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公开(公告)号：CN111668209B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202010522705.5
申请日：2020-06-10
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子技术领域，涉及静电放电(ESD)保护电路的设计，具体提供一种低漏电的用于低压ESD防护的可控硅整流器，用以克服传统DCSCR在基于局部IO端口的ESD防护架构下会产生较大的漏电和静态功耗的问题。本发明通过在器件内部嵌入一个PMOS开关，能够在非常紧凑的版图面积下，实现动态的触发电压；具体来说，当ESD脉冲来临时，PMOS开关导通，此时器件能够在很低的电压下及时触发开启；而在芯片正常工作时，PMOS开关断开，此时触发路径中反偏PN结的存在使得器件的触发电压大幅度提高，因而能够在电源电压下实现很低的直流漏电流。综上，本发明所提出的器件结构能够在满足先进的低压ESD防护需求的基础上大幅减小静态功耗，同时维持非常紧凑的版图布局。
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公开(公告)号：CN110190052B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201910480240.9
申请日：2019-06-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体涉及静电放电(ESD)保护电路的设计，具体提供了一种用于全芯片ESD防护的三端紧凑复合型SCR器件(CCSCR)，包括主放电CCSCR器件与RC辅助触发探测电路；主放电CCSCR器件为一个三端器件，在CMOS器件结构的基础上引入三条寄生SCR通路，从而在更小的版图面积下实现高鲁棒性的全芯片ESD保护；RC辅助触发探测电路的引入能够进一步减小器件的触发电压；另外，本发明CCSCR器件该器件也可作为两端器件为任意IO端口与电源之间提供ESD保护。
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公开(公告)号：CN110335866B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201910562366.0
申请日：2019-06-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体涉及静电放电(ESD：Electro‑Static discharge)保护电路的设计，尤指一种二极管直连触发的可控硅整流器(Diode‑Connected Silicon‑Controlled Rectifier简称DCSCR)；具体为一种基于纳米级集成电路工艺的双向低触发ESD保护器件，用于解决现有DCSCR的反向触发电路的触发电压极大，因此并不能用于纳米级集成电路工艺下的低触发电压窗口的问题。本发明基于纳米级集成电路工艺的双向低触发ESD保护器件，可使用在输入端有正、负电压的情况下，提供有效的双向防护；且在版图改进后，该器件有更快的导通速度和更小的导通电阻，器件性能得到了进一步优化；特别适用于纳米级工艺下的双向ESD防护需求。
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公开(公告)号：CN110571214B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201910801709.4
申请日：2019-08-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体涉及静电放电(ESD：Electro‑Static discharge)保护电路的设计，尤指一种通过二极管通路、三极管通路、SCR通路共同触发可控硅整流器的结构；具体为一种多触发通道的可控硅整流器结构；相比于传统的二极管单触发通路，本发明结构多了三极管触发通路和SCR触发通路，极大的降低了触发电阻、有效的增大了触发电流、降低了触发电压，从而具有更快的开启速度；当ESD事件发生时，能够有效的泄放ESD脉冲电流。
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公开(公告)号：CN111668209A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010522705.5
申请日：2020-06-10
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子技术领域，涉及静电放电(ESD)保护电路的设计，具体提供一种低漏电的用于低压ESD防护的可控硅整流器，用以克服传统DCSCR在基于局部IO端口的ESD防护架构下会产生较大的漏电和静态功耗的问题。本发明通过在器件内部嵌入一个PMOS开关，能够在非常紧凑的版图面积下，实现动态的触发电压；具体来说，当ESD脉冲来临时，PMOS开关导通，此时器件能够在很低的电压下及时触发开启；而在芯片正常工作时，PMOS开关断开，此时触发路径中反偏PN结的存在使得器件的触发电压大幅度提高，因而能够在电源电压下实现很低的直流漏电流。综上，本发明所提出的器件结构能够在满足先进的低压ESD防护需求的基础上大幅减小静态功耗，同时维持非常紧凑的版图布局。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105183551B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201510569965.7
