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公开(公告)号：CN105140185A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510540862.8
申请日：2015-08-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/423 , H01L29/84 , H01L29/167
CPC classification number: H01L21/82385 , H01L21/823807 , H01L29/167 , H01L29/4236 , H01L29/84
Abstract: 本发明涉及一种基于GOI的应变SiGe沟道槽型栅CMOS集成器件的制备方法，该制备方法包括:选取GOI衬底；生长N型应变SiGe层，离子注入工艺进行N型掺杂；在N型应变SiGe层表面生长N型Si帽层，形成增强型NMOS有源区和耗尽型PMOS有源区；在其之间形成隔离沟槽；采用刻蚀工艺在NMOS栅极区表面形成双倒梯形凹槽；在NMOS有源区和耗尽型PMOS有源区表面生长氧化层，利用干法刻蚀工艺形成PMOS栅介质层；离子注入工艺形成PMOS源漏区；生长栅极材料形成PMOS栅极；生长栅极材料以形成NMOS栅极；金属化处理，并光刻漏极引线、源极引线和栅极引线，最终形成基于GOI的应变SiGe沟道槽型栅CMOS集成器件。
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公开(公告)号：CN104966716A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510394327.6
申请日：2015-07-07
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/105 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L27/1052 , H01L21/8238
Abstract: 本发明涉及一种异沟道CMOS集成器件及其制备方法，该制备方法包括:选取SOI衬底；在SOI衬底上连续生长P型应变Ge层和P型应变Si层，以分别形成PMOS的沟道层和NMOS的沟道层；在P型应变Si层表面上采用刻蚀工艺形成隔离沟槽，以分离形成NMOS有源区和PMOS有源区；刻蚀PMOS有源区表面的应变硅层，并向PMOS有源区内注入N型离子；在PMOS有源区指定位置处注入P型离子形成PMOS源漏区，在NMOS有源区指定位置处注入N型离子形成NMOS源漏区；在PMOS有源区表面且异于源漏区位置处形成PMOS栅极；在NMOS有源区表面且异于源漏区位置处形成NMOS栅极；金属化处理，并光刻漏极引线、源极引线和栅极引线，最终形成异沟道CMOS集成器件。本发明实施例实现了高性能异沟道CMOS器件的制备。
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公开(公告)号：CN113992023B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202111239692.1
申请日：2021-10-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种隔离型双谐振双向直流变压器，属于电力电子技术领域。该变压器调整传统谐振拓扑结构中电感与电容串联的形式，将谐振电感设置于同一边的两个开关管之间，有助于在一定时间内抵御相邻开关直通，在该时间内，可以通过对电感电流的检测以停机或启用附加的容错控制及辅助电路来保护开关管和主要的功率电路，从而提高其运行的可靠性；同时本发明提出的隔离型双谐振双向直流变压器的直流母线电压变换易实现且双向效果较好；且由于实现了零电流开关，可以实现较高的能量传输效率，又兼具谐振型拓扑功率密度高的优势。
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公开(公告)号：CN112366937B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202011193544.6
申请日：2020-10-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种升降压Cuk双谐振开关电容变换器，该变换器基于传统反压模式SCC进行改进，通过引入两个小电感构成双谐振回路，实现了软开关，降低了变换器的开关损耗，同时通过调节谐振充放电时间实现了该变换器优良的电压增益调节性能。这种RSCC拓扑与其他RSCC拓扑相比，没有增加电路结构的复杂性，为需要高功率密度和超宽的电压增益调节范围的应用场合提供了一种高性能、低成本解决方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111046968B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201911327985.8
