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公开(公告)号：CN103668453B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210353611.5
申请日：2012-09-21
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开一种气态硅源生长二维硅烯薄膜的方法，采用化学气相沉积或物理气相沉积技术将硅原子基团从气态硅源中释放在催化层上而形成硅烯薄膜；所述催化层的厚度为25nm～25mm，催化层温度控制在20℃～1600℃之间。本发明方法简单、易于实现。制备得到的硅烯薄膜是由三个、四个、五个或七个硅原子为其重复单元并由共价键相连而成的二维层状薄膜，所包含的硅烯的层数为1～200层。
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公开(公告)号：CN104843689A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510195619.7
申请日：2015-04-22
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种定位制备石墨烯薄膜的方法，适于在衬底的特定位置制备高质石墨烯薄膜。本发明使用诱导剂诱导石墨烯薄膜在衬底得特定位置成核与生长，包括使衬底暴露在诱导剂的气氛中或者使衬底含有诱导剂，然后采用本领域的技术方法如化学气相沉积方法或碳偏析法在衬底的特定位置制备石墨烯薄膜。本发明采用诱导剂触发、诱导石墨烯薄膜在衬底上成核和生长；通过这种诱导性而在衬底上实现优先成核和生长，从而达到石墨烯薄膜在衬底上的定位制备。本发明采用的诱导剂简单、安全、可靠、简单易行。本发明的定位制备石墨烯薄膜为石墨烯薄膜的集成光电子应用奠定了基础。
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公开(公告)号：CN103011137A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110289050.2
申请日：2011-09-26
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了通过化学反应制备石墨烯薄膜的方法。以含有碳元素的气态碳源、固态碳源、液态碳源或前述碳源中任意两种或两种以上混合碳源材料与化学反应物质进行化学反应而使碳源材料中的碳原子活性化，并沉积在衬底上生长石墨烯薄膜。本发明的特征在于产生合成石墨烯薄膜所需的碳原子的方法与常规的化学气相沉积等方法不同，合成石墨烯薄膜的碳源材料来源广泛，合成石墨烯薄膜不受衬底制约；所生长的石墨烯薄膜结构、大小尺寸容易控制；适合用于大规模地制备石墨烯薄膜。
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公开(公告)号：CN103011136A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110287621.9
申请日：2011-09-23
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种制备石墨烯薄膜的方法。采用能量粒子如激光束、电子束、射频束、射线、光子、中子束、离子束、等离子体等技术方法将含有碳元素的气态碳源、固态碳源、液态碳源或前述碳源中任意两种或两种以上混合碳源材料中的碳原子活性化而在衬底上生长石墨烯薄膜。本发明产生合成石墨烯薄膜所需的碳原子的方法与常规的方法不同，其优点在于产生合成石墨烯薄膜所需的碳原子的产生方法具有很大的选择性，对碳源材料没有特殊要求，对衬底也没有特殊的要求，既可以在具有催化功能的衬底，也可以在不具有催化性能的半导体或绝缘体衬底上直接合成石墨烯薄膜。所生长的石墨烯薄膜的层数、结构、尺寸容易控制；适合用于大规模地制造高性能的光电子器件。
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公开(公告)号：CN102242062B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201110097791.0
申请日：2011-04-19
Applicant: 浙江大学
IPC: C12M1/34 , G01N27/447
CPC classification number: G01N33/48721 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种高分辨率的生物传感器。第一绝缘层、纳米功能层和第二绝缘层构成的基本单元的中心设有纳米孔从而组成纳米功能层单元，第一电泳电极或微泵、第一储藏室、第二储藏室、第二电泳电极或微泵和微纳米分离通道构成微纳米流体器件单元，纳米功能层单元、源电极、漏电极、介电层、栅电极构成场效应晶体管单元。当生物分子在微纳米流体器件中经过纳米孔，并与纳米功能层发生相互作用时，由场效应晶体管单元测量该相互作用导致的场效应特征的变化，达到检测生物分子的目的。本发明解决了将纳米孔集成于纳米功能层的技术难点，可以控制生物分子穿越纳米孔时形态的变化，解决了达到检测生物分子的特征结构的分辨率，传感器的制备方法简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119181388A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411676171.6
申请日：2024-11-22
