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公开(公告)号：CN107394022A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710610925.1
申请日：2017-09-05
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01L33/20 , B82Y40/00 , H01L33/007
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米线结构的高效发光二极管及制备方法，主要解决传统LED中空穴注入效率不高而引起的发光效率低的问题。其包括：c面蓝宝石衬底层(1)、高温AlN成核层(2)、n型GaN层(3)、AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱(4)、p型GaN层(5)和电极(6)，其中多量子阱包括五个周期，Al含量x和y由镓源和铝源的流量控制，以获得不同波长的LED，之后利用金属在高温下的蠕变现象形成金属球作为阻挡层，在量子阱上以均匀间隔刻蚀纳米槽，使p型GaN层镶嵌生长在纳米槽内，以提高p型GaN和量子阱的接触面积，有利于空穴的注入，本发明提高了发光效率，可用于紫外及深紫外发光二极管的制作。
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公开(公告)号：CN105244441A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510644931.X
申请日：2015-10-08
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/4226 , H01L51/0003 , H01L51/004
Abstract: 本发明公开了一种基于四苯乙烯聚合物空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及制备方法，主要解决现有空穴传输材料成本高、载流子迁移率低和性质不稳定的问题。其自下而上包括：衬底(1)、阴极(2)、电子传输层(3)、光活性层(4)、空穴传输层(5)、阳极(6)，其中空穴传输层(5)采用厚度为80～200nm的四苯乙烯-三苯胺聚合物TPE-TPA，并通过旋涂TPE-TPA前驱体溶液的方法来制备空穴传输层。本发明的空穴传输层能有效抑制光活性层与空穴传输层间的紧密接触，减少界面处的载流子复合几率，改善界面特性，有效提高了钙钛矿太阳能电池的性能，可用于光电转化。
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公开(公告)号：CN104051627A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410276254.6
申请日：2014-06-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/0024 , H01L51/4246
Abstract: 本发明公开了一种改进的并联叠层有机太阳能电池的制备方法，本发明通过层压技术巧妙地去掉了传统叠层结构中的中间连接层，使两种给体材料分别与一种受体材料形成了体异质结结构的子节电池，使两个有效层直接相连接,使叠层电池的效率能得到进一步的提高。由于中间连接层的消失，避免了光通过此层时的附带吸收，有利于器件对光的有效吸收；避免了它的存在而引入的电阻，有利于器件电学性能的提高；使叠层电池总的材料层数大大减少，结构大大简化，这使得制造工艺更简单，工艺流程更易控制，器件成本也因此大大降低。
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公开(公告)号：CN119698025A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411647324.4
申请日：2024-11-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子辐射加固的氮化镓高电子迁移率晶体管，包括：Si衬底、GaN缓冲层、设置在GaN缓冲层中顶层局部位置处的N型AlGaN层、设置在GaN缓冲层和N型AlGaN层之上的AlGaN势垒层、设置在N型AlGaN层上方且在AlGaN势垒层内部的P型GaN层、表面的SiN钝化层，以及漏电极、栅电极、源电极；本发明在栅极和漏极间势垒层下方生成N型AlGaN层，使得输出电流提高；通过在源漏之间生成P型GaN层与N型AlGaN层，可抬高导带能级，阻断关态下电子从源极向缓冲层的注入，降低缓冲层泄漏电流，削弱器件内部电场，减少电子‑空穴对的碰撞电离产生，降低单粒子瞬态电流，提升器件抗辐射性能。
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公开(公告)号：CN119008697A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411051789.3
申请日：2024-08-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L23/552
Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子效应FinFET器件及其制备方法，该器件包括衬底、Fin鳍结构、浅槽隔离区域、源极电极、漏极电极、栅氧化层、多晶硅栅极电极、第一掺杂类型阱结、第二掺杂类型阱结；Fin鳍结构位于衬底上，浅槽隔离区域围绕Fin鳍结构设置；源极电极和漏极电极位于Fin鳍结构的两端；栅氧化层位于Fin鳍结构中间，并覆盖Fin鳍结构的顶部和两侧；多晶硅栅极电极由栅氧化层的顶部向前后两侧包裹栅氧化层；第一掺杂类型阱结和第二掺杂类型阱结对称设置在衬底两侧。该结构设计避免了引入埋氧化层，在增强器件抗单粒子能力的同时解决了散热问题；且工艺流程简单成熟，制造成本较低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114496934B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202210090171.2
