公开(公告)号：CN102569614A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110442100.6

申请日：2011-12-26

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 高尚兰 ,  金龙国 ,  金佑翰 ,  金哈尼 ,  安治垣 ,  车承桓

IPC: H01L33/56 ,  C08L83/04 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/501 ,  C08G77/12 ,  C08G77/20 ,  C08K5/5435 ,  C08L83/04 ,  H01L27/322 ,  H01L33/56 ,  H01L51/5253 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种封装材料以及包含封装材料的电子器件，所述封装材料包含透明树脂、磷光体、以及密度控制剂，所述透明树脂包含第一聚硅氧烷和第二聚硅氧烷，所述第一聚硅氧烷在其末端包含与硅键合的氢(Si-H)，所述第二硅氧烷在其末端包含与硅键合的烯基基团(Si-Vi)，其中所述密度控制剂相对于所述磷光体的重量以1.5至10倍存在。根据本发明的封装材料具有大大改进的颜色均匀性和光效率。

公开(公告)号：CN101490621A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780025924.5

申请日：2007-11-21

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金美英 ,  金相均 ,  林相学 ,  高尚兰 ,  尹熙灿 ,  金到贤 ,  鱼东善 ,  金钟涉

IPC: G03F7/004

CPC classification number: C08G77/50 ,  C08L83/14 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2022 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3122

Abstract: 本发明提供了一种用于加工抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物。该硬掩模组合物包含有机硅聚合物和溶剂或溶剂混合物，其中有机硅聚合物是在酸催化剂存在下，通过缩聚由以下式1、2和3表示的化合物的水解产物而制备的：[R1O]3S－X (1)，其中X是含有至少一个取代或未取代芳环的C6－C30官能团，而R1是C1－C6烷基；[R2O]3S－R3(2)，其中R2是C1－C6烷基，而R3是C1－C12烷基；以及[R4O]3S－Y－S [OR5]3(3)，其中R4和R5每一个独立地是C1－C6烷基，而Y是选自由取代或未取代的芳环、直链或支链C1－C20亚烷基、含有芳环的C1－C20亚烷基、杂环、主链中的脲基或异氰尿酸酯基和含有至少一个多重键的C2－C20烃基组成的组中的连接基团。该硬掩模组合物表现出优异的膜特性和良好的储存稳定性，并且由于其令人满意的硬掩模特性而可以将良好图案转移到材料层。另外，该硬掩模组合物具有对O2等离子体气体在用于图案化的后续蚀刻的改善的蚀刻抗性。该硬掩模组合物可用来形成高度亲水性薄膜，因而可以有效改善薄膜与覆盖抗反射涂层的界面相容性。本发明还提供了一种使用该硬掩模组合物来生产半导体集成电路器件的方法。

公开(公告)号：CN102686698B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201080060210.X

申请日：2010-12-14

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 申峻乎 ,  高尚兰 ,  车承桓 ,  安炫贞 ,  崔荣恩

IPC: C09K11/02 ,  C09K3/10

CPC classification number: C08G77/02 ,  C08G77/58 ,  Y10T428/31663

Abstract: 提供了一种用于封装材料的透光树脂组合物，包含由化学式1A至化学式1D表示的金属化合物中的至少一种与包含由化学式2表示的化合物的硅化合物的共聚而获得的聚金属硅氧烷。还提供了一种电子装置，包含通过将透光树脂组合物硬化而得到的封装材料。

公开(公告)号：CN104884535A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380067615.X

申请日：2013-12-24

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金暎镐 ,  高尚兰 ,  金佑翰 ,  柳鸿桢 ,  李殷善 ,  金哈尼 ,  白允熹 ,  宋斗理 ,  申东珠 ,  安治垣

IPC: C08L83/04 ,  C08K5/5415 ,  C08G77/04 ,  H01L23/29

CPC classification number: C08G77/18 ,  C08G77/12 ,  C08G77/20 ,  C08G77/46 ,  C08K5/5425 ,  C08K5/56 ,  C08L83/00 ,  C08L83/04 ,  C09D183/06 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及：一种用于光学元件的可固化聚硅氧烷组成物，包含至少一型的第一硅氧烷化合物其是以化学式1表示、至少一型的第二硅氧烷化合物其于末端具有与硅键结的氢(Si-H)、以及至少一型的第三硅氧烷化合物，其于末端具有与硅键结的烯基(Si-Vi)；一种包封材料，通过使所述用于光学元件的可固化聚硅氧烷组成物固化而得；以及一种光学元件，包含所述包封材料。[化学式1](R1R2R3SiO1/2)M1(R4R5SiO2/2)D1(R6R7SiO2/2)D2(R8SiO2/2-Y1-SiO2/2R9)D3(R10SiO3/2)T1(R11SiO3/2)T2(R12SiO3/2)T3(SiO3/2-Y2-SiO3/2)T4(SiO4/2)Q1于化学式1中，R1至R12、Y1、Y2、M1、D1、D2、D3、T1、T2、T3、T4及Q1是与说明书所定义的相同。

公开(公告)号：CN102433003B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201110233882.2

申请日：2011-08-15

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 高尚兰 ,  申峻乎 ,  金佑翰 ,  车承桓 ,  安炫贞

