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公开(公告)号：CN109852929B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201910202780.0
申请日：2019-03-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种NiZn铁氧体薄膜的制备方法，属于薄膜制备技术领域。该方法首先采用旋转喷涂法在玻璃基片上制备NiZn铁氧体种子层，然后再采用射频磁控溅射法在种子层上沉积NiZn铁氧体薄膜。本发明方法制备的NiZn铁氧体薄膜无需经过后续高温退火处理，解决了铁氧体薄膜在后续器件应用中与半导体工艺不兼容的问题；同时，旋转喷涂法制得的NiZn种子层的引入，在低温条件下使射频磁控溅射法制备的NiZn薄膜具有更好的结晶性能，饱和磁化强度4πMs(≥5900Gs)、起始磁导率μi(≥200)和截止频率fr(≥1.85GHz)大幅度提高。
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公开(公告)号：CN110729979A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910937624.9
申请日：2019-09-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所 , 电子科技大学
Abstract: 本发明属于声波滤波器技术领域，涉及一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法及其结构；封装方法包括在同一片硅晶圆上加工形成多个芯片；将陶瓷基板表面制作多个与芯片形状匹配的金属图形，针对外部引线制作出相应的导通孔；将芯片和金属图形正对后进行金属键合，并形成键合层金属，从导通孔连接至晶圆；在陶瓷基板背向芯片的一面镀制金属种子层再进行电镀，使导通孔内填充满金属，并去除以外的金属种子层；再制作外电极和外部电路结构，在外电极表面制作外部焊球。本发明通过金属键合，使器件内部与外部形成了隔绝的两个部分，从而保护裸芯片表面不被污染以及密封的效果能满足气密封的要求，保护了薄膜体声波滤波器件的工作面，使器件可以正常工作。
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公开(公告)号：CN110649909A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910937621.5
申请日：2019-09-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所 , 电子科技大学
Abstract: 本发明属于声表面波滤波器晶圆封装技术领域，具体涉及一种声表面波滤波器件晶圆级封装方法及其结构，所述结构包括功能晶圆和有机感光膜盖板，在功能晶圆的中央包括多个工作面朝向相同的功能芯片；有机感光膜盖板位于功能晶圆的正上方，在有机感光膜盖板的四周向下叠放有多层台阶，其中，距离有机感光膜盖板最近的为第一层台阶，第一层台阶为有机感光膜台阶、第二层台阶为焊盘电极，且所述焊盘电极固定在功能晶圆上；在盖板的部分上表面、外表面以及每一层台阶的外表面制备有连续导通的金属种子层；在盖板的部分上表面的金属种子层上还包括外部焊球。本发明通过有机感光膜的方式避免了键合和刻蚀过程造成的裂片，缩短了工艺流程，降低了加工成本。
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公开(公告)号：CN105236948B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201510542781.1
申请日：2015-08-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/26
Abstract: Ka波段环行器用NiCuZn铁氧体厚膜材料制备方法，属于电子材料技术领域，本发明包括下述步骤：1)主料配方：采用48.0～49.0mol％Fe2O3，19～21.0mol％ZnO，4.0～5.0mol％CuO，26.0～27.0mol％NiO；2)一次球磨；3)预烧：在800～1000℃预烧，保温1～3小时；4)掺杂：加入以下添加剂：0.05～0.1wt％CaO，0.05～0.1wt％Bi2O3；5)球磨浆料：粉料加入40～50wt％有机粘合剂和40～50wt％无水乙醇，球磨4～8小时；6)流延成型：浆料流延得到厚度为50～60μm的生膜带；7)叠片：生膜带叠片为20～22层膜，在5～7MPa下压制成厚度为100～140μm的生坯；8)烧结：在空气中于1020～1080℃下保温烧结1～3小时。采用本发明制备的铁氧体材料具有高饱和磁化强度(4πMs)，而且具有温度稳定性好、电阻率高和微波损耗低等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105406606A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510543317.4
