公开(公告)号：CN100578741C

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200680031676.0

申请日：2006-09-01

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 平野达彦 ,  浅野宏 ,  堀和伸

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

Abstract: 一种抛光组合物，包含6元环骨架的三唑、水溶性聚合物、氧化剂和抛光粉。三唑的6元环骨架中具有疏水官能团。抛光组合物中三唑的含量为等于或小于3g/L。抛光组合物的pH值等于或大于7。所述抛光组合物进一步包括其它类型具有6元环骨架的三唑，该其它类型三唑在6元环骨架中具有亲水官能团。所述抛光组合物适合在形成半导体器件线路的抛光中使用。

公开(公告)号：CN101177592A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200710194162.3

申请日：2004-09-30

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 松田刚 ,  平野达彦 ,  吴俊辉 ,  河村笃纪 ,  酒井谦儿

IPC: C09G1/18 ,  H01L21/304

CPC classification number: C23F3/04 ,  C09G1/02 ,  C09G1/18 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明的抛光组合物，用于形成半导体器件的配线的抛光，它含有特定的表面活性剂、氧化硅、选自羧酸及α－氨基酸中的至少一种、防腐蚀剂、氧化剂、水。使用该抛光组合物可抑制凹陷的发生。

公开(公告)号：CN1860592A

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200480028200.2

申请日：2004-09-30

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 松田刚 ,  平野达彦 ,  吴俊辉 ,  河村笃纪 ,  酒井谦儿

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/7684

Abstract: 在为去除位于沟槽(13)外部的导体膜(15)部分而进行的化学机械研磨中，使用第1研磨用组合物。在为去除位于沟槽外部的导体膜部分的残留部分及位于沟槽外部的屏蔽膜部分而进行的化学机械研磨中，使用第2研磨用组合物。第1研磨用组合物含有特定的表面活性剂、硅氧化物、羧酸、防腐蚀剂、氧化剂和水。第2研磨用组合物含有胶体二氧化硅、防腐蚀剂、完全皂化型聚乙烯醇和水。

公开(公告)号：CN1837319A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200510062405.9

申请日：2005-03-22

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 吴俊辉 ,  河村笃纪 ,  松田刚 ,  平野达彦 ,  酒井谦儿 ,  堀和伸

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C23F3/06

Abstract: 本发明的抛光用组合物具有表面阶差抑制剂、二氧化硅、酸、氧化剂以及水。表面阶差抑制剂，例如至少是从贮备多糖类以及细胞多糖类选择的一种。二氧化硅例如是胶体二氧化硅、气相二氧化硅或沉淀二氧化硅。酸例如是至少从硝酸、盐酸、硫酸、乳酸、醋酸、草酸、柠檬酸、苹果酸、琥珀酸、酪酸以及丙二酸中选择的一种。氧化剂例如是过氧化氢、过硫酸盐、过草酸盐、过盐酸盐、硝酸盐或氧化性金属盐。此抛光用组合物能够适用于形成半导体器件的配线用抛光上。

公开(公告)号：CN1769006A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510119396.2

申请日：2005-11-04

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 吴俊辉 ,  河村笃纪 ,  松田刚 ,  平野达彦 ,  堀和伸 ,  酒井谦儿

IPC: B24B1/00 ,  B24B37/00 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/7684 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3212

Abstract: 一种用于化学和机械抛光对象物以形成半导体装置线路的方法，其包括：通过化学和机械抛光除去部分导电层外侧部以显露阻挡层的上表面；以及在除去部分导电层外侧部之后，通过化学和机械抛光除去导电层外侧部的剩余部分和阻挡层外侧部以显露绝缘层的上表面。当除去部分导电层外侧部时，使用包含成膜剂的第一种抛光组合物化学和机械抛光对象物的上表面。随后，清洗被化学和机械抛光的对象物的上表面，从而除去由第一种抛光组合物中的成膜剂在导电层的上表面形成的保护膜。然后，使用包含成膜剂的第二种抛光组合物再次化学和机械抛光对象物的上表面。这样，就很好地形成了半导体装置线路。

公开(公告)号：CN1616575A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410083441.9

申请日：2004-09-30

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 松田刚 ,  平野达彦 ,  吴俊辉 ,  河村笃纪 ,  酒井谦儿

IPC: C09G1/18 ,  C11D1/88

CPC classification number: H01L21/7684 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C23F3/04 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明的抛光组合物，用于形成半导体器件的配线的抛光，它含有特定的表面活性剂、氧化硅、选自羧酸及α－氨基酸中的至少一种、防腐蚀剂、氧化剂、水。使用该抛光组合物可抑制凹陷的发生。