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公开(公告)号：CN107240781B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201710576122.9
申请日：2017-07-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/24
Abstract: 本发明公开一种基于石墨烯的频率可调谐的宽带圆极化转换器，由介质基底层、设置在介质基底层上表面的石墨烯超表面层、以及设置在介质基底层下表面的石墨烯地板层组成；石墨烯超表面层为单层镂空的石墨烯片；即在该层石墨烯片上开设有多个呈矩阵排列的蝶形孔，每个蝶形孔均是由2个大小一致的等腰三角形孔通过顶角相对或相叠设置所形成的轴对称图形；石墨烯地板层由多层具有相同的性能参数的石墨烯片堆叠而成。本发明能够在很宽的频带实现线极化波到圆极化波的转换，并且具有很好的圆极化性能，较大程度拓展了基于石墨烯反射型极化器的调谐带宽，解决了由于干涉条件限制调谐带宽的问题。
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公开(公告)号：CN107453012B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN201710813073.6
申请日：2017-09-11
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于金属‑石墨烯混合超表面的双功能调制器，自下而上由单晶硅衬底层、二氧化硅基底层、石墨烯结构层和金属带状线结构层组成；石墨烯结构层包括2个以上的石墨烯单元；每个石墨烯单元由上凸石墨烯环、下凹石墨烯环和2个微型缝隙开口组成；所有的石墨烯单元在二氧化硅基底层上呈规则矩阵排列；金属带状线结构层包括2条以上的金属带状线；每条金属带状线均为长条状；金属带状线的数量与石墨烯结构层的列数相同，每条金属带状线纵向延伸并覆盖在石墨烯结构层对应列的所有石墨烯单元上；所有金属带状线在石墨烯结构层上呈平行排列。本发明利用金属‑石墨烯超表面能够在保证调制器调制性能情况下，可以根据激励场与阵列的相对方向变化实现两种模式电磁波的调控，即实现双功能。
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公开(公告)号：CN106876441B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201710087046.5
申请日：2017-02-17
IPC: H01L29/06
Abstract: 本发明公开一种具有固定界面电荷场限环的功率器件，包括场氧层和有源层，场氧层位于有源层之上。场氧层内设有至少1个固定界面电荷区，该固定界面电荷区位于场氧层的下部，并与场氧层的下表面即场氧层和有源层的交界面相接触。本发明能够克服现有功率器件的FLR区中的杂质扩散而导致的击穿电压下降和器件失效的问题，并有效提高了器件的击穿电压和改善了有源层表面的电场分布，使得电场分布更加均匀。
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公开(公告)号：CN109638467A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910067442.0
申请日：2019-01-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/00
CPC classification number: H01Q15/0086
Abstract: 本发明公开了一种宽带低色散的高折射率超材料，包括若干阵列分布的高折射率单元，每个所述高折射率单元包括由上至下设置的上金属层、介质层和下金属层，所述上金属层和下金属层分别贴合在所述介质层的两面上，所述上金属层和下金属层的结构相同，所述上金属层包括环形金属贴片和双工字型金属贴片，所述双工字型金属贴片设置在所述环形金属贴片内部。通过改变相邻两个高折射率单元之间间隔的大小、双工字型金属贴片的结构参数以及环形金属贴片的结构参数，可以调节等效折射率的值、带宽以及平坦度，使本发明的应用领域更宽，实用性更强。
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公开(公告)号：CN105070681B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201510522304.9
申请日：2015-08-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/762 , H01L21/306 , H01L21/265 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开一种砷化镓衬底mHEMT有源区电学隔离方法，针对变组分高电子迁移率晶体管的有源区电学隔离，提出了湿法腐蚀和离子注入相结合的隔离方法，即首先去除表面高掺杂层，再进行离子注入隔离，有效提高了离子注入的注入效果，进而提高了有源区之间的隔离效果；在同等条件下，离子注入和台面腐蚀相结合的隔离方法，具有电学隔离效果好、工艺兼容性强、对后续工艺影响较小、具有良好的重复性和便于实现等特点，并有效地避免了单独采用台面腐蚀和离子注入的弊端，对半导体制造工艺有很好的使用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105633541B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201610135658.2