申请日：2015-08-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 无线充电方法及无线充电发射装置，涉及电子技术。本发明的方法包括下述步骤：1)发射电路控制器产生检测脉冲，在检测脉冲的有效宽度时限内启动预定的发射线圈组，对外发射无线电能，所述发射线圈组至少包括两个发射线圈；2)检测启动的发射线圈的峰值信号，判断其是否满足耦合条件，所述峰值信号为峰值电压或者峰值电流；3)使不满足耦合条件的发射线圈处于关闭状态，使满足耦合条件的发射线圈在预定充电时域内处于发射状态；4)返回步骤1)。本发明更加节约电能，减少充电器发热。本发明无需准确对位。本发明的动态发射线圈与恒态发射线圈的组合方式提供了较高的充电速度。
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公开(公告)号：CN104098326A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410323430.7
申请日：2014-07-07
Applicant: 电子科技大学 , 海宁联丰磁业股份有限公司
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 低温度系数高阻抗高磁导率锰锌铁氧体材料及制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域，本发明的材料包括下述组分：主成分：Fe2O3：52.0～54.0mol％，ZnO：19.0～24.0mol％，NiO：0.01～0.05mol％，余量为MnO；还包括下述添加剂中的至少两种：0.01～0.08wt％CaCO3、0.01～0.10wt％MoO3、0.01～0.08wt％纳米TiO2、0.01～0.04wt％Bi2O3、0.005～0.02wt％SiO2、0.01～0.12wt％V2O5、0.005～0.04wt％Nb2O5和0.005～0.04wt％B2O3。本发明尺寸均匀，晶界明显，气孔少。
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公开(公告)号：CN101552072B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200810148121.5
申请日：2008-12-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 移相器用低损耗LiZn铁氧体材料，涉及铁氧体材料制备技术领域。本发明由主料、添加剂和粘合剂构成，以Fe2O3、ZnO、Mn3O4、Li2CO3计算，主料包括64～71mol％Fe2O3、15～22mol％ZnO、0.8～1.5mol％Mn3O4、9.9～12mol％Li2CO3；相对于主料，添加剂以Bi2O3、BST、Nb2O5计算，比例为0.5～3.0wt％Bi2O3、0.1～0.5wt％BST、0.05～0.4wt％Nb2O5。本发明降低了矫顽力和介电损耗、提高了饱和磁化强度，从而实现低矫顽力、低介电损耗、高饱和磁化强度LiZn铁氧体材料的低温制备。
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公开(公告)号：CN119176714B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411368264.2
申请日：2024-09-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/40 , C04B35/622 , H01F1/01
Abstract: 一种C波段超低损耗自偏置六角旋磁铁氧体材料，属于铁氧体材料制备技术领域。所述铁氧体材料包括重量比为0.1～10的BiCaZrVIn‑YIG旋磁铁氧体材料和LaScBiCu‑BaM六角旋磁铁氧体材料；掺杂剂占铁氧体材料的重量百分比，以氧化物计算：0.3～0.7wt％La2O3、0.4～0.8wt％SiO2和0.5～0.9wt％SrTiO3。本发明在低损耗BiCaZrVIn‑YIG旋磁铁氧体颗粒表面生长兼具高Mr/Ms和Hc特性的LaScBiCu‑BaM六角旋磁铁氧体，研制兼具高而可调各向异性场Ha、高矫顽力Hc和剩磁比Mr/Ms、超低铁磁共振线宽△H和介电损耗tanδε特征的六角旋磁铁氧体材料，满足C波段微型集成器件低损耗宽带宽的工程化需求问题。
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公开(公告)号：CN118955112B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411456112.8
申请日：2024-10-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/30 , C04B35/40 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01F1/01
Abstract: 一种Ka波段低损耗自偏置复合铁氧体材料及制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。所述复合铁氧体材料包括NiZn和BaM铁氧体材料；NiZn铁氧体材料包括40~60 mol%NiO、1~5 mol%CuO、1~5 mol%ZnO、40~50 mol%Fe2O3；BaM铁氧体材料包括10~20 mol%BaO、1~10 mol%ZnO、1~5 mol%La2O3、1~10 mol%CuO、60~75 mol%Fe2O3。本发明制得的Ka波段低损耗自偏置复合铁氧体材料兼具高4πMs、Mr/Ms、Ha、Hc和低ΔH、tanδε特性，适用于Ka波段微集成环行器的设计和应用。
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