Applicant: 浙江大学
IPC: G10L25/66 , G06N3/0442 , G06N3/0455 , G06N3/092 , A61B7/00 , A61B7/02 , G10L25/30
Abstract: 本申请涉及呼吸音识别领域，具体地公开了一种基于梅尔频谱图的呼吸音分类方法及系统，其利用具有新型网络结构的呼吸音分类模型来提升呼吸音分类的灵敏度与特异度。特别地，所述具有新型网络结构的呼吸音分类模型包括音频频谱图变换器网络、多尺度特征提取网络、时序特征提取网络和线性输出层网络，其中，所述多尺度特征提取网络和所述时序特征提取网络形成特征编解码架构对由所述音频频谱图变换器网络输出的呼吸音图谱特征进行全局特征与局部特征强化学习，据此来提升呼吸音分类的灵敏度与特异度。
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公开(公告)号：CN117976760A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410157676.5
申请日：2024-02-04
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/112 , H01L31/0336 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种可应用于日盲紫外探测的光电晶体管，所述光电晶体管依次包括硅层、HfO2层、六方氮化硼层、二维材料层、与所述的二维材料层电接触的源极和漏极。应用于光电探测器时，不仅集成了常规异质结光电探测器和电荷耦合器件的工作原理，而且创造性地开拓了高介电常数绝缘材料的电容和极化效应以及界面效应。本发明的光电探测器是两端器件，即光电响应产生的电荷由二维材料层以电流信号表现出来，工作电压只需要施加在与二维材料形成电接触的两个电极。本发明光电探测器在200–2000nm光谱范围具有优异的光响应特性、可以日盲紫外探测等应用，本发明光电探测器具有极低的工作电压等特征。
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公开(公告)号：CN116657244A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310488717.4
申请日：2023-05-04
Applicant: 浙江大学
IPC: C30B25/00 , C30B28/14 , C23C14/16 , C23C14/08 , C23C14/35 , C30B29/46 , C30B29/64 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种1T相CrTe2薄膜的大面积低温制备方法，包括以下步骤：步骤1：采用含Cr的均匀连续薄膜作为固态的第一前驱体，其中采用Cr，Cr2O3作为铬源；步骤2：处理碲源使其形成气态的第二前驱体，其中采用碲粉作为碲源；步骤3：在还原性气氛下，将气态的第二前驱体传质到带有第一前驱体的基底上进行化学反应，形成二维CrTe2材料；步骤4：所述化学反应在等离子体辅助下进行，等离子体功率为100‑500W。本发明使用含Cr的大面积薄膜作为铬源，使用等离子体增强化学气相沉积技术，实现了低温制备晶圆级CrTe2薄膜，提高了制备效率和材料产量，方法简单，可靠性高。
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公开(公告)号：CN115074695A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110289827.9
申请日：2021-03-15
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种新型二维CrX2(X＝S或Se)材料的制备方法，包括：1)对反应腔室抽真空，使本底真空达到1.0x100Pa–1.0x10‑3Pa；2)将铬源与添加剂材料混合在一起，使混合物形成第一气态前驱体，处理X源使其形成第二气态前驱体，其中采用CrCl3，CrBr3或CrI3作为铬源，硫粉、硒粉或H2S作为X源；3)在还原性或氧化性气氛下，将第一气态前驱体与第二气态前驱体传质到衬底上进行化学反应，形成二维CrX2材料，X＝S或Se，所述化学反应时衬底采用分段升温及恒温处理。本发明提供的制备方法可以有效提高制备CrX2材料的产率。
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公开(公告)号：CN114613911A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210228997.0
申请日：2022-03-08
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二硒化钨和IEICO‑4F的异质结结构及光电探测器、及其制备，通过化学气相沉积法在硅衬底上合成单层二硒化钨薄膜，再通过旋涂工艺在二硒化钨薄膜上制备出IEICO‑4F层。该异质结能带呈II型(交错)排列，有利于快速分离因入射光所生成的光生载流子而形成光电流，且随着有机半导体层厚度增加，二硒化钨的光致发光峰显著淬灭，器件表现出更加优异的光响应特性。该异质结及其光电探测器的制备方法简单、成本低、兼容硅工艺。由该异质结结构组成的光电探测器具有高响应率、高探测率、高稳定性、宽光谱响应等优异特性，这为新一代基于二硒化钨的光电探测器提供新的指导意义。
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