-
公开(公告)号：CN100529008C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200510085991.9
申请日：2005-07-21
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14
Abstract: 本发明涉及研磨液组合物及研磨粒子调配液，含有研磨材料和水，pH值为0.1～7，且满足以下条件：(1)在每1cm3的研磨液组合物或研磨粒子调配液中，大于等于0.56μm但不足1μm的研磨粒子为500000个或以下，(2)大于等于1μm的研磨粒子相对于研磨液组合物或研磨粒子调配液中的所有研磨粒子为0.001重量%或以下；涉及研磨液组合物及研磨粒子调配液的制造方法，具有以下精制工序：(I)用深层型过滤器过滤精制前的研磨液组合物或研磨粒子调配液而得到中间过滤物，(II)用褶皱型过滤器过滤中间过滤物而得到研磨液组合物或研磨粒子调配液，其中在工序I中，过滤器入口压力的波动幅度为50kPa或以下；涉及基板的制造方法，其具有使用研磨液组合物并通过研磨机研磨基板的工序。
-
公开(公告)号：CN1733861A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510085991.9
申请日：2005-07-21
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14
Abstract: 本发明涉及研磨液组合物及研磨粒子调配液，含有研磨材料和水，pH值为0.1～7，且满足以下条件：(1)在每1cm3的研磨液组合物或研磨粒子调配液中，大于等于0.56μm但不足1μm的研磨粒子为500000个或以下，(2)大于等于1μm的研磨粒子相对于研磨液组合物或研磨粒子调配液中的所有研磨粒子为0.001重量％或以下；涉及研磨液组合物及研磨粒子调配液的制造方法，具有以下精制工序：(I)用深层型过滤器过滤精制前的研磨液组合物或研磨粒子调配液而得到中间过滤物，(II)用褶皱型过滤器过滤中间过滤物而得到研磨液组合物或研磨粒子调配液，其中在工序I中，过滤器入口压力的波动幅度为50kPa或以下；涉及基板的制造方法，其具有使用研磨液组合物并通过研磨机研磨基板的工序。
-
公开(公告)号：CN101240159B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200810082982.8
申请日：2003-12-26
Applicant: 花王株式会社
Abstract: 一种存储硬盘用基板的研磨液组合物，含有水和二氧化硅粒子，其中二氧化硅粒子具有如下的粒径分布，其中，粒径(R)和累积体积频率(V)的关系满足式(1)和式(2)，该关系体现在粒径一累积体积频率的图中，该图通过绘制二氧化硅粒子的累积体积频率(％)来得到，该二氧化硅粒子的累积体积频率通过相对于二氧化硅粒子的粒径(nm)的小粒径一侧来计算；并且其中，在90％的累积体积频率(D90)的粒径为大于等于65nm并且小于105nm。通过使用本发明的研磨组合物，可以有效制备镀Ni-P的磁盘用基板，该基板磨后具有良好的表面光滑性，其中，微凹坑被有效减少。
-
公开(公告)号：CN101240159A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810082982.8
申请日：2003-12-26
Applicant: 花王株式会社
Abstract: 一种存储硬盘用基板的研磨液组合物，含有水和二氧化硅粒子，其中二氧化硅粒子具有如下的粒径分布，其中，粒径(R)和累积体积频率(V)的关系满足式(1)和式(2)，该关系体现在粒径一累积体积频率的图中，该图通过绘制二氧化硅粒子的累积体积频率(％)来得到，该二氧化硅粒子的累积体积频率通过相对于二氧化硅粒子的粒径(nm)的小粒径一侧来计算；并且其中，在90％的累积体积频率(D90)的粒径为大于等于65nm并且小于105nm。通过使用本发明的研磨组合物，可以有效制备镀Ni－P的磁盘用基板，该基板磨后具有良好的表面光滑性，其中，微凹坑被有效减少。
-
公开(公告)号：CN100387673C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200310124681.4
申请日：2003-12-26
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02
Abstract: 一种存储硬盘用基板的研磨液组合物，含有水和二氧化硅粒子，其中二氧化硅粒子具有如下的粒径分布，其中，粒径(R)和累积体积频率(V)的关系满足式(1)和式(2)，该关系体现在粒径一累积体积频率的图中，该图通过绘制二氧化硅粒子的累积体积频率(%)来得到，该二氧化硅粒子的累积体积频率通过相对于二氧化硅粒子的粒径(nm)的小粒径一侧来计算；并且其中，在90%的累积体积频率(D90)的粒径为大于等于65nm并且小于105nm。通过使用本发明的研磨组合物，可以有效制备镀Ni-P的磁盘用基板，该基板磨后具有良好的表面光滑性，其中，微凹坑被有效减少。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1513934A
