公开(公告)号：CN110416319A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910773796.7

申请日：2019-08-21

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 李磊 ,  许生根 ,  张金平 ,  姜梅

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/329

摘要： 本发明涉及一种双面肖特基控制的快恢复二极管器件及制备方法，其包括半导体基板，所述半导体基板包括N型衬底以及与N型缓冲层，在N型衬底的中心区设置有源区；在二极管器件的截面上，有源区内包括若干呈交替分布的有源P柱与有源N柱，在N型衬底上设置阳极金属，所述有源P柱与N型衬底上的阳极金属欧姆接触，有源N柱与N型衬底上的阳极金属肖特基接触；在N型缓冲层上设置若干交替分布的阴极P-区以及阴极N+区，所述阴极N+区与阴极金属欧姆接触，阴极P-区与阴极金属肖特基接触。本发明能获得较快的反向恢复时间，减少动态损耗，提高优软度，可靠性高。

公开(公告)号：CN108899363A

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201810993078.6

申请日：2018-08-29

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 杨晓鸾 ,  许生根 ,  张金平 ,  姜梅

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06

摘要： 本发明涉及一种能降低导通压降和关断损耗的沟槽栅IGBT器件，其在第二导电类型基区内设置第一导电类型源区，所述第一导电类型源区与第一导电类型杂质区分别位于元胞沟槽的两侧，元胞沟槽内填充有栅极导电多晶硅，所述栅极导电多晶硅通过元胞沟槽内的绝缘栅氧化层与元胞沟槽的侧壁、底壁绝缘隔离；在第一导电类型漂移区的上方设置源极金属以及栅极金属，所述源极金属与第一导电类型源区、第二导电类型基区以及第二导电类型杂质区欧姆接触，栅极金属与栅极导电多晶硅以及第一导电类型杂质区欧姆接触。本发明结构紧凑，能同时降低导通压降和关断损耗，优化IGBT器件的折衷特性，安全可靠。

公开(公告)号：CN108767003A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810993150.5

申请日：2018-08-29

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 许生根 ,  杨晓鸾 ,  张金平 ,  姜梅

IPC分类号： H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/7398 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42312 ,  H01L29/7397

摘要： 本发明涉及一种IGBT器件，尤其是一种高抗闩锁能力的IGBT器件，属于IGBT器件的技术领域。元胞沟槽呈倒T字型，源极接触孔呈T字型，在源极接触孔的第二孔区内设置接触孔电介质层，从而能对第一导电类型漂移区内的载流子流通路径进行引导，即使得空穴载流子绕开元胞沟槽的槽底向元胞区集中，在T字型源极接触孔的作用下，可以使得空穴在有源区零电位的吸引下，绕开第一导电类型源区，并能竖直向上集中流向第一孔区，从而使得IGBT器件中寄生晶闸管更难达到闩锁条件，提高IGBT器件的抗闩锁能力，安全可靠。

公开(公告)号：CN107946357A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201711442211.0

申请日：2017-12-27

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 牛博 ,  姜梅 ,  许生根 ,  姚阳

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L23/552

CPC分类号： H01L29/7393 ,  H01L23/552 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42364

摘要： 本发明涉及一种具有低米勒电容的IGBT器件，其元胞结构包括第二导电类型体区、第一导电类型源区以及栅极多晶硅体，栅极多晶硅体包括屏蔽栅以及控制栅，控制栅、屏蔽栅分别通过控制栅氧化层、屏蔽栅氧化层与第一导电类型外延层间隔；所述控制栅与下方的第二导电类型体区、第一导电类型源区交叠，屏蔽栅位于第二类型体区之间；在所述第一导电类型外延层上方还设置发射极金属，所述发射极金属与第二导电类型体区、第一导电类型源区以及屏蔽栅欧姆接触，且发射极金属通过绝缘介质层与控制栅绝缘隔离。本发明结构紧凑，能有效降低IGBT器件的米勒电容，提高IGBT开关速度，从而降低IGBT器件的功耗，安全可靠。

公开(公告)号：CN107706143A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201711012226.3

申请日：2017-10-26

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 许生根 ,  张金平 ,  杨晓鸾 ,  姜梅

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/265 ,  H01L2221/68304

摘要： 本发明涉及一种用于RC-IGBT晶圆背面加工的基片，其包括能键合于RC-IGBT晶圆背面的基片体，所述基片体的形状与待键合的RC-IGBT晶圆的形状相一致，在基片体上设有注入图形，基片体键合于RC-IGBT晶圆的背面后，利用基片体的注入图形能向RC-IGBT晶圆的背面注入所需的N型杂质离子，以通过注入的N型杂质离子在RC-IGBT晶圆的背面形成所需的N型掺杂区域。本发明结构紧凑，能够省去RC-IGBT晶圆背面N型杂质图形化注入所需的光刻工序，有效缩短RC-IGBT晶圆的加工周期，降低加工成本，使用方便，安全可靠。

公开(公告)号：CN114975620B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202210607268.6

申请日：2022-05-31

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 许生根 ,  杨晓鸾 ,  李哲锋 ,  孔凡标 ,  李磊

