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公开(公告)号:CN103343249A
公开(公告)日:2013-10-09
申请号:CN201310254444.3
申请日:2013-06-25
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明涉及热电材料,特别涉及一种功能梯度热电材料的制备方法。通过市购或采用真空熔炼法或机械合金化法等方法得到Zn-Sb基或Bi-Te基热电材料粉末或块体,再采用高温钼合金模具或者对石墨模具内壁进行绝缘化处理,然后进行定向通电烧结而得到梯度热电材料。本发明在制备梯度材料的过程中,避免了分段梯度热电材料中不同梯度材料之间连接界面带来的负面影响,形成了明显的原子浓度梯度,大大简化了梯度热电材料的制备工艺,提高了梯度热电材料的热电性能,将促进温差电池的实用化。
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公开(公告)号:CN116623130A
公开(公告)日:2023-08-22
申请号:CN202310599149.5
申请日:2023-05-23
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明涉及功能薄膜材料技术领域,具体涉及一种微纳结构非晶碳薄膜及其低温沉积方法,包括以下步骤:①将小分子碳源均匀铺设在坩埚内,随后将坩埚置于箱式炉内;②将衬底架于坩埚开口正上方,关闭炉门;③启动加热,将炉子加热至沉积温度后进行保温处理,待沉积完毕后冷却至室温,得到微纳结构非晶碳薄膜。本发明以小分子碳源为原料,采用热蒸发法进行碳膜沉积,该制备方法具有沉积速度快,设备简易,重复性高等优点,可实现大规模制备。制备出的非晶碳薄膜表面呈现微纳结构,能够广泛应用于NO2气体检测和识别等技术领域。
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公开(公告)号:CN114804021A
公开(公告)日:2022-07-29
申请号:CN202210467894.X
申请日:2022-04-29
Applicant: 江苏大学
IPC: C01B3/04 , B01J23/835
Abstract: 本发明涉及半导体光催化技术,具体涉及一种基于羟基化合物光催化材料分解水制备氢气的方法。具体方法为:光辐照液态水蒸发为气态水蒸气;光辐照羟基化合物光催化剂产生光生电子和空穴;光生空穴氧化腐蚀材料表面的晶格羟基,产生质子和氧空位;氧空位吸附解离气态水分子为羟基和质子;光生电子还原质子生成气态产物氢气;羟基中的氧原子占据氧空位实现材料循环再生。本发明具有操作简单、材料可循环利用等特点,可广泛应用于淡水、污废水、海水等多种水资源进行制氢,具有较快的产氢速率,丰富了光催化制氢技术的使用场景。
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公开(公告)号:CN112517352B
公开(公告)日:2022-07-22
申请号:CN202011091750.6
申请日:2020-10-13
Applicant: 江苏大学
IPC: B05D5/02 , B05D3/02 , C09D5/32 , C09D133/04
Abstract: 本发明涉及宽光谱吸收涂层,特指一种纳米颗粒负载多孔超宽光谱吸收涂层及制备方法。本发明将微米碳颗粒(CMP)、纳米碳颗粒(CNP)、Si3N4和TiN纳米颗粒依次添加到树脂溶剂中,然后通过高压静电喷涂制备为超宽光谱吸收涂层。在高压静电喷涂过程中,大量带电的CMP相互排斥,形成多孔骨架,CNP、Si3N4和TiN纳米颗粒负载在CMP表面,形成纳米颗粒负载多孔超宽光谱吸收涂层。得益于CMP,CNP,Si3N4和TiN的协同作用,本发明公开的纳米颗粒负载多孔超宽光谱吸收涂层不仅可以形成操控入射光波的引导多孔模式;同时负载的纳米粒子可提供多次反射和散射,使光传播路径增加,从而导致涂层的吸收增强。
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公开(公告)号:CN114657551A
公开(公告)日:2022-06-24
申请号:CN202111626413.7
申请日:2021-12-28
Applicant: 江苏大学
IPC: C23C24/10