申请日：2015-09-10
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及基于Linux容器技术的多Android系统之间切换方法。包括：在Linux内核中创建至少两个容器，并启动容器中的系统；当调用容器的切换命令时，改变容器中的系统的使用状态；基于系统的使用状态，Frame Buffer驱动将图像输出到对应的地址。该方法通过实现显示设备的复用，支持多个Android同时运行，达到多个Android间的快速切换，提高用户体验。
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公开(公告)号：CN107591401B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201710785508.0
申请日：2017-09-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/105
Abstract: 一种用于高压ESD保护的LDMOS‑SCR器件，属于集成电路静电释放保护电路技术领域。本发明用于高压ESD保护的LDMOS‑SCR器件包括1个LDMOS‑SCR和(n‑1)个与阱电阻并联的VSCR堆叠单元，其中，LDMOS‑SCR的栅电容和堆叠单元中的阱电阻构成一个内嵌的RC通路，可以实现降低LDMOS‑SCR触发电压的目的，而器件的维持电压由1个LDMOS‑SCR器件的维持电压和(n‑1)个VSCR堆叠单元的维持电压共同决定，会随着堆叠VSCR的个数的增加而增加。因此，本发明用于高压ESD保护的LDMOS‑SCR器件在实现高的维持电压的同时，保持了较低的触发电压。
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公开(公告)号：CN110335866A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910562366.0
申请日：2019-06-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体涉及静电放电(ESD：Electro-Static discharge)保护电路的设计，尤指一种二极管直连触发的可控硅整流器(Diode-Connected Silicon-Controlled Rectifier简称DCSCR)；具体为一种基于纳米级集成电路工艺的双向低触发ESD保护器件，用于解决现有DCSCR的反向触发电路的触发电压极大，因此并不能用于纳米级集成电路工艺下的低触发电压窗口的问题。本发明基于纳米级集成电路工艺的双向低触发ESD保护器件，可使用在输入端有正、负电压的情况下，提供有效的双向防护；且在版图改进后，该器件有更快的导通速度和更小的导通电阻，器件性能得到了进一步优化；特别适用于纳米级工艺下的双向ESD防护需求。
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公开(公告)号：CN105374816B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201510976592.5
申请日：2015-12-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成电路静电放电保护领域，具体为一种基于锗硅异质结工艺的双向ESD保护器件，用于克服现有SiGe异质结双极型晶体管HBT器件不能实现相同的双向ESD保护能力的问题。该结构包括：第一种导电类型硅衬底，衬底上依次形成第二种导电类型埋层、第二种导电类型阱区，所述阱区上形成呈左右对称分布的两个第一种导电类型SiGe层，每个SiGe层上分别形成N个第二种导电类型多晶硅层，其中，左侧SiGe层上形成的多晶硅层连接阳极，右侧SiGe层上形成的多晶硅层连接阴极。本发明基于锗硅异质结双极型晶体管HBT的基本结构，构成双向完全对称的SCR结构；当该SCR器件结构的阴极接地，该器件具有双向相同的ESD保护能力。
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公开(公告)号：CN107488267A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710584009.5
申请日：2017-07-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于柔性压力传感器领域，提供一种基于小球改性的高阻变氧化还原石墨烯材料及其制备方法；所述材料由氧化石墨烯掺杂聚乙烯纳米小球形成，其中，所述聚乙烯纳米小球的尺寸为直径90nm～2000nm，掺杂浓度为：质量比，1.56～12.5％。本发明将聚乙烯纳米小球(PS小球)掺进RGO薄膜中，聚乙烯纳米小球作为绝缘体引入，从而改变RGO碎片堆叠的结构，在同等的应变条件下，掺杂后的RGO的电阻变化将会变大，显示出很好的阻变特性；基于本发明RGO薄膜形成的传感器也就拥有更高的灵敏度(7～250)，远远大于常规RGO传感器；同时还能够通过调节掺杂PS小球的尺寸及浓度实现应变检测范围的调节。
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