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公开(公告)号：CN116732540A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310183514.4
申请日：2023-03-01
Applicant: 湖南大学
IPC: C25B3/23 , B22F1/18 , B22F1/054 , B82Y40/00 , C25B3/07 , C25B11/054 , C25B11/081 , C01B32/90 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种用于乙醇氧化的MXenes负载金属烯复合材料及其制备方法。本发明制备的复合材料以MXenes纳米片为载体，具有几层原子厚度的金属烯均匀负载在上述纳米片上。该制备方法操作简便、快捷高效，具有普适性。同时，该方法制备的MXenes负载金属烯复合材料具有优异的电催化乙醇氧化性能。
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公开(公告)号：CN116732408A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310183283.7
申请日：2023-03-01
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种MXenes负载超细纳米高熵合金复合材料及其制备方法。本发明制备的复合材料以硫修饰的Ti3C2TX纳米片为载体，纳米高熵合金通过与硫原子形成共价键锚定在上述纳米片上。同时，该制备方法简单、快捷高效，具有普适性，能够制备一系列超细纳米高熵合金复合材料。
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公开(公告)号：CN108735732B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201810540058.3
申请日：2018-05-30
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种LDMOS静电保护器件，包括衬底，衬底上设有深N阱，所述深N阱内设有第一P阱和第一N阱，所述第一P阱内设有第一N+注入区、第二N+注入区和第一P+注入区，所述第一N阱内设有第三N+注入区、第二P+注入区和第三P+注入区；所述第二N+注入区、所述第一P阱、所述第一N阱构成第一NPN结构，所述第一P阱、所述第一N阱、所述第三P+注入区构成第一PNP结构，所述第一NPN结构与所述第一PNP结构形成第一SCR路径；所述第一N+注入区、所述第一P阱、所述第二N+注入区构成第二NPN结构，所述第三P+注入区、所述第一N阱、所述第二P+注入区构成第二PNP结构，所述第二NPN结构与所述第二PNP结构形成第二SCR路径。本发明增加了一条SCR路径，提高了静电泄放能力。
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公开(公告)号：CN108766964B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201810482780.6
申请日：2018-05-18
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种LDMOS静电保护器件，包括衬底，衬底上设有深N阱，深N阱内从左到右依次设有第一P阱、第三N+注入区、第三P+注入区和第四N+注入区，第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区和第二P+注入区；第二N+注入区和第二P+注入区互相连接；第一P+注入区、第一N+注入区连接阴极；第三P+注入区、第四N+注入区连接阳极，第三P+注入区、深N阱、第一P阱构成第一PNP型晶体管；深N阱、第一P阱、第一N+注入区构成第一NPN型晶体管；第二N+注入区、第一P阱、第一N+注入区构成第二NPN型晶体管。本发明能够在不牺牲SCR结构较强泄放电流能力的同时提高维持电压，避免LDMOS器件发生闩锁，维持鲁棒性。
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公开(公告)号：CN109300895B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201811162798.4
申请日：2018-09-30
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种LDMOS‑SCR结构的ESD保护器件，主要由衬底P‑SUB、第一NWD、第二NWD和P阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区、第三P+注入区、第一栅氧、第一多晶硅栅、第一场氧、第二栅氧、第二多晶硅栅、第二场氧、第一场氧隔离区、第二场氧隔离区、第三场氧隔离区、第四场氧隔离区和第五场氧隔离区构成，P阱和第二P+注入区为环形。本发明通过形成一条泄放电流的路径来削弱LDMOS‑SCR结构的正反馈，以此来抬高静电防护应用中的LDMOS‑SCR结构的维持电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111584646A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010452327.8
申请日：2020-05-26
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种近红外热电子光探测器及其制备方法，该近红外热电子光探测器包括：n型的SOI片，所述SOI片作为基底，所述SOI片的顶层硅膜厚度为5～20微米，所述SOI片内设有埋氧层，所述SOI片内部的下方设有减薄区，所述减薄区将所述埋氧层隔断，所述减薄区的外周设有底电极；纳米电极，所述纳米电极设于所述顶层硅膜上，所述纳米电极与所述顶层硅膜形成肖特基结；氮化硅保护层，所述氮化硅保护层设于所述顶层硅膜上，且所述氮化硅保护层将所述纳米电极包裹住，所述氮化硅保护层上设有用于连接外部电路的接触孔。本发明能够减少热电子输运过程中的散射损失，提升器件的光电响应率和响应速度。
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公开(公告)号：CN109166941B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201810388951.9
申请日：2018-04-26
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L31/078 , H01L31/0224 , H01L31/02
Abstract: 本发明提供了一种能源转换器件，具有衬底，在衬底上形成电极3，在电极3上形成介电层，在介电层上分别形成电极1和电极2，在电极1和2以及介电层上形成半导体层，其中电极1与所述半导体层形成欧姆接触，电极2与所述半导体层形成肖特基接触，在衬底硅电极3与电极1之间施加交流信号，在电极1和电极2之间就会形成稳定的直流输出，该能源转换器件不仅制备工艺简单，而且可以收集具有任意幅值的电磁波信号用于转化成直流电，并且无衰减，能长期工作，工艺性能稳定。
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公开(公告)号：CN108649028B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201810496599.0
申请日：2018-05-22
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种静电保护器件，包括衬底、在衬底内设有深N阱，在深N阱内设有第一P阱、第二N+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、第三N+注入区以及第二P阱，第一P阱内设有第一P+注入区以及第一N+注入区，第二P阱内设有第四N+注入区以及第五P+注入区，第三P+注入区与阳极相连，第一P+注入区和第五P+注入区均与阴极相连，第二多晶硅栅和第三多晶硅栅均与栅极相连。本发明提出的静电保护器件，可有效降低触发电压，提高静电泄放电流能力，满足高压功率集成电路的鲁棒性要求。
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公开(公告)号：CN109411468A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811253429.6
申请日：2018-10-25
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种可控硅静电保护器件，包括衬底、埋氧层、N阱以及P阱，在N阱内设有第一P+注入区、第一多晶硅栅、第二P+注入区以及第四N+注入区，在P阱内设有第一N+注入区、第二多晶硅栅、第二N+注入区以及第四P+注入区，第三P+注入区与第三N+注入区跨接在N阱与P阱之间的交界处，第一P+注入区与阳极相连，第一N+注入区与阴极相连，第一P+注入区、第一多晶硅栅、第二P+注入区与N阱构成PMOS管，第一N+注入区、第二多晶硅栅、第二N+注入区与P阱构成NMOS管。本发明具有低触发电压、高维持电压、结构简单、易于集成以及鲁棒性高等优点，适用于器件以及电路的静电保护。
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公开(公告)号：CN108807370A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810502074.3
申请日：2018-05-23
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0259
Abstract: 本发明提供一种静电保护器件，包括衬底、在所述衬底内设有深N阱，在深N阱内从左到右依次设有第一N阱、第一P阱以及第二N阱，第一N阱内从左到右依次设有第一N+注入区以及第一P+注入区，第一P阱内依次设有第二N+注入区、第二P+注入区以及第三N+注入区，第二N阱内依次设有第三P+注入区以及第四N+注入区，第一N+注入区以及第一P+注入区均与阳极相连，第三P+注入区以及第四N+注入区均与阴极相连，静电保护器件的形状为轴对称的八边形。本发明提出的静电保护器件，可提高维持电压，增强ESD鲁棒性。
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