申请日：2022-01-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/8258 , H01L27/088
Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMTs与顶层氢终端金刚石MOSFETs集成结构及其制备方法，该方法包括：提供外延产品，并在AlGaN势垒层上生长SiN介质层和金刚石层；刻蚀去除部分金刚石层后，在SiN介质层刻蚀源电极槽和漏电极槽，并制作HEMT器件的第一源、漏电极；对金刚石层进行氢终端处理，并在氢终端金刚石上制作MOSFET器件的第二源、漏电极；在氢终端金刚石上沉积Al2O3，形成栅介质层；在SiN介质层上制作HEMT器件的第一栅电极；在栅介质层上制作MOSFET器件的第二栅电极。本发明实现了n型GaN HEMT与p型金刚石MOSFET两种器件的异质集成，有利于减小器件体积，提高集成度，为高温CMOS应用提供解决方案；同时调制了GaN HEMTs的热产生分布，提升器件散热能力。
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公开(公告)号：CN116314268A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310280147.X
申请日：2023-03-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/201 , H01L29/41 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种抑制自热效应的氮化镓器件，包括：金刚石衬底、石墨烯层、氮化镓缓冲层、P型氮化镓层、铝镓氮势垒层、钝化层、金刚石散热层、漏极、栅极和源极；金刚石衬底、石墨烯层和氮化镓缓冲层由下至上依次设置；漏极和源极分别位于氮化镓缓冲层上；铝镓氮势垒层位于漏极和源极之间；钝化层位于铝镓氮势垒层的表面；栅极下端穿过钝化层与铝镓氮势垒层接触；P型氮化镓层位于氮化镓缓冲层内部；金刚石散热层位于钝化层的表面。本发明还提供一种抑制自热效应的氮化镓器件的制备方法，本发明从提高器件散热能力和调制栅漏电场两个维度来抑制器件的自热效应，因此可较大程度的降低器件温度、抑制自热效应、改善器件因升温而造成的性能退化。
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公开(公告)号：CN114914363A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210590797.X
申请日：2022-05-27
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种高效稳定钙钛矿太阳能电池及其制备方法，在钛矿太阳能电池制备过程中，通过在钙钛矿前驱体溶液中加入钝化缺陷添加剂制备的钙钛矿薄膜作为钙钛矿吸光层，钝化缺陷添加剂的小分子结构包括磺酰基、氨基、氟基和苯环，其中，磺酰基O＝S＝O结构可以有效抑制氧元素对于钙钛矿的影响，延长钙钛矿器件的使用寿命，而且氨基提高了O＝S＝O和Pb2+的配位能力，大大减少了钙钛矿吸光层中的空位缺陷，对薄膜中的缺陷位置起到了钝化作用，很大程度上减少了薄膜的缺陷，提高了光电转化效率。氟基团有着较强的疏水性，这对于提高钙钛矿薄膜在常温下稳定性有着重要意义，又是钙钛矿和HTL之间有效电荷传输的桥梁，从而大大地提高了钙钛矿薄膜有效电荷的传输效率。
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公开(公告)号：CN111063806B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201911300093.9
申请日：2019-12-16
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，包括：(a)选取衬底基片并进行预处理；其中，所述衬底基片设有阴极电极；(b)在所述衬底基片上生长电子传输层；(c)在所述电子传输层上制备钙钛矿吸光层；(d)在所述钙钛矿吸光层上淀积Base衍生物有机空穴传输材料以形成空穴传输层；(e)在所述空穴传输层上制作阳极以完成所述钙钛矿太阳能电池的制备。本发明公开的太阳能电池工艺简单，成本较低；同时，制备的太阳能电池具有较高的转化率和稳定性。
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公开(公告)号：CN113594236A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110856863.9
申请日：2021-07-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/40 , H01L29/20 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种提高抗单粒子烧毁能力的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，主要解决现有同类器件抗单粒子烧毁能力低的问题，其自下而上包括：衬底(1)、缓冲层(2)、势垒层(3)、钝化层(5)，该钝化层的两端设有源极(6)和漏极(7)，源极的右侧设有与源极之间距离为1～5μm的p‑GaN层(4)，该p‑GaN层上方设有栅极(8)，该栅极上连接有栅场板(9)，该漏极的左侧设有与漏极相连的n型半导体漏极场板(10)，该n型半导体漏极场板与势垒层之间的距离为10～100nm。本发明有效提高了p‑GaN增强型HEMT器件的抗单粒子烧毁能力，可用于工作在空间辐照环境中的航天电子系统。
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