IPC: C08L83/07 ,  C08K5/5419 ,  H01L33/56 ,  C09K3/10

CPC classification number: H01L23/296 ,  C08G77/12 ,  C08G77/20 ,  C08G77/70 ,  C08G77/80 ,  C08L83/04 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  C08L83/00 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开内容提供了一种聚有机硅氧烷组合物，该组合物包括具有线性结构且包括由以下化学式1表示的部分和由以下化学式2表示的部分并在两端包括双键的第一聚有机硅氧烷树脂，以及具有三维网状结构的第二聚有机硅氧烷树脂；通过固化该聚有机硅氧烷组合物而制备的封装材料；以及含有该封装材料的电子器件。该聚有机硅氧烷组合物使得抗裂性增加以确保发光元件的安全稳定性并降低了胶粘性以改善其可加工性，而且还保持了高耐热性和耐光性。[化学式1] [化学式2]

公开(公告)号：CN102713758A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080060221.8

申请日：2010-12-10

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金美英 ,  金相均 ,  赵显模 ,  高尚兰 ,  尹熙灿 ,  丁龙辰 ,  金钟涉

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0752 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08L83/04 ,  C08L83/06 ,  G03F7/11 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332

Abstract: 提供了一种抗蚀剂底层组合物，包括有机硅烷系缩聚化合物和溶剂，其中该有机硅烷系缩聚化合物包含40mol%至80mol%由以下化学式1表示的结构单元。因此，本发明涉及一种能够提供优异的图案转印特性的抗蚀剂底层组合物、利用具有优异的储存稳定性和耐蚀刻性的抗蚀剂底层、以及利用其制造半导体集成电路器件的方法。

公开(公告)号：CN102695987A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201080060384.6

申请日：2010-12-10

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金美英 ,  金相均 ,  赵显模 ,  禹昌秀 ,  高尚兰 ,  尹熙灿 ,  李雨晋 ,  金钟涉

IPC: G03F7/11

CPC classification number: G03F7/0752 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11

Abstract: 根据本发明的一个实施方式，一种光致抗蚀剂底层组合物，包括（A）下述化学式1表示的聚硅氧烷树脂和（B）溶剂。根据化学式1：{(SiO1.5-Y-SiO1.5)x(SiO2)y(XSiO1.5)z}(OH)e(OR1)f，所述光致抗蚀剂底层能够具有优良的储存性和耐蚀刻性，并且具有可容易控制的表面特性，以及能够使光致抗蚀剂图案稳定地形成。

公开(公告)号：CN102695770A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201080060217.1

申请日：2010-12-14

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 高尚兰 ,  金钟涉 ,  金相均 ,  申峻乎 ,  郑斗瑛 ,  车承桓 ,  安炫贞 ,  崔荣恩

IPC: C09K3/10 ,  C08L83/04 ,  C08G77/04

CPC classification number: C08G77/20 ,  C08G77/24 ,  C08G77/80

Abstract: 提供了一种用于封装材料的透光树脂组合物，包括通过将由化学式1表示的第一硅化合物和包含由化学式2表示的化合物的第二硅化合物共聚而获得的聚硅氧烷。还提供了包含通过将所述透光树脂组合物硬化而获得的封装材料的电子装置。

公开(公告)号：CN102433003A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110233882.2

申请日：2011-08-15

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 高尚兰 ,  申峻乎 ,  金佑翰 ,  车承桓 ,  安炫贞

IPC: C08L83/07 ,  C08K5/5419 ,  H01L33/56 ,  C09K3/10

CPC classification number: H01L23/296 ,  C08G77/12 ,  C08G77/20 ,  C08G77/70 ,  C08G77/80 ,  C08L83/04 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  C08L83/00 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开内容提供了一种聚有机硅氧烷组合物，该组合物包括具有线性结构且包括由以下化学式1表示的部分和由以下化学式2表示的部分并在两端包括双键的第一聚有机硅氧烷树脂，以及具有三维网状结构的第二聚有机硅氧烷树脂；通过固化该聚有机硅氧烷组合物而制备的封装材料；以及含有该封装材料的电子器件。该聚有机硅氧烷组合物使得抗裂性增加以确保发光元件的安全稳定性并降低了胶粘性以改善其可加工性，而且还保持了高耐热性和耐光性。

公开(公告)号：CN101770175A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200910215519.0

申请日：2009-12-29

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 赵显模 ,  金相均 ,  禹昌秀 ,  金美英 ,  高尚兰 ,  尹熙灿 ,  李雨晋 ,  金钟涉

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0752 ,  C08G77/12 ,  C08G77/14 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08G77/20 ,  C08G77/24 ,  C08G77/26 ,  C08G77/50 ,  C08G77/52 ,  C08G77/70 ,  C08K5/0008 ,  C08L83/04 ,  C08L83/14 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/09 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36

Abstract: 本发明披露了一种抗蚀剂下层组合物，其包括从以下化学式1和2中的至少一种化合物与以下化学式3～5中的至少一种化合物获得的有机硅烷缩聚产物；以及溶剂。[化学式1][R1]3Si-[Ph1]1-Si[R2]3[化学式2][R1]3Si-[Ph1]m-Ph2[化学式3][R1]3Si-CH2n-R3[化学式4][R1]3Si-R4[化学式5][R1]3Si-X-Si[R2]3在以上化学式1～5中，Ph1、Ph2、R1～R4、X、l、m和n与说明书中的定义相同。