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公开(公告)号：CN118800812A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411270070.9
申请日：2024-09-11
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 李理
IPC: H01L29/872 , H01L23/34 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本申请公开了一种二极管结构及二极管结构的制备方法，二极管结构包括叠层设置的第一外延层和第二外延层，其中，第二外延层包括在第一方向上交替设置且掺杂类型不同的第一子外延部和第二子外延部，第一方向为平行于第一外延层与第二外延层接触的表面的方向，二极管结构还包括：注入区，注入区设置在第一子外延部中背离第一外延层的表面上，其中，第一子外延部的掺杂类型与第一外延层的掺杂类型相同，注入区的掺杂类型与第二子外延部的掺杂类型相同。以解决相关技术中二极管器件结构在参数上产品性能优势不明显、工艺流程复杂和生产成本高的问题。
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公开(公告)号：CN119069539B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411565557.X
申请日：2024-11-05
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，MOS器件包括：每个源区结构包括第一源区结构和第二源区结构，第一源区结构位于外延层背离衬底的一侧，第二源区结构位于外延层背离衬底的一侧，且第一源区结构背离衬底的一侧表面位于第二源区结构靠近衬底一侧的表面中；栅极结构的底面和第一侧面分别与源区结构接触；多个整流结构，整流结构至少部分位于外延层中，整流结构与源区结构接触，整流结构具有与外延层不同的掺杂类型，其中，多个整流结构在第一方向上间隔设置，第一方向平行于第一侧面。以解决相关技术中MOS器件采用外反向并联的二极管导致的增大尺寸和可靠性差，与无法满足不同耐压器件续航能力的问题。
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公开(公告)号：CN118983333B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411452930.0
申请日：2024-10-17
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 李理
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L21/329 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种功率器件及其制备方法，功率器件包括：衬底，衬底具有第一表面；第一外延层设置在第一表面上，第一外延层包括沿第一方向分布的多个外延区域，各外延区域具有背离衬底的第二表面，在第二方向上多个外延区域的第二表面与第一表面具有不同的距离，第一方向平行于第一表面，第二方向垂直于第一表面，第一外延层具有第一掺杂类型；多个注入区，注入区设置在外延区域中，且注入区背离衬底的表面位于第二表面中，每个外延区域中设置有至少一个注入区；第二外延层，第二外延层位于第一外延层背离衬底的一侧，第二外延层与注入区接触，第二外延层与注入区具有第二掺杂类型。以解决相关技术中场限环结构的功率器件击穿电压低的问题。
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公开(公告)号：CN119029045A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411418313.9
申请日：2024-10-11
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 李理
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本申请提供了一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件包括：衬底；第一外延层，包括外延层本体和第一沟槽，外延层本体位于衬底的一侧表面上，第一沟槽位于外延层本体中；氧化层，位于第一沟槽的侧壁上；第二外延层，位于第一沟槽中，第二外延层分别与氧化层和第一沟槽的底面接触，第二外延层的导电类型与第一外延层的导电类型不同。本申请至少解决了现有技术中半导体器件的耐高压能力较差的问题。
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公开(公告)号：CN118937942A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411033021.3
申请日：2024-07-30
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种功率器件的阈值电压测试电路系统和测试方法，包括待测器件、器件反向偏置电压源、电流源、电压表、栅极正向/反向偏置电压源，所述器件反向偏置电压源并联第一开关驱动支路且电性连接所述待测器件的漏极和源极，所述电流源连接所述待测器件的源极、并经第二开关驱动支路电性连接所述待测器件的栅极，栅极正向/反向偏置电压源经第三开关驱动支路电性连接所述待测器件的栅极，电压表经第二开关驱动支路电性连接所述待测器件的栅极。本发明通过在同一电路中集成化地实现漏极反向偏置、栅极正压偏置、栅极负压偏置，快速切换阈值测试功能，同时实时保护偏置电压施加过程中的栅极，既能进行阈值快速测试，又能够对栅极进行保护。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118866974A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411343002.0
