公开(公告)号：CN104193336A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201410436326.9

申请日：2014-08-29

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  顾菲菲 ,  袁昌来 ,  杨涛

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开一种低烧微波介质陶瓷材料，其结构表达式为：(Li0.5Re0.5)xBi1-xWxV1-xO4，式中：Re=La、Nd、Sm、Dy或Gd，0.05≤x≤0.1。其制备方法是将BiVO4与Li0.5Re0.5WO4按(Li0.5Re0.5)xBi1-xWxV1-xO4(Re=La,Nd,Sm,Dy,Gd，0.05≤x≤0.1)进行复合，通过低温烧结获得。该陶瓷材料的固有烧结温度低，微波性能优异：Er为60～80，Qxf值高，Tcf小且可调，能够满足LTCC技术要求，可广泛应用于卫星通信、卫星定位、移动通信等系统，用于谐振器、滤波器、振荡器、放大器、介质天线等微波元器件的制造，为中高介电常数的低温共烧陶瓷材料提供了新的选择。

公开(公告)号：CN104108935A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410350865.0

申请日：2014-07-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  曾卫东 ,  周秀娟 ,  杨华斌 ,  周沁 ,  陈国华 ,  袁昌来

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种具有自发压电性能的高温无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以化学式(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xNd2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xLa2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xSm2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xPr2Ti2O7来表示，其中x表示摩尔分数，0 700oC，绿色环保。

公开(公告)号：CN104108930A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410349447.X

申请日：2014-07-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  曾卫东 ,  周秀娟 ,  周沁 ,  杨华斌 ,  陈国华 ,  袁昌来 ,  杨云

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种在350℃以上使用的高温稳定型介电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x)Bi1/2Na1/2TiO3-x(La，Bi)2/3TiO3+zRE2O3来表示，其中RE2O3为稀土氧化物，(La，Bi)中La∶Bi=1∶1(摩尔比)，x与z表示摩尔分数，0＜x＜0.3，0＜z≤0.1。本发明的高温稳定型介电陶瓷采用电子陶瓷制备工艺制备而成，采用二次预烧增加陶瓷成分与结构的均匀性，降低陶瓷烧结的工艺敏感性。制备工艺简单、稳定，适合工业推广应用。本发明的陶瓷材料高温介电温度稳定性好，介电常数大，具有低的介电性能温度系数，适合高温MLCC介质使用。

公开(公告)号：CN103172370B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201310081345.X

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  成钧 ,  杨华斌 ,  周沁 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示，其中x、y、z表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN103159475A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201310081346.4

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨华斌 ,  周昌荣 ,  成钧 ,  周沁 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示，其中x、y、z表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN101913868B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201010247474.8

申请日：2010-08-06

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 江民红 ,  邓满姣 ,  刘心宇 ,  陈国华 ,  徐华蕊 ,  刘超英

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C30B29/30

Abstract: 本发明的目的是提供一种铌酸钾钠织构陶瓷与铌酸钾钠单晶的制备方法，它以K0.5Na0.5NbO3为主体材料，LiBiO3或BiNiO3作为掺杂原料组成；以无水乙醇为介质湿磨，烘干后合成瓷料；瓷料经二次球磨，烘干后加粘结剂造粒，在110MPa的压力下压制成素坯试样，将素坯试样水平放置于高温电炉中烧结，烧结后，随炉冷却至室温，即制得KNN基陶瓷，控制烧结温度和烧结时间，还可获得尺寸达到2mm以上的单晶。采用传统的陶瓷制备工艺，在常规条件制备出具有良好择优取向的KNN陶瓷，如果控制烧结温度和时间还可以获得尺寸达到2mm以上的单晶。

公开(公告)号：CN102674829A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210151028.6

申请日：2012-05-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  包燕 ,  侯美珍 ,  秦杰