申请日：2016-03-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种开放式套筒天线，天线振子为柱状的金属杆；金属套筒为上下贯通的管状开放式套筒；金属套筒围绕在天线本体的外侧，且金属套筒的中轴线与天线振子的中轴线重合；天线振子的外侧壁与金属套筒的内侧壁之间填充有绝缘介质，该绝缘介质将天线振子和金属套筒固定在一起，形成套筒天线结构；套筒天线结构和SMA接头嵌设在金属接地盒上。本发明利用开放式套筒，适应了手持天线地板的一般尺寸，消除了一部分使用非开放式套筒时对天线低频部分驻波比的影响，并通过在馈电端口加载集总参数电感，抵消电小天线容性电抗、阶梯状天线振子又相当于顶部加载用于整体的阻抗匹配，达到小型化，带宽宽等特性。
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公开(公告)号：CN107221732A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710505085.2
申请日：2017-06-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/17
Abstract: 本发明公开了一种基于黑磷的超宽带极化可重构圆极化器，由在同一水平面内周期性排列的M×N个单元结构组成，所述的单元结构包括依次堆叠的保护层、黑磷层、中间介质层、全反射面层；所述的黑磷层由n层黑磷片层组成，黑磷片层与片层之间由隔离介质层隔开，所述的保护层用于防止黑磷与空气或水接触，起到保护作用。该极化器开启了基于黑磷的圆极化器的设计，黑磷超材料的各向异性，使得线‑圆极化转换成为可能；而黑磷的面内各向异性也可能对线‑圆极化转换产生影响；同时，黑磷的单层原子的厚度有利于实现圆极化器的小型化。
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公开(公告)号：CN104795639B
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201510245290.0
申请日：2015-05-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明为一种紧凑型圆极化微带天线及其天线阵，圆极化微带天线上下层介质板和基板为相同的正方形，正方形辐射贴片贴附于上层介质板上表面，基板贴附于下层介质板上表面，微带馈线贴附于下层介质板的下表面。基板与上层介质板间为空气层。基板的中心有纵横槽相互垂直平分的十字槽，顶层的辐射贴片四边上每边有3～7个凹槽，处于中心线上的凹槽最深，两侧凹槽深度逐渐减小，四边上的凹槽以辐射贴片中心为对称。本紧凑型圆极化微带天线为阵元构成天线阵。各功分器与各阵元馈线连接，多个阵元在同一平面上成一直线排列，或在同一平面上排列为正方形阵列。本发明有更好的圆极化特性，缩减天线尺寸，缩减天线阵阵元间距为0.6λ，天线阵结构紧凑。
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公开(公告)号：CN106847925A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710087033.8
申请日：2017-02-17
IPC: H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/36
Abstract: 本发明提供一种具有表面反型固定界面电荷的功率器件，该功率器件包括场氧层和有源层，场氧层位于有源层之上；场氧层内还设有变掺杂的固定界面电荷区；固定电荷区的电荷极性与有源层离子所属的极性相反；固定界面电荷区位于场氧层的下部，并与场氧层的下表面即场氧层和有源层的交界面相接触。反型固定界面电荷之间相互作用，在场氧层中形成连续尖峰电场，该尖峰电场改善了有源层的电场分布，从而有效提高器件的击穿电压。同时，由于漂移区离子部分电力线终止于反型固定界面电荷，有源层优化掺杂浓度提高，导通电阻下降。
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公开(公告)号：CN106129543A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610682339.3
申请日：2016-08-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明为一种基于石墨烯DC接触的双功能极化转换器，基底包括金属底层、硅中层和二氧化硅表层，人工结构为在基底表层上排成阵列的单元结构，所述单元结构为相互正交、中心重合的“工”型石墨烯臂与金属臂，石墨烯臂压在金属臂下方。纵向的石墨烯臂相互连接，横向的金属臂之间有间隙，单元结构阵列的中心处于基底中心线上，纵横向为10～200个单元结构，数量相等。“工”型石墨烯臂与金属臂均以纵向中心线左右对称、以横向中心线上下对称。本发明不改变结构参数，改变偏置电压Vg即可实现线极化和圆极化转换两种功能的切换；石墨烯臂首尾相连形成DC接触，利于石墨烯偏压的一体化控制；结构简单，易于加工生产；转换效率高达99％。
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