公开(公告)号：CN107112722A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580068863.5

申请日：2015-10-02

Applicant: 索尼公司

Inventor： 仓本大 ,  风田川统之 ,  滨口达史 ,  泉将一郎

IPC: H01S5/343 ,  H01L21/205 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S5/183 ,  H01S5/22

Abstract: 一种光学半导体装置具有一种层压结构20，其中，n型化合物半导体层21、有源层23和p型化合物半导体层22依次层压，有源层23设置有具有隧道势垒层33的多量子阱结构，与p型化合物半导体层22相邻的阱层312的组分的波动大于另一个阱层311的组分的波动，与p型化合物半导体层22相邻的阱层312的带隙能量小于另一个阱层311的带隙能量，并且与p型化合物半导体层22相邻的阱层312的厚度大于另一个阱层311的厚度。

公开(公告)号：CN106463909A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580031408.8

申请日：2015-04-17

Applicant: 索尼公司

Inventor： 滨口达史 ,  风田川统之 ,  泉将一郎 ,  仓本大

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/183 ,  G02B27/48 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/1092 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4087 ,  H01S5/423 ,  H01S2304/04 ,  H04N9/3161

Abstract: 该发光元件至少设置有：形成在基板(11)的前表面上的第一光反射层(41)；层压结构(20)，形成在第一光反射层(41)上并且由第一化合物半导体层(21)、活性层(23)以及第二化合物半导体层(22)构成；以及形成在第二化合物半导体层压结构(20)由多个层压结构单元(20A)构成，层压结构单元(20A)分别构成发光元件单元(10A)，并且发光元件单元(10A)中的共振器长度随着发光元件单元中的每一个而变化。(22)上的第二电极(32)和第二光反射层(42)。层

公开(公告)号：CN104348084A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410379682.1

申请日：2014-08-04

Applicant: 索尼公司

Inventor： 滨口达史 ,  仓本大 ,  前田勇树 ,  风田川统之

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/187 ,  H01S5/18

CPC classification number: H01S5/3013 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0216 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/183 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/18388 ,  H01S5/18391 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/12

Abstract: 公开了一种发光元件及其制造方法。该制造方法顺序地包括(a)形成具有凸部形状的第一光反射层；(b)通过层叠第一化合物半导体层、活性层和第二化合物半导体层而形成层叠结构体；(c)在第二化合物半导体层的第二表面上形成第二电极和由多层膜形成的第二光反射层；(d)将第二光反射层固定至支撑基板；(e)去除用于制造发光元件的基板，并暴露出第一化合物半导体层的第一表面和第一光反射层；(f)蚀刻第一化合物半导体层的第一表面；以及(g)至少在第一化合物半导体层的已蚀刻的第一表面上形成第一电极。