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公开(公告)号：CN118878824A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411133198.0
申请日：2024-08-19
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供了一种紫外阻隔性聚酰亚胺树脂及其制备方法和应用，通过聚酰亚胺分子结构的设计，在聚酰亚胺中引入抗紫外基团，实现聚酰亚胺材料的截止波长红移的控制，提升了柔性显示器件用聚酰亚胺盖板材料的紫外光阻隔性，从而提升柔性显示器产品的使用寿命及器件性能稳定性。
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公开(公告)号：CN114725080B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202210296638.9
申请日：2022-03-24
Applicant: 湖南大学
Inventor： 潘安练
IPC: H01L25/075 , H01L33/50 , H01L33/62
Abstract: 本公开涉及一种发光单元、显示装置及其制备方法。发光单元包括：无源背板；第一LED芯片，位于无源背板的正面；第二LED芯片，位于无源背板的正面；第三LED芯片，位于第二LED芯片上；第一LED芯片和第二LED芯片均为蓝光LED芯片且第三LED芯片为绿光LED芯片，或第一LED芯片和第二LED芯片均为绿光LED芯片且第三LED芯片为蓝光LED芯片；色转换材料层覆盖所述第一LED芯片；多个阳极背面引出电极，自无源背板的背面贯穿无源背板。上述发光单元不仅减小了Micro‑LED结构的尺寸，还确保在具有较小尺寸的情况下仍具有较高的红光外量子效率。
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公开(公告)号：CN114725276B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202210247957.0
申请日：2022-03-14
Applicant: 湖南大学
Inventor： 潘安练
Abstract: 本发明涉及一种Micro‑LED分立器件，包括：无源背板，所述无源背板中设有一个阴极触点以及多个阳极触点；第一键合层，位于所述无源背板上，发光组件，通过所述第一键合层与所述无源背板键合，所述发光组件包括多个层叠设置的发光结构，相邻两层所述发光结构中下一层所述发光结构相对于上一层所述发光结构在第一方向上伸出而形成阶梯结构，位于顶层的所述发光结构的N型半导体层至少部分外露以及剩余所述发光结构的N型半导体层在所述阶梯结构处至少部分外露，其中，多层外露的所述N型半导体层彼此电连接，多层所述发光结构的欧姆接触层分别与多个所述阳极触点一一对应电连接。采用本申请提供的器件可以实现三原色Micro‑LED分立器件的一体集成。
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公开(公告)号：CN116825878A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202311110105.8
申请日：2023-08-31
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/032 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种面外p‑n结面内自发电极化二维体光伏材料及其制备方法和应用。所述二维体光伏材料由下至上依次为基底材料、Si层、SiO2层，BP层、MoS2层、封装层和电极层；所述Si层、SiO2层，BP层和MoS2层组成光伏层；所述BP层和MoS2层的扶手椅晶向平行。该二维体光伏材料基于各材料层的协同作用，利用BP层和MoS2层之间特殊的沉积角度，产生体光伏效应，进而产生位移电流，突破肖特利‑奎伊瑟光电转换极限，基于所提供的二维体光伏材料所制备的光电探测器，有效的将面外的光伏效应与面内的体光伏效应相结合，产生了多维度电极化，具有高偏振度的近红外响应以及超快的响应速度，实现高效光电探测。
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公开(公告)号：CN116590797A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310576616.2
申请日：2023-05-22
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于分子束外延生长的碲化钼的方法。将钼源和碲源分别置于不同的蒸发源内，蒸发的碲、钼原子在超高真空环境中沉积于表面处理后的Au（111）衬底表面，即得；所述钼原子的沉积速率为0.015~0.03ML/min，所述碲原子与钼原子的沉积速率比为18~25：1；所述Au（111）衬底的表面温度为265~285℃。该方法基于各过程间的协同控制，通过控制原料的沉积速率和衬底的表面温度可控合成单层1T′相碲化钼单晶；基于本发明所提供的技术方案所得的单层1T′相碲化钼单晶尺寸可达微米级，且所得晶体缺陷少，结晶质量高，无1H等杂相的混合，可满足高能低耗电子学器件制备的性能要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116516490A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310543438.3