Abstract: 本发明公开一种高温抗氧化涂层的修补方法,属于材料制备技术领域。本发明以MAX相粉末作为主要原材料;将MAX相粉末球磨、干燥;对涂层脱落部位打磨;采用超高速激光熔覆法制备MAX相高温抗氧化涂层,达到炭/炭复合材料产品表面高温抗氧化涂层脱落修复的目的。本发明将MAX相粉末利用超高速激光熔覆技术对炭/炭复合材料产品表面抗氧化涂层脱落部位进行修补。该工艺不仅增强了涂层与基体的界面结合强度,而且能够随时对基体的表面进行涂层局部修补;另一方面,该工艺方法制备周期短,相比于传统磁控溅射、高温烧结涂层等工艺手段具有高的工作效率。
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公开(公告)号:CN112786757A
公开(公告)日:2021-05-11
申请号:CN202110197610.5
申请日:2021-02-22
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L33/40
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件领域,尤其是涉及一种AlGaInP发光二极管结构。本发明采用N型GaxIn1‑xP欧姆接触层(0.4≤x≤0.6)代替N型GaAs欧姆接触层。GaxIn1‑xP(0.4≤x≤0.6)材料与GaAs衬底具有很好的晶格匹配性,禁带宽度较大,对红光有较好的透明性,并且与GaAs有很好的选择腐蚀性,在制造芯片过程中也可以看到P面的图形而无需开窗工艺。而且,通过合理的掺杂设计,可以很好的与N电极形成良好的欧姆接触,保证较低的工作电压。在外延生长过程中,可在缓冲层生长后直接生长N型GaxIn1‑xP欧姆接触层(0.4≤x≤0.6),然后生长N型层,与现有工艺相比更加简单,成本更低。
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公开(公告)号:CN112786750A
公开(公告)日:2021-05-11
申请号:CN202110197020.2
申请日:2021-02-22
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件领域,特指一种薄膜型AlGaInP发光二极管结构及其制备方法。所述二极管结构包括:P电极、基板、键合金属层、反射金属层、高阻半导体层、P面接触电极、P型层、发光层、N型层、N型欧姆接触层、N电极。在P型层与反射金属层之间设有高阻半导体层,在N电极正下方之外区域的高阻半导体层内留有空缺,并在空缺处设有P型接触电极与P型层相连。这种结构不仅能调控电流走向,同时高阻半导体层和P型层是一体的,且反射金属层与半导体高阻层的粘附力也远高于反射金属层与介质层的粘附力,从而解决了由于介质层带来的粘附力差的问题。
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公开(公告)号:CN112159964A
公开(公告)日:2021-01-01
申请号:CN202010883337.7
申请日:2020-08-28
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明涉及纳米薄膜材料的制备方法,特指一种纳米多孔NiCr合金薄膜及其制备方法。本发明首先利用磁控溅射技术在氧化铝衬底上沉积NiCr‑Ti前驱体薄膜,接着利用氢氟酸溶液进行刻蚀,目的为了去掉前驱体薄膜中的部分钛组元,最终形成以主要以镍铬合金为骨架的多孔薄膜材料。此种方法制备的纳米多孔镍铬合金薄膜多孔结构完整、连续,形状均匀、尺寸可控,且溅射面积大,厚度轻薄,所述薄膜孔径在80‑120nm,厚度在300‑1000nm。该薄膜对宽光谱具备高的吸收,在宽光谱吸收和发射涂层方面具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN111693186A
公开(公告)日:2020-09-22
申请号:CN202010397244.3
申请日:2020-05-12
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷电容式压力传感器电极的制备方法。该方法为:一、陶瓷基底打磨、清洗、烘干;二、金浆配置;三、丝网印刷金浆;四、烘干;五、高温烧结。本发明通过对金浆的粘度、金颗粒含量、丝网印刷次数、网板目数来调控金电极的厚度,并通过合适的烧结工艺,制备的电极材料与基底结合强度高,在循环应力以及热循环作用下,电极不易脱落,具有抗疲劳性能好等优点。本发明适用于大批量生产,产品均匀性好,质量一致性高,大大提高了工作效率。
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