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公开(公告)号：CN116590797A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310576616.2
申请日：2023-05-22
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于分子束外延生长的碲化钼的方法。将钼源和碲源分别置于不同的蒸发源内，蒸发的碲、钼原子在超高真空环境中沉积于表面处理后的Au（111）衬底表面，即得；所述钼原子的沉积速率为0.015~0.03ML/min，所述碲原子与钼原子的沉积速率比为18~25：1；所述Au（111）衬底的表面温度为265~285℃。该方法基于各过程间的协同控制，通过控制原料的沉积速率和衬底的表面温度可控合成单层1T′相碲化钼单晶；基于本发明所提供的技术方案所得的单层1T′相碲化钼单晶尺寸可达微米级，且所得晶体缺陷少，结晶质量高，无1H等杂相的混合，可满足高能低耗电子学器件制备的性能要求。
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