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公开(公告)号：CN110476244A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201880022963.8
申请日：2018-03-28
Applicant: 罗姆股份有限公司
Abstract: 功率模块(1)具备平板状的厚铜基板(2)、配置在厚铜基板(2)上的导电性的应力缓和金属层(24U)、配置在应力缓和金属层(24U)上的半导体器件(22)和配置在应力缓和金属层(24U)上的镀层(30)，半导体器件(22)隔着镀层(30)与应力缓和金属层(24U)接合。厚铜基板(2)具备第1厚铜层(14)和配置在第1厚铜层(14)上的第2厚铜层(18)，应力缓和金属层(24U)配置在第2厚铜层(18)上。半导体器件(22)的一部分嵌入应力缓和金属层(24U)并固着。半导体器件(22)与应力缓和金属层(24U)的接合面通过扩散接合或固相扩散接合而一体化。提供一种能够不增加热阻而提高接合的可靠性的功率模块。
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公开(公告)号：CN109075086A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780024218.2
申请日：2017-04-14
Applicant: 罗姆股份有限公司
Inventor： 大塚拓一
IPC: H01L21/60 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/12 , H01L29/417 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 半导体装置具备半导体芯片(12)、和以覆盖半导体芯片(12)上的源极焊盘电极(14)的方式形成的银烧成盖(22)。半导体芯片(12)配置于第一基板电极(10B)上，通过超声波在银烧成盖(22)上接合铜线(18)的一端。本发明提供一种能够使功率循环耐受容量提高的半导体装置、功率模块及其制造方法。
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公开(公告)号：CN102820338A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210278267.8
申请日：2009-02-06
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7395
Abstract: 本发明提供一种能提高耐压性、简化制造工序的半导体装置。本发明的半导体装置具备：层叠在含有SiC的n+型基板(11)，含有SiC的n型外延层(1)；在外延层(1)的表面层相互隔离地配置的n+型源极区域(5)；被源极区域(5)夹持的p型阱接触区域(2)；与源极区域(5)及p型阱接触区域(2)的基板(11)侧表面相接地配置的p型阱区域(3)；配置为夹持源极区域(5)及p型阱区域(3)的p型阱扩展区域(4)。在从外延层(1)的表面向基板(11)的深度方向，p型阱区域(3)的杂质浓度的浓度峰值位置比p型阱扩展区域(4)的杂质浓度的浓度峰值位置深。
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公开(公告)号：CN101939843A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200980104440.9
申请日：2009-02-06
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7395
Abstract: 本发明提供一种能提高耐压性、简化制造工序的半导体装置。本发明的半导体装置具备：层叠在含有SiC的n+型基板(11)，含有SiC的n型外延层(1)；在外延层(1)的表面层相互隔离地配置的n+型源极区域(5)；被源极区域(5)夹持的p型阱接触区域(2)；与源极区域(5)及p型阱接触区域(2)的基板(11)侧表面相接地配置的p型阱区域(3)；配置为夹持源极区域(5)及p型阱区域(3)的p型阱扩展区域(4)。在从外延层(1)的表面向基板(11)的深度方向，p型阱区域(3)的杂质浓度的浓度峰值位置比p型阱扩展区域(4)的杂质浓度的浓度峰值位置深。
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