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公开(公告)号：CN102155526B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110091096.3
申请日：2011-04-12
Applicant: 江苏大学
IPC: F16H47/04
Abstract: 本发明公开一种机械-液粘复合式无级调速装置，包括支撑块（3）、输入轴（6）、碟簧（11）、外摩擦片（12）、内摩擦片（13）、行星轮（16）、行星轴（17）、太阳轮（18）、输出轴（21）；输入轴（6）一端与太阳轮（18）固接；太阳轮（18）与行星轮（16）、输出轴（21）、内齿圈（14）组成行星传动系统；所述行星轮（16）通过行星轴承（25）与行星轴（17）连为一体，安装到输出轴（21）密闭空间内的轴面上；所述内齿圈（14）通过内齿与行星轮（16）啮合，另一端通过内花键与外摩擦片（12）装配；所述内摩擦片（13）通过销轴（10）固定在支撑块（3）与挡块（15）之间。本装置结构合理、简单紧凑、使用寿命长、适用于大功率设备的调速和软启动。
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公开(公告)号：CN102222142B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201110164391.7
申请日：2011-06-20
Applicant: 江苏大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开一种微/纳/光电子器件界面结构的跨尺度设计方法，先设计有限元界面元耦合区域和分子动力学界面元耦合区域，构造有限元、界面元及分子动力学的耦合模型；再在有限元区域利用有限元法求解有限元方程，将有限元方程解转化到界面元区域的边界进而求解出界面元区域的解；然后对分子动力学界面元耦合区域内的原子进行赋值，将界面元区域的解转化为分子动力学区域内的原子的边界条件；在分子动力学区域内启动分子动力学求解，采用非平衡态分子动力学模型求解原子的新位置；最后判断分子动力学区域的系统平衡；本发明在系统上实现能量的耦合传递，实现微/纳/光电子器件结构界面特征的宏/微/纳模拟，具有准确、科学和效率高的特点。
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公开(公告)号：CN102182734A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110119991.1
申请日：2011-05-11
Applicant: 江苏大学
IPC: F16B4/00
Abstract: 本发明公开一种用于电表封装、品牌手机、家电及其他专属设备的一次性防拆卸连接件及使用方法，在挡片正下方是与挡片同轴连接的圆柱形的光杆，光杆的正下方是与光杆同轴连接的半圆柱体，光杆的直径小于半圆柱体的直径，半圆柱体的直径小于挡片的直径；在半圆柱体的侧平面上设置若干个向斜上方延伸的等距卡齿。将两连接件分别从两个被连接件的共同通孔的两端插入，使两连接件各自的卡齿面对面接触，用力压紧，使两连接件各自的卡齿相互配合卡进；本发明采用器件自锁原理实现不可逆操作，可加工成不同规格，易实现系列化和标准化；具备简单可靠的特性，装配方便快捷，有助于提高工作效率。
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公开(公告)号：CN114522676B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202210036107.6
申请日：2022-01-13
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明提供一种氧化锌纳米线填充的多孔硅复合材料及其制备方法，包括以下步骤：将方形硅片放入盛有所述电化学腐蚀液的容器中，施加恒定的电流进行电化学腐蚀，得到多孔硅；将所述多孔硅放入种子层溶液中，利用真空抽滤结合溶胶凝胶法，烘干，退火后在多孔硅孔壁制备氧化锌种子层，得到多孔硅‑氧化锌种子层；将所述多孔硅‑氧化锌种子层垂直放入所述氧化锌纳米线生长溶液中，油浴反应得到氧化锌纳米线填充的多孔硅复合材料。本发明在多孔硅孔内制备氧化锌纳米线，实现氧化锌纳米线填充的多孔硅复合材料的快速制备，该方法步骤简单，能够高效的制备氧化锌纳米线填充的多孔硅复合材料，该方法操作简单，成本低廉，大大提高了氧化锌的光学性能。
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公开(公告)号：CN113009290B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202110162399.3
申请日：2021-02-05
Applicant: 江苏大学
IPC: G01R31/12 , G01R31/327
Abstract: 本发明提供一种特高压GIS设备局部放电种类识别和定位方法及系统，包括TMR磁传感器、GIS腔体外的信号接收器和数据处理中心；TMR磁传感器内置在GIS设备内部，用于感应局放脉冲电流产生的脉冲磁场，输出实时的电压信号，并通过GIS腔体外的信号接收器将数据传输到数据处理中心；信息处理模块将收到的电压信号去噪处理得到图谱；模式识别模块读取信息处理模块去噪得到的图谱，通过神经网络识别特征，得出局放缺陷的类型，定位模块用于根据TMR磁传感器的电压信号对每一个TMR磁传感器进行角度计算，得到指向局部放电位置的空间角度。本发明有集成化、频带宽、功耗小、分辨率高、抗干扰能力强、定位精确等优点，非常适合对局放缺陷进行在线检测与识别和定位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113325228A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110626452.0