申请日：2023-05-15
Applicant: 湖南大学
IPC: C30B29/46 , C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种厘米级单晶单层的MoS2薄膜及其快速制备方法，将C/A‑蓝宝石衬底与Mo源置于管式炉的中心区，其中C/A‑蓝宝石衬底位于相比Mo源更靠近管式炉的上游的位置，且C/A‑蓝宝石衬底与Mo源的间距≤3cm，将S源置于管式炉的上游，然后通过化学气相沉积即得MoS2薄膜，所述Mo源由Mo箔以及夹在两片Mo箔中间的混合粉末组成，所述混合粉末由MoO3粉与NaCl粉组成。本发明只需2min左右生长保温时间，即可以获得高质量厘米级单晶单层的MoS2薄膜。相对于现有技术，生长时间大幅缩短。本发明有效解决了现有技术中厘米级单晶单层MoS2薄膜的生长速度慢，合成时间长的难题。
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公开(公告)号：CN113697779B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202011167167.9
申请日：2020-10-27
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种新型超薄三硒化二铬纳米片磁性材料及其制备和应用，属于二维磁性材料开发技术领域。所述新型超薄三硒化二铬纳米片磁性材料，为片状结构；其中，单个片状三硒化二铬纳米片中，厚度为单个晶胞厚度～N个晶胞厚度；所述N大于1；所述单个片状三硒化二铬纳米片的尺寸大于等于18微米。其制备方法为：在保护气氛下，将硒气和含铬气体置于800‑900℃的环境中进行化学气相沉积，得到三硒化二铬纳米片。本发明所设计和制备的三硒化二铬纳米片可应用于过渡金属硫化物的能谷调控；其能谷调控效果明显并能在大气环境下稳定工作。
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公开(公告)号：CN116400563A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310304893.8
申请日：2023-03-23
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种量子点光刻胶的合成方法，采用油酸、油胺长链配体，以极性溶剂为反应溶剂，添加卤化铅以及铯源为前驱体物质，一步生成高质量钙钛矿量子点，然后通过试剂对钙钛矿量子点表面配体进行清除形成表面缺陷，让钙钛矿量子点具备电负性，再添加卤化铵封端的配体与量子点表面的缺陷结合后制备成光刻胶。本发明不仅提升了量子点光刻胶的稳定性，而且增强了量子点与感光配体的作用力，进而实现了高精度的量子点显示阵列器件的可控制备，易于实现量产，解决了微小显示屏多彩色转换的复杂工艺，相较其他现有产品具有更简便的工艺、更高的稳定性、色彩纯度高和更大的显示色域，有助于推动Mini LED/Micro LED彩色化应用。
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公开(公告)号：CN116247134A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310339372.6
申请日：2023-03-31
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种纳米发光器件及其制备方法，该纳米发光器件的制备方法，提供外延片，然后于外延片上形成牺牲层，再自上而下刻蚀形成贯穿牺牲层、第一导电层、第一氮化镓层和量子阱有源层，深至氮化镓叠层的至少一纳米柱结构，每一纳米柱结构均可作为一颗纳米发光器件的像素点。纳米柱结构采用氧化硅层填平后，去除牺牲层及部分氧化硅层，并在纳米柱结构和氮化镓叠层上形成第一电极且在氮化镓叠层上形成第二电极，由此制备的纳米发光器件的纳米柱结构形状完整，提高了纳米发光器件的出光效率和发光性能，释放了应力，缓解了应力集中带来的极化场影响，且在垂直方向的电子输送过程中，加强了纳米级尺度的电流限制能力，提高了电光转化效率。
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公开(公告)号：CN113284889B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202110433616.8
申请日：2021-04-20
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02 , H01L29/24 , H01L29/778 , H01L21/8232
Abstract: 本发明公开了一种二维半导体异质结阵列器件及其制备方法，所述二维半导体异质结阵列器件包含衬底、位于衬底上的沟道材料层陈列，间隔的位于每个沟道材料层上的两个接触层，以及分别位于两个接触层上的源极电极和漏极电极，沟道材料层与接触层为一体成型的WSe2/SnS2异质结材料，其中沟道材料层的材料为WSe2材料，接触层的材料为SnS2材料。SnS2作为金属电极和底层WSe2材料之间的接触层，起到保护与电极接触部分的材料、降低接触电阻、提升器件性能的作用。
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