公开(公告)号：CN115411019A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202211003336.4

申请日：2022-08-19

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 孔凡标 ,  许生根 ,  杨晓鸾 ,  李哲峰

IPC分类号： H01L23/62 ,  H01L23/60 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

摘要： 本发明涉及一种单管结构，尤其是一种栅极自箝位单管结构。按照本发明提供的技术方案，所述栅极自箝位单管结构，包括塑封栅控器件的单管框架；还包括用于栅极自箝位的TSV单元，所述TVS单元与塑封单管框架内栅控器件的栅极端与所述栅控器件的栅极箝位配合端适配电连接。本发明可以将单管的栅极箝位在安全电压范围内，免受静电或是电路中其他过冲电压的冲击；使得后续电路设计不用再考虑栅极保护，降低后续设计成本，继而避免栅极保护装置的使用，满足单管领域的应用需求。

公开(公告)号：CN115863437A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211646132.2

申请日：2022-12-21

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 孔凡标 ,  许生根 ,  杨晓鸾 ,  李哲峰 ,  李磊

IPC分类号： H01L29/78 ,  G01K7/01

摘要： 本发明涉及一种能高精度测温的SGT功率器件。其在有源区内，包括至少一个测温单元，其中，所述测温单元包括测温单元体以及测温单元栅极导电多晶硅；在测温沟槽内，测温单元体与测温单元栅极导电多晶硅的分布状态与元胞区内任一元胞所采用的SGT结构相一致；对测温单元体，包括若干依次交替分布的测温P型导电多晶硅以及测温N型导电多晶硅，其中，测温P型导电多晶硅与邻近的测温N型导电多晶硅接触连接，且测温P型型导电多晶硅与测温N型导电多晶硅的交替排布方向与测温沟槽的长度方向相一致。本发明可实现对功率半导体器件内部温度的高精度测量，降低面积的占用，与现有工艺兼容，安全可靠。