申请日：2021-06-04
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明提供一种基于磁阻效应传感器阵列的单侧电流探测装置及方法，包括TMR磁阻芯片阵列、AMR磁阻芯片阵列、信号处理电路模块以及微控制器；TMR磁阻芯片阵列包括三个TMR磁阻芯片，AMR磁阻芯片阵列包括三个AMR磁阻芯片，TMR磁阻芯片阵列和AMR磁阻芯片阵列测量载流导体周围磁场，输出电压信号，电压信号经信号处理电路模块处理后输入微控制器，微控制器计算得到待测载流导体的电流值。本发明基于磁阻效应原理制作一款具有导线定位功能，且位于导线单侧即可进行导线电流值非接触测量的高灵敏度电流测量装置，使用场景众多，可配备伸缩杆探测远处的电线电流，也可进行固定安装，用于输电线路电流监测，或是搭载于无人机或机器人上进行电路巡检测试等。
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公开(公告)号：CN108481305B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201810038601.X
申请日：2018-01-16
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明涉及一种电磁驱动的仿蛇形软体机器人。包括六边形柱状薄板、电磁铁、软体空腔、头部和凹槽嵌套体；其中每个六边形柱状薄板的两面分别均匀布置六个条状电磁铁；其中一面的六个电磁铁上分别装凹槽嵌套体，用胶粘接；在另一面六边形柱状薄板中心把软体空腔用胶粘接，从而组成仿蛇形软体机器人的一个基本结构单元；由基本结构单元沿着软体空腔的中心线，按照有软体空腔一侧的软体空腔用胶粘接在无软体空腔一侧薄板中心的方式，依次连接构成机器人。利用电磁铁通电时有磁性，断电时磁性消失，同时结合软体空腔的弹性，通过头部的无线收发模块控制不同的电磁铁组通断电，达到多个点位的控制，从而实现直行、转弯、抬头、蜿蜒爬行等多自由度动作。
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公开(公告)号：CN107290826B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201710616456.4
申请日：2017-07-26
Applicant: 江苏大学
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明公开了一种基于风车型缺陷的具有大的TM禁带的二维正方晶格光子晶体结构，包括高折射率的介质柱和低折射率的背景介质；光子晶体结构由高折射率介质柱按正方晶格排列成正方晶格光子晶体；正方晶格光子晶体的晶格常数为a；高折射率介质柱半径r为0.24a～0.3a；正方晶格光子晶体的缺陷结构是一个风车型的缺陷结构；正方晶格光子晶体缺陷结构的边长L为6a；每个扇翅离缺陷结构平行边缘的距离W为2(a‑r)；风车型的缺陷结构的扇翅向风车中心垂直平移的距离S为0～1a。本发明相对于简单缺陷结构具有非常大的TM禁带，当高折射率介质为硅，低折射率背景介质为空气，r＝0.27a，L＝6a，S＝0.66a，禁带宽度为0.05057，带隙率达到19.12％，禁带宽度增长了82.43％，可广泛应用于光通信器件中。
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公开(公告)号：CN110333055A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910521825.0
申请日：2019-06-17
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明涉及气缸摩擦检测领域，具体是一种气浮无摩擦气缸的摩擦检测装置及方法。该装置包括机架、二自由度旋转架、滚珠螺母棘轮模块和丝杠夹具模块，所述二自由度旋转架通过轴承安装在机架横梁上，所述滚珠螺母棘轮模块装在二自由度旋转架内，丝杠夹具模块的丝杠与滚珠螺母棘轮模块的滚珠螺母配合。将活塞-活塞杆组件固定在机架底座上，丝杠通过夹具连着缸筒在重力作用下旋转下落，实现了气浮活塞在缸筒中一次性全行程的连续旋转运动。通过对比有无气浮活塞情况下缸筒旋转下落的时间，或通过检测电信号以判断气浮活塞与缸筒之间是否接触。该检测装置结构巧妙，检测准确。
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公开(公告)号：CN110240118A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910429927.X
申请日：2019-05-22
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明提供一种孔隙率较高的中阻P型多孔硅薄膜及其快速制备方法，包括以下步骤：选择材料：选择中阻P型硅片；制备样品：在P型硅片上设置铝膜，将P型硅片切割成方形硅片；清洗样品：将切割后的方形硅片进行清洗；溶液配制：配制电化学腐蚀液，所述电化学腐蚀液包括氢氟酸HF和N,N二甲基甲酰胺DMF，所述氢氟酸HF和N,N二甲基甲酰胺DMF按4:3的体积比混合；电化学腐蚀：将所述方形硅片放入盛有所述电化学腐蚀液的容器中，施加恒定的电流进行电化学腐蚀，得到高深宽比中阻P型宏孔硅结构；可以保证在高的刻蚀速率下快速制备出适合MEMS器件应用的空隙率较高的中阻P型多孔硅薄膜，且所制备的多孔硅薄膜形貌规则，结构均匀。
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