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公开(公告)号：CN101322216A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200680045225.2
申请日：2006-11-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 史费特那·B·瑞都凡诺 , 安东尼·雷诺 , 詹姆士·S·贝福
IPC: H01J37/12 , H01J37/30 , H01J37/317
Abstract: 本发明揭示一种在离子植入机中提供成段的静电透镜的技术。在一特定例示性实施例中，可将技术实现为用于离子植入机中的静电透镜。透镜可包含以第一电压电位偏压的入口电极，其中离子束经由入口电极进入静电透镜。透镜亦可包含以第二电压电位偏压的出口电极，其中离子束经由出口电极离开静电透镜。透镜可更包含位于入口电极与出口电极之间的抑制电极，抑制电极包含经独立地偏压以操纵离子束的能量以及形状的多个段。
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公开(公告)号：CN111788684B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201880078139.4
申请日：2018-11-27
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 本公开提供一种存储器元件、制作半导体元件的方法及元件结构。存储器元件可包括至少部分地设置在第一水平中的有源元件区。存储器元件可包括至少部分地设置在高于第一水平的第二水平中的存储电容器，其中第一水平及第二水平平行于衬底平面。存储器元件还可包括接触通孔，接触通孔在存储电容器与有源元件区之间延伸，且相对于衬底平面的垂线界定非零度的倾斜角。
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公开(公告)号：CN111788684A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201880078139.4
申请日：2018-11-27
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L27/108
Abstract: 一种存储器元件可包括至少部分地设置在第一水平中的有源元件区。存储器元件可包括至少部分地设置在高于第一水平的第二水平中的存储电容器，其中第一水平及第二水平平行于衬底平面。存储器元件还可包括接触通孔，接触通孔在存储电容器与有源元件区之间延伸，且相对于衬底平面的垂线界定非零度的倾斜角。
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公开(公告)号：CN102428762A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201080020257.3
申请日：2010-04-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H05H1/24 , H05H1/34 , H01L21/265 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32623 , C23C14/48
Abstract: 一种等离子体处理装置，其包含处理腔室；压板，其定位于处理腔室中，用于支撑工件；源，其经组态以在所述处理腔室中产生等离子体，等离子体具有邻近工件的前表面的等离子体鞘；以及绝缘修改器。绝缘修改器具有间隙以及间隙平面，其中间隙平面由绝缘修改器的最靠近鞘且接近间隙的部分界定。将间隙角度界定为间隙平面与由工件的前表面所界定的平面之间的角度。另外，揭示一种使离子撞击工件的方法，其中撞击工件的离子的入射角范围包含中心角以及角分布，且其中绝缘修改器的使用形成不垂直于工件的中心角。
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公开(公告)号：CN101322217B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200680045586.7
申请日：2006-11-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 史费特那·B·瑞都凡诺 , 彼德·L·凯勒曼 , 维克多·M·本夫尼斯特 , 罗伯特·C·林德柏格 , 肯尼士·H·波什 , 泰勒·B·洛克威尔 , 詹姆士·史帝夫·贝福 , 安东尼·雷诺
IPC: H01J37/12 , H01J37/30 , H01J37/317
Abstract: 本发明揭示一种缎带状离子束的成形技术。在一特定例示性实施例中，可将该技术实现为用于缎带状离子束的成形装置。装置可包含具有实质上为矩形的用于使缎带状离子束穿过的孔径的静电透镜，其中多个聚焦元件沿孔径的短边缘而定位，且其中每一聚焦元件经各别地偏压且定向以成形缎带状离子束。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101322216B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200680045225.2
申请日：2006-11-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 史费特那·B·瑞都凡诺 , 安东尼·雷诺 , 詹姆士·S·贝福
IPC: H01J37/12 , H01J37/30 , H01J37/317
Abstract: 本发明揭示一种在离子植入机中提供成段的静电透镜的技术。在一特定例示性实施例中，可将技术实现为用于离子植入机中的静电透镜。透镜可包含以第一电压电位偏压的入口电极，其中离子束经由入口电极进入静电透镜。透镜亦可包含以第二电压电位偏压的出口电极，其中离子束经由出口电极离开静电透镜。透镜可更包含位于入口电极与出口电极之间的抑制电极，抑制电极包含一上部分和一下部分，所述上部分和所述下部分经配置而使所述离子束在所述上部分和所述下部分之间被传送，其中所述上部分和所述下部分之中的至少一个包含经独立地偏压以操纵离子束的能量以及形状的多个段。
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公开(公告)号：CN101432865A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780015283.5
申请日：2007-03-20
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种选择等离子体掺杂过程参数的方法，其包含确定一制法参数数据库以实现至少一个等离子体掺杂条件。根据所述制法参数数据库来确定初始制法参数。执行至少一个等离子体掺杂条件的原位测量。使所述至少一个等离子体掺杂条件的原位测量与至少一个等离子体掺杂结果相关。响应于所述相关而改变至少一个制法参数，以便改进至少一个等离子体掺杂过程性能量度。
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公开(公告)号：CN101401191A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200780008848.7
申请日：2007-01-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01J27/02 , C23C14/48
CPC classification number: H01J37/08 , C23C14/48 , H01J27/02 , H01J37/3171
Abstract: 本发明揭露一种离子布植方法，其包含自C2B10H12产生C2B10HX离子以及将C2B10HX离子布植进材料中。在一些实施例中，C2B10HX离子的分子量大于100amu。在其他实施例中，C2B10HX离子的分子量为约132至144amu或约136至138amu。亦揭露一种离子源，其包含界定腔室的腔室外壳以及经组态以将C2B10H12引入腔室中的源进料气体供应件，其中离子源经组态以将腔室中的源进料气体离子化为C2B10Hx离子。
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公开(公告)号：CN101103432A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200580046588.3
申请日：2005-11-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 安东尼·雷诺 , 唐纳·L·史麦特雷克 , 詹姆士·贝福 , 艾立克·赫尔曼森
IPC: H01J37/317 , H01J37/02
CPC classification number: H01J27/02 , H01J37/026 , H01J37/05 , H01J37/3171 , H01J2237/0041 , H01J2237/055 , H01J2237/057 , H05H7/08
Abstract: 本发明是用一或多个电子源，将电子(18)注入即将在磁铁的磁极片(130，132)之间传送的一离子束(122)。在本发明部分实施例中，该些电子源是位于磁铁的磁极片的其中之一或两者的凹穴(160)中。在本发明其他实施例中，无线电频率或微波等离子流枪是位于磁极片之间，或配置在磁极片的至少其中之一的凹穴中。
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公开(公告)号：CN117524823A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311476800.6
申请日：2019-06-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 克里斯多夫·汉特曼 , 彼得·F·库鲁尼西 , 克里斯多福·A·罗兰德 , 约瑟·C·欧尔森 , 安东尼·雷诺
IPC: H01J37/317 , H01J37/08 , H01J37/32 , H01L21/265 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开一种离子植入及沉积材料及刻蚀及处理工件的方法，所述方法使用的处理系统具有辅助等离子源，所述辅助等离子源靠近工件设置、与离子束一起使用。辅助等离子源用于产生离子及自由基，所述离子及自由基朝工件漂移且可形成膜。接着，离子束用于提供能量，使得所述离子及自由基可处理工件。此外，还公开所述系统的各种应用。举例来说，所述系统可用于包括沉积、植入、刻蚀、预处理及后处理在内的各种工艺。通过将辅助等离子源定位成接近工件，可执行先前不可能实现的工艺。此外，可在不从终端站取出工件的情况下执行两种不同的工艺，例如清洁与植入或植入与钝化。
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