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公开(公告)号:CN103607112A
公开(公告)日:2014-02-26
申请号:CN201310643640.X
申请日:2013-12-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H02M1/44
Abstract: 本发明公开了一种自适应开关频率调整电路,主要解决现有技术存在的开关变换器仅在较窄负载范围内保持较高效率的问题。其包括模式判别模块,阈值选择模块,基本振荡逻辑,抖频控制逻辑及受控电流源。模式判别模块通过检测外部反馈电压FB,产生两个比较逻辑信号,这两个比较逻辑信号在阈值选择模块中进行逻辑运算,确定基本振荡器逻辑中比较器的低阈值电压,基本振荡器逻辑输出时钟信号并作为抖频控制逻辑的驱动并产生一组控制信号对受控电流源的输出电流进行控制,实现频率抖动,降低开关式变换器的电磁干扰。本发明所述的自适应开关频率调整电路可靠性高,所有功能可完全集成在芯片内部,可应用于各种电源管理系统中。
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公开(公告)号:CN119130536A
公开(公告)日:2024-12-13
申请号:CN202411157049.8
申请日:2024-08-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06Q30/0203 , G06Q30/0202 , G06Q10/04 , G06N3/006
Abstract: 本发明提供一种自动驾驶汽车市场博弈分析方法、系统及存储介质,方法包括:确定博弈参与群体为政府、车企和消费者,根据政府、车企和消费者确定博弈策略集;根据博弈策略集构建感知收益矩阵;构建政府、车企和消费者三方的演化博弈模型,根据感知收益矩阵对演化博弈模型进行求解,得到原始纯策略均衡点;根据原始纯策略均衡点对演化博弈模型进行稳定性分析,得到演化博弈模型的目标纯策略均衡点;根据目标纯策略均衡点进行分析得到政府、车企和消费者的最优策略组合。本发明为政府制定政策提供科学依据,提升对消费者购买意愿的预测准确性,促进自动驾驶汽车市场的健康、可持续发展。
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公开(公告)号:CN112466934A
公开(公告)日:2021-03-09
申请号:CN202011217956.9
申请日:2020-11-04
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/45 , H01L29/20 , H01L29/872 , H01L29/772
Abstract: 本发明公开了一种n型AlN欧姆接触结构、AlN肖特基二极管及AlN场效应晶体管,其中,所述n型AlN欧姆接触结构包括晶圆结构和欧姆接触电极,其中,所述欧姆接触电极设置于所述晶圆结构上,所述晶圆结构包括自下而上依次设置的衬底层、过渡层、沟道层、渐变AlGaN层和n型GaN层,所述渐变AlGaN层中Al组分的含量自下而上逐渐从1变化到0。本发明使用n型掺杂的渐变AlGaN层,降低了欧姆接触电极与AlN之间的势垒高度,从而实现欧姆接触电极与n型AlN之间较低的欧姆接触电阻,有效降低了金属电极与n型AlN的欧姆接触电阻阻值。
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公开(公告)号:CN111969046A
公开(公告)日:2020-11-20
申请号:CN202010683068.X
申请日:2020-07-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种高线性度增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及制备方法,高线性度增强型氮化镓高电子迁移率晶体管,包括:晶圆,晶圆包括三族氮化物异质结,异质结界面形成二维电子气;位于晶圆上两端的源电极和漏电极;栅电极,设置在晶圆上,且位于源电极和漏电极之间;若干p型三族氮化物区,间隔设置在三族氮化物异质结内,且位于栅电极的下方,若干p型三族氮化物区与三族氮化物异质结形成纳米沟道带状结构。本发明的晶体管,在栅电极下设置有纳米沟道带状结构,实现了p型三族氮化物区对三族氮化物异质结的二维电子气的耗尽,形成了增强型的氮化镓高电子迁移率晶体管,而且提高了晶体管的跨导曲线的平坦度和线性度。
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