研磨基板的工序。
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公开(公告)号：CN1733861A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510085991.9
申请日：2005-07-21
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14
Abstract: 本发明涉及研磨液组合物及研磨粒子调配液，含有研磨材料和水，pH值为0.1～7，且满足以下条件：(1)在每1cm3的研磨液组合物或研磨粒子调配液中，大于等于0.56μm但不足1μm的研磨粒子为500000个或以下，(2)大于等于1μm的研磨粒子相对于研磨液组合物或研磨粒子调配液中的所有研磨粒子为0.001重量％或以下；涉及研磨液组合物及研磨粒子调配液的制造方法，具有以下精制工序：(I)用深层型过滤器过滤精制前的研磨液组合物或研磨粒子调配液而得到中间过滤物，(II)用褶皱型过滤器过滤中间过滤物而得到研磨液组合物或研磨粒子调配液，其中在工序I中，过滤器入口压力的波动幅度为50kPa或以下；涉及基板的制造方法，其具有使用研磨液组合物并通过研磨机研磨基板的工序。
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公开(公告)号：CN1680509A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200510064805.3
申请日：2005-04-06
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , C09K3/1409
Abstract: 本发明涉及一种包含平均粒径为1～30nm的研磨材料和水的研磨液组合物，其中该研磨材料的填充率为79～90重量％；涉及一种基板的制造方法，其包括将上述研磨液组合物引入到基板与研磨垫之间，使其一边与所述基板接触，一边进行研磨的工序；还涉及一种减少被研磨基板的划痕的方法，其包括使用上述研磨液组合物对被研磨基板进行研磨的工序。本发明的研磨液组合物，例如适用于磁盘、磁光盘等磁性记录介质的基板、光掩模基板、光盘、光学透镜、光学反射镜、光学棱镜、半导体基板等精密部件基板的研磨。
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公开(公告)号：CN1617909A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN03802331.8
申请日：2003-01-15
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C08K5/134 , C08L95/00 , C08L2666/74
Abstract: 本发明提供可以进一步提高沥青和骨料的防止剥离效果的加热沥青用的添加剂。本发明是一种含有特定的没食子酸酯等的加热沥青用添加剂。
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