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN200310124681.4
申请日：2003-12-26
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02
Abstract: 一种存储硬盘用基板的研磨液组合物，含有水和二氧化硅粒子，其中二氧化硅粒子具有如下的粒径分布，其中，粒径(R)和累积体积频率(V)的关系满足式(1)和式(2)，该关系体现在粒径一累积体积频率的图中，该图通过绘制二氧化硅粒子的累积体积频率(％)来得到，该二氧化硅粒子的累积体积频率通过相对于二氧化硅粒子的粒径(nm)的小粒径一侧来计算；并且其中，在90％的累积体积频率(D90)的粒径为大于等于65nm并且小于105nm。通过使用本发明的研磨组合物，可以有效制备镀Ni－P的磁盘用基板，该基板磨后具有良好的表面光滑性，其中，微凹坑被有效减少。
-
公开(公告)号：CN102858494A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180019525.4
申请日：2011-04-19
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: G11B5/8404 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供一种硬盘用铝硅酸盐玻璃基板的制造方法，包括使用研磨液组合物来研磨被研磨铝硅酸盐玻璃基板的工序，所述研磨液组合物含有二氧化硅粒子、具有磺酸基的聚合物、和水，并且所述具有磺酸基的聚合物的相对于铝硅酸盐玻璃的吸附常数为1.5～5.0L/g。所述具有磺酸基的聚合物优选为具有芳香族环的聚合物。所述具有磺酸基的聚合物的重均分子量优选为3000～100000。
-
公开(公告)号：CN101892032A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010226178.X
申请日：2005-12-09
Applicant: 花王株式会社
Inventor： 西本和彦
CPC classification number: C03C19/00 , C09G1/02 , G11B5/8404
Abstract: 本发明提供一种玻璃基板用研磨液组合物，其含有一次粒子的平均粒径为1～100nm的氧化硅、具有磺酸基的聚合物和水；并提供使用该玻璃基板用研磨液组合物的玻璃基板的制造方法以及玻璃基板的表面污染的减少方法。本发明的玻璃基板用研磨液组合物，例如适用于玻璃硬盘、强化玻璃基板用铝硅酸盐玻璃、玻璃陶瓷基板(晶化玻璃基板)等的制造。
-
公开(公告)号：CN101100595A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710127194.1
申请日：2007-07-04
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09G1/02
Abstract: 本发明提供一种玻璃基板用研磨液组合物，其含有平均粒径为5～100nm的二氧化硅粒子，其特征在于：在通过电子显微镜照片的图像解析而求出的该二氧化硅粒子的投影图像中，该二氧化硅粒子的投影面积(A1)与该二氧化硅粒子的最大内接圆面积(A)的面积比R(A1/A)的平均值在1.2～3.0的范围内，该二氧化硅粒子在该投影图像的二氧化硅粒子轮廓中，平均具有2.0～10个所具有的曲率半径为该二氧化硅粒子的最大内接圆半径(r)的1/5～1/2的凸部，而且pH为1～5。同时提供一种玻璃基板的制造方法，其具有使该玻璃基板用研磨液组合物存在于研磨垫和被研磨基板之间，在研磨载荷为3～12kPa、pH为1～5的条件下进行研磨的工序。本发明的玻璃基板用研磨液组合物适用于例如玻璃硬盘、强化玻璃基板用铝硅酸盐玻璃、和玻璃陶瓷基板(晶化玻璃基板)等的制造。
-
公开(公告)号：CN1307279C
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200410049278.4
申请日：2004-06-09
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09K3/1463 , B24B37/044 , C09G1/02
Abstract: 本发明涉及基板的制造方法、基板的研磨方法，及减少基板微小表面波纹的方法，所述方法包括用含有研磨材料和水的研磨液组合物和具有平均气孔径为1～35μm的表面部材的研磨垫研磨被研磨基板的工序。本发明还涉及减少擦伤的方法，所述方法包括用含有研磨材料、氧化剂、酸、其盐或其混合物及水的研磨液组合物和具有平均气孔径为1～35μm的表面部材的研磨垫研磨被研磨基板的工序。基板的制造方法可以用于记忆硬盘的最终研磨和半导体元件的研磨。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.022 seconds)