申请日：2019-12-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于改进DPC算法的道路网络轨迹聚类分析方法，属于聚类分析方法领域，该方法包括：S1、有效的道路移动对象轨迹采集；S2、轨迹数据的表示；S3、采用聚合距离CD计算子轨迹间的距离，该距离融合了垂直距离、平行距离和角度距离，并以CD距离为基础得到轨迹间相似度度量；S4、根据融合CD距离矩阵，利用改进后的DPC算法进行子轨迹聚类；S5、对于获得的聚类结果，提取出聚类结果的经典轨迹，作为整个道路网络的一种新的行为模式。本发明提高了道路轨迹度量的精度，相比于传统的密度聚类算法减少了自定义参数的影响，并提高了和使用者之间的互动性，有助于发现道路网络中有意义的轨迹模式。
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公开(公告)号：CN105206584B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201510540631.7
申请日：2015-08-28
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种异质沟道槽型栅CMOS集成器件及其制备方法，该制备方法包括:选取SOI衬底；形成SiGe层；连续生长N型应变Ge层和N型应变Si层；采用刻蚀工艺形成隔离沟槽，形成NMOS有源区和PMOS有源区；刻蚀NMOS有源区表面的N型应变Si层，并注入N型离子以形成增强型NMOS有源区；在指定的栅极区表面采用刻蚀工艺形成双倒梯形凹槽；在表面生长氧化层，刻蚀部分区域的氧化层形成PMOS栅介质层；向PMOS有源区表面注入P型离子形成PMOS源漏区；在PMOS的栅介质层表面生长栅极材料形成PMOS栅极；在所述NMOS栅极区生长栅极材料形成NMOS栅极；金属化处理，并光刻漏极引线、源极引线和栅极引线，最终形成异质沟道槽型栅CMOS集成器件。
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公开(公告)号：CN104966716B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201510394327.6
申请日：2015-07-07
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/105 , H01L21/8238
Abstract: 本发明涉及一种异沟道CMOS集成器件及其制备方法，该制备方法包括:选取SOI衬底；在SOI衬底上连续生长P型应变Ge层和P型应变Si层，以分别形成PMOS的沟道层和NMOS的沟道层；在P型应变Si层表面上采用刻蚀工艺形成隔离沟槽，以分离形成NMOS有源区和PMOS有源区；刻蚀PMOS有源区表面的应变硅层，并向PMOS有源区内注入N型离子；在PMOS有源区指定位置处注入P型离子形成PMOS源漏区，在NMOS有源区指定位置处注入N型离子形成NMOS源漏区；在PMOS有源区表面且异于源漏区位置处形成PMOS栅极；在NMOS有源区表面且异于源漏区位置处形成NMOS栅极；金属化处理，并光刻漏极引线、源极引线和栅极引线，最终形成异沟道CMOS集成器件。本发明实施例实现了高性能异沟道CMOS器件的制备。
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公开(公告)号：CN107129154A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710529826.0
申请日：2017-07-02
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于荧光温度探针的透明玻璃陶瓷材料及其制备方法，所述透明玻璃陶瓷材料为氧化物玻璃基体中含有均匀分布的掺杂了Yb3+和Er3+的NaZnPO4晶体，所述氧化物玻璃基体组成中至少包括了Na2O、ZnO、P2O5、B2O3和Sb2O3。所述透明玻璃陶瓷材料的制备原料中，各氧化物比例的优选值分别为：19～23mol％的Na2O；36～44mol％的ZnO；26～32mol％的P2O5；8～10mol％的B2O3；0.9～1.1mol％的Sb2O3；外加占上述氧化物总量0.5～1.5mol％的Yb2O3和0.02～0.08mol％的Er2O3。本发明公开的透明玻璃陶瓷材料是一种既有宽范围的测温区、同时保证足够的温度反应灵敏度的用于荧光温度探针的新型材料。
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公开(公告)号：CN106927047A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710174508.7
申请日：2017-03-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种无人机抓取装置，包括安装在无人机下部的机械臂，机械臂下端与弹舱相连，弹舱包括通过连接柱相连的弹舱上板和弹舱下板，弹舱上板和弹舱下板之间还设有弹簧，弹簧和连接柱间隔设置，相邻的弹簧和连接柱之间的净距小于待取球体的直径。本发明所提供的一种无人机抓取装置，利用弹簧特性，并联机械臂带动弹舱直接取球，弹舱又具有投球功能，功能全面。装置整体结构简单，重量可控，可用于高尔夫球的移动和拾取，或者球状包裹的拾取和投放。
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