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

摘要： 本发明涉及一种低输入电容的沟槽型IGBT器件及制备方法。其对任一元胞，均包括两个呈长条状的元胞沟槽，在沿元胞沟槽的长度方向上，在元胞沟槽内设置若干槽内发射极导电多晶硅，所述槽内发射极导电多晶硅从元胞沟槽的槽口向元胞沟槽的底部方向延伸，且槽内发射极导电多晶硅通过多晶硅间介质层所在区域的栅极导电多晶硅绝缘隔离；在元胞沟槽间相互邻近的外侧壁上设置第一导电类型源区，所述第一导电类型源区沿元胞沟槽的长度方向分布，槽内发射极导电多晶硅在元胞沟槽内的底部位于第一导电类型源区的底部的下方。本发明在不影响米勒电容下，降低了输入电容，有效的降低了器件的开关损耗。

公开(公告)号：CN114334648B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202111635315.X

申请日：2021-12-29

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 李哲锋 ,  訾彤彤 ,  许生根 ,  杨晓鸾 ,  孔凡标 ,  李磊

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/739

摘要： 本发明提供一种均热沟槽栅IGBT结构，包括：一个有效IGBT元胞和一个栅极热敏控制单元；所述有效IGBT元胞设置为沟槽栅型IGBT元胞；所述栅极热敏控制单元包括两个热敏电阻和两个二极管；其中一个热敏电阻和一个二极管串联形成第一串联支路用于控制栅极开通速度，第一串联支路的一端连接沟槽栅，另一端连接栅极金属；其中另一个热敏电阻和另一个二极管反向串联形成第二串联支路用于控制栅极关断速度，第二串联支路的一端连接沟槽栅，另一端连接栅极金属。本发明通过独立设置的沟槽栅以及热敏栅电阻，实现了单个元胞根据自身温度自行调节开关速度，使温度高的元胞降低损耗，从而达到降低自身结温的目的。对于整个IGBT芯片来说实现了热均衡。

公开(公告)号：CN108899363B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN201810993078.6

申请日：2018-08-29

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 杨晓鸾 ,  许生根 ,  张金平 ,  姜梅

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06

摘要： 本发明涉及一种能降低导通压降和关断损耗的沟槽栅IGBT器件，其在第二导电类型基区内设置第一导电类型源区，所述第一导电类型源区与第一导电类型杂质区分别位于元胞沟槽的两侧，元胞沟槽内填充有栅极导电多晶硅，所述栅极导电多晶硅通过元胞沟槽内的绝缘栅氧化层与元胞沟槽的侧壁、底壁绝缘隔离；在第一导电类型漂移区的上方设置源极金属以及栅极金属，所述源极金属与第一导电类型源区、第二导电类型基区以及第二导电类型杂质区欧姆接触，栅极金属与栅极导电多晶硅以及第一导电类型杂质区欧姆接触。本发明结构紧凑，能同时降低导通压降和关断损耗，优化IGBT器件的折衷特性，安全可靠。

公开(公告)号：CN107994073B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN201711442489.8

申请日：2017-12-27

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 杨珏林 ,  姜梅 ,  许生根 ,  杨晓鸾

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06

摘要： 本发明涉及一种IGBT器件，尤其是一种提升抗闩锁能力的低通态IGBT，属于IGBT器件的技术领域。在所述第一导电类型漂移区内还设有第一导电类型的载流子引导体，所述载流子引导体包括位于元胞沟槽正下方的第一导电类型第一载流子引导层以及位于第二导电类型基区下方的第一导电类型第二载流子引导层；第一导电类型第二载流子引导层在第二导电类型基区下方呈对称分布，第一导电类型第二载流子引导层的上部与第二导电类型基区以及相邻元胞沟槽的外壁接触，第一导电类型第二载流子引导层的下端与第一导电类型第一载流子引导层接触。本发明结构紧凑，能在不影响IGBT正常工作特性的情况下，提高IGBT的抗闩锁能力，实现低通态压降，安全可靠。

公开(公告)号：CN115863437A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211646132.2

申请日：2022-12-21

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 孔凡标 ,  许生根 ,  杨晓鸾 ,  李哲峰 ,  李磊

IPC分类号： H01L29/78 ,  G01K7/01

摘要： 本发明涉及一种能高精度测温的SGT功率器件。其在有源区内，包括至少一个测温单元，其中，所述测温单元包括测温单元体以及测温单元栅极导电多晶硅；在测温沟槽内，测温单元体与测温单元栅极导电多晶硅的分布状态与元胞区内任一元胞所采用的SGT结构相一致；对测温单元体，包括若干依次交替分布的测温P型导电多晶硅以及测温N型导电多晶硅，其中，测温P型导电多晶硅与邻近的测温N型导电多晶硅接触连接，且测温P型型导电多晶硅与测温N型导电多晶硅的交替排布方向与测温沟槽的长度方向相一致。本发明可实现对功率半导体器件内部温度的高精度测量，降低面积的占用，与现有工艺兼容，安全可靠。