申请日：2024-09-25
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，MOS器件包括衬底以及在衬底上层叠设置的漂移层和多个源区，MOS器件还包括：栅氧层，栅氧层至少与源区接触，栅氧层包括在第一方向上交替设置的第一栅氧层和第二栅氧层，第一栅氧层和第二栅氧层包括不同的第一绝缘材料，第一方向平行于衬底与漂移层接触的表面。该MOS器件包括不同绝缘材料的第一栅氧层和第二栅氧层，第一栅氧层和第二栅氧层在平行于衬底与漂移层接触的表面上交替设置，采用常规的栅氧和高K介质材料替换单一的栅氧，提高耐击穿属性，降低介质层中的电场强度，减弱FN隧穿电流，提高栅介质可靠性。以解决相关技术中栅氧在高压场合下容易击穿导致可靠性的问题。
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公开(公告)号：CN118866973A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411342996.4
申请日：2024-09-25
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/07 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，包括衬底以及在衬底的一侧具有漂移层，漂移层具有背离衬底的第一表面，源区结构设置在漂移层中且由第一表面指向衬底的方向延伸，源区结构包括第一注入区、第二注入区和多个第三注入区，第一注入区间隔设置在漂移层中且由第一表面指向衬底的方向延伸，第一注入区具有第一侧面和第二侧面，第二注入区分别与第一注入区的底面和第一侧面接触，第三注入区间隔设置在漂移层中且由第一表面指向衬底的方向延伸，且第三注入区与第二侧面接触，至少一个第三注入区的底面与漂移层接触，第一注入区具有第一掺杂类型，第二注入区和第三注入区具有第二掺杂类型。以解决相关技术中外接FRD导致的MOS器件可靠性较低的问题。
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公开(公告)号：CN119967880A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510119695.3
申请日：2025-01-24
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 李理
IPC: H10D62/10 , H01L21/762
Abstract: 本发明提供了一种功率器件终端结构及制备其的方法，功率器件终端结构包括：N型衬底；N型外延层，N型外延层设置于N型衬底的一侧；多个沟槽，多个沟槽沿N型外延层的长度方向的第一侧至第二侧依次间隔设置于N型外延层，各个沟槽的一端与N型衬底间隔设置，各个沟槽的另一端延伸至N型外延层的远离N型衬底的一侧；多个P型外延层，多个P型外延层沿远离N型衬底的方向依次设置于N型外延层的远离N型衬底的一侧，各个P型外延层的部分均位于多个沟槽中的至少一个内；其中，多个P型外延层的掺杂浓度沿远离N型衬底的方向逐渐减小，解决了现有技术中的SIC功率器件的击穿电压较低的问题。
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公开(公告)号：CN119967824A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510111593.7
申请日：2025-01-23
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 李理
Abstract: 本发明提供了一种二极管结构，包括：基底层体；填充槽，设置在基底层体上，填充槽沿基底层体的长度方向或宽度方向延伸，填充槽为多个，多个填充槽沿基底层体的长度或宽度方向间隔设置；各个填充槽内分别设置有外延填充层体；第一金属层体，与多个填充槽内的至少一个外延填充层体连接，以形成第一欧姆接触；第二金属层体，设置在基底层体上并与基底层体形成肖特基接触。本申请解决了现有技术中的SIC二极管的耐高压能力较低的问题。
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公开(公告)号：CN119894065A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411914058.7
申请日：2024-12-24
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明公开的SiC晶圆结构背银缺陷改善方法及其制作的SiC器件，属于半导体器件加工技术领域。所述方法包括：S1、在SiC衬底正面加工并形成正面工艺膜层；S2、在SiC衬底背面加工背面欧姆金属层；S3、在欧姆金属层表面背金中间金属层；S4、在中间金属层表面通过低温加工方式背金第一银层；S5、在第一银层表面通过高温加工方式背金第二银层。本发明中，高温加工方式背金的第二银层更加致密，抵御高温下测试粗糙化能力更强，但是应力大；故而先通过低温加工方式加工一层粗糙但应力小的第一银层，达到应力逐步释放的目的。这样，背金后的SiC晶圆结构在后续电性能参数CP测试和晶圆可靠性测试过程中，就不会呈现宏观肉眼可见的白斑缺陷。
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