IPC: C04B35/465 ,  C03C12/00 ,  C04B35/622 ,  H01B3/12

Abstract: 本发明公开了一种低温共烧锂镁钛微波介质陶瓷材料及其制备方法，该材料包括主要粉料Li2MgTi3O8和低熔点LMB玻璃粉，玻璃粉以粉末形式加入到Li2MgTi3O8粉体中，然后在球磨机中混匀、干燥、造粒、烧结制成。材料的配比是以Li2MgTi3O8粉体为基准，按照玻璃粉占Li2MgTi3O8质量的0.5～3wt%进行配料。通过传统固相反应合成法，即可得到本发明材料。本发明制备的低温共烧微波介质陶瓷，其烧结温度低（875℃左右），微波介电性能优异：介电常数（εr）大，品质因数（Q×f）高，谐振频率温度系数τf近于零，与Ag电极共烧良好，可以采用高导电率、低成本的纯银作为电极材料，可极大地降低器件的制造成本，可用于低温共烧陶瓷（LTCC）系统、多层介质谐振器、微波天线、滤波器等微波器件的制造。

公开(公告)号：CN102358698A

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN201110215706.6

申请日：2011-07-29

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  康晓玲 ,  狄洁昌 ,  徐华蕊 ,  张小文 ,  杨云

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/50 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种中介电常数微波介电陶瓷材料及其制备方法，将纯度大于99%的CaCO3、(MgCO3)4·Mg(OH)2·5H2O、TiO2、La2O3和Nb2O5的原始粉末按照化学式Ca4La2Ti5-x(Mg1/3Nb2/3)xO17，其中0≤x≤4配料；湿式球磨混合12～24h，溶剂为无水乙醇，烘干后在1300℃空气气氛中预烧4～6h，然后在预烧粉末中添加3%聚乙烯醇（PVA）水溶液，混合、烘干，过100目筛造粒后，再在100MPa下压成圆柱状样品，最后在1480～1560℃空气气氛中烧结4h而成。本发明微波介电陶瓷高频介电常数εr达34～72，品质因数Q×f高和小的频率温度系数τf，可广泛用于介电谐振器、滤波器、介电天线等微波器件。

公开(公告)号：CN102285792A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110162433.3

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  单旭 ,  周沁 ,  杨华斌 ,  成钧 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/01 ,  C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了钙钛矿结构无铅压电陶瓷，用组成通式为：(1-x)(M1/4M′3/4)(M″1/4M‴3/4)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMeaOb、(1-x)(M1/4M′3/4)(M″1/4M‴3/4)O3-x(K1/2Bi1/2)TiO3+zMeaOb、(1-x-y)(M1/4M′3/4)(M″1/4M‴3/4)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMeaOb、(1-x-y-u)(M1/4M′3/4)(M″1/4M‴3/4)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3-yBaTiO3-u(Bi1/2K1/2)TiO3+zMeaOb或(1-x-y-u-v)(M1/4M′3/4)(M″1/4M‴3/4)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3-yBaTiO3-u(Bi1/2K1/2)TiO3-v(Bi1/2Li1/2)TiO3+zMeaOb来表示，其中x、y、u、v和z表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN114873993A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210503855.0

申请日：2022-05-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  张峻豪 ,  覃浩 ,  蒙柳方 ,  刘飞 ,  丁国安 ,  陈国华 ,  饶光辉

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  C04B35/628 ,  C04B35/634

Abstract: 本发明公开了一种表面喷涂纳米BN型H3BO3/PPO复合微波介质陶瓷及其制备方法，先按照一定质量比称量PPO和H3BO3后，将PPO、H3BO3粉体与无水乙醇、锆球按照预设的质量比放置于球磨机中湿法球磨，制备出浆料；将所得浆料烘干，并通过网筛将混合粉体与锆球分离，从而得到H3BO3/PPO粉体；在H3BO3/PPO混合粉体中喷涂纳米BN，将喷涂纳米BN的H3BO3/PPO粉体放置于模具中压制成型后，将得到的圆柱体制品放入热处理设备中致密化烧结，得到具有近室温致密化温度、防潮解、导热的表面喷涂纳米BN型H3BO3/PPO复合微波介质陶瓷。在(0.6H3BO3‑0.4PPO)+2%BN含量中获得最佳的微波介电性能：εr=2.51，Q׃=12556 GHz，τƒ=‑3 ppm/℃，并获得导热系数~1.21 w/(m·k)，所得复合微波介质陶瓷有效的提高了近室温致密化硼酸陶瓷的防潮性能、导热效能和微波介电特性。