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公开(公告)号：CN112687740B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202011621672.6
申请日：2020-12-30
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特指一种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及制造方法。本发明在GaN基HEMT外延膜生长的过程中，通过图形化硅衬底生长技术将HEMT外延膜设计成以HEMT单元尺寸规则排列的分立外延层，大大降低了外延膜与硅衬底之间的应力累积，利用非常简单的缓冲层便可以解决龟裂问题，同时外延片在生长过程中翘曲程度大幅下降，温度均匀性和材料的均匀性显著改善。本发明解决了现有硅衬底GaN基HEMT外延生长过程中应力控制和HEMT外延膜中残余应力带来的不利影响，具有性能一致性好、制造良率高以及可靠性好等优点。
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公开(公告)号：CN112397586B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202011320469.5
申请日：2020-11-23
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种常开型硅衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制造方法。晶体管包括硅衬底、外延结构、漏极电极、漏极欧姆接触金属层、源极电极和栅极电极，其特征在于：源极电极和漏极电极分别位于器件的上下两侧，可改善平面结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管面临的问题，同时有利于与硅器件的集成，采用选区硅衬底外延生长，使硅衬底上的AlGaN/GaN外延层分隔成相互独立小图形，大大降低了硅衬底与AlGaN/GaN外延层之间的应力累积，解决了外延薄膜的开裂、弯曲等问题，同时可以提升器件的制造良率和可靠性。
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公开(公告)号：CN114180538A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111436517.1
申请日：2021-11-29
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明涉及光电薄膜，特指一种P型PbSe光电薄膜的敏化方法。首先将沉积于衬底上的P型PbSe薄膜置入强氧化剂溶液中进行氧化处理，在P型PbSe光电薄膜表面形成PbSexO1‑x，0.2≤x≤0.8化合物，其次将氧化处理后的P型PbSe光电薄膜浸入含碘化合物溶液中进行碘化处理，使得P型PbSe光电薄膜表面的PbSexO1‑x化合物转化成碘化物，完成碘元素的引入，最后在含氧气氛中进行退火处理，使得P型PbSe光电薄膜表面形成n型的PbSexO1‑xIy化合物，0.2≤x≤0.8,0.3≤y≤0.7，完成敏化处理。本发明很好地解决了现有PbSe敏化处理工艺存在的问题，同时简单方便，可重复性好。
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公开(公告)号：CN112786757B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110197610.5
申请日：2021-02-22
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L33/40
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件领域，尤其是涉及一种AlGaInP发光二极管结构。本发明采用N型GaxIn1‑xP欧姆接触层(0.4≤x≤0.6)代替N型GaAs欧姆接触层。GaxIn1‑xP(0.4≤x≤0.6)材料与GaAs衬底具有很好的晶格匹配性，禁带宽度较大，对红光有较好的透明性，并且与GaAs有很好的选择腐蚀性，在制造芯片过程中也可以看到P面的图形而无需开窗工艺。而且，通过合理的掺杂设计，可以很好的与N电极形成良好的欧姆接触，保证较低的工作电压。在外延生长过程中，可在缓冲层生长后直接生长N型GaxIn1‑xP欧姆接触层(0.4≤x≤0.6)，然后生长N型层，与现有工艺相比更加简单，成本更低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113299777A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110428428.6
申请日：2021-04-21
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及红外探测器芯片，特指一种铅盐红外探测器芯片结构及其制备方法。所述铅盐红外探测器芯片结构从下至上包括图形化衬底、铅盐化合物薄膜、钝化层和金属电极层；采用衬底预处理方式获得图形化衬底，然后在图形化衬底上通过化学沉积或者物理沉积等方法沉积铅盐薄膜；在图形化衬底上获得的铅盐薄膜表面会继承衬底上图形，从而获得表面粗化的铅盐薄膜。整个制备工艺简单、易控，制备装置简单、成本低廉，适用于批量化生产制造。
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公开(公告)号：CN112517352A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011091750.6
申请日：2020-10-13
Applicant: 江苏大学
IPC: B05D5/02 , B05D3/02 , C09D5/32 , C09D133/04
Abstract: 本发明涉及宽光谱吸收涂层，特指一种纳米颗粒负载多孔超宽光谱吸收涂层及制备方法。本发明将微米碳颗粒(CMP)、纳米碳颗粒(CNP)、Si3N4和TiN纳米颗粒依次添加到树脂溶剂中，然后通过高压静电喷涂制备为超宽光谱吸收涂层。在高压静电喷涂过程中，大量带电的CMP相互排斥，形成多孔骨架，CNP、Si3N4和TiN纳米颗粒负载在CMP表面，形成纳米颗粒负载多孔超宽光谱吸收涂层。得益于CMP，CNP，Si3N4和TiN的协同作用，本发明公开的纳米颗粒负载多孔超宽光谱吸收涂层不仅可以形成操控入射光波的引导多孔模式；同时负载的纳米粒子可提供多次反射和散射，使光传播路径增加，从而导致涂层的吸收增强。
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公开(公告)号：CN111863959A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010519526.6
申请日：2020-06-09
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特指一种垂直结构高电子迁移率晶体管结构及其制造方法。所述晶体管结构自下而上依次包括：漏极电极、基板、键合金属层、漏极欧姆接触金属层、高阻层、位错调控结构、GaN沟道层、AlGaN势垒层、P型层、钝化层、源极电极和栅极电极，在栅极电极正下方的高阻层内设有垂直导电通道，使漏极欧姆接触金属层与GaN沟道层联通，所述位错调控结构在位错线附近形成对其余区域的相对高阻，从而使AlGaN/GaN HEMT器件在承受高电压的状态下，漏电流不从位错线处大量通过，而是被均匀分配到整个HEMT器件截面内，使得击穿性能向GaN理论击穿强度靠近，提升AlGaN/GaN HEMT器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN113345972B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202110302121.1
申请日：2021-03-22
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种光电薄膜及其制备方法，特别是一种分层多晶硒化铅薄膜及其制备方法。制备方法主要包括：(1)在衬底上用化学浴法制备致密硒化铅层；(2)在致密硒化铅层上用化学浴法制备疏松含氧碱式碳酸铅层；(3)将附有致密硒化铅层和含氧碱式碳酸铅层的样品置于含硒离子溶液中通过离子交换反应，最终形成分层多晶硒化铅薄膜。该制备方法工艺简便、成本低，可控性好，利用该方法制备的硒化铅薄膜由下层致密的多晶立方硒化铅层和上层疏松的多晶立方硒化铅层构成，可广泛应用于制造红外传感器、太阳能电池、激光发射、热电转化器等光电转换或者热电转换领域的元器件。
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