公开(公告)号：CN109075242A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780018528.3

申请日：2017-12-22

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 高京门 ,  金玟冏 ,  朴哲熙 ,  朴致成 ,  郑明珍 ,  闵裕镐

IPC: H01L35/14 ,  H01L35/18 ,  H01L35/16 ,  H01L35/34 ,  H01L31/0272 ,  C01G51/00

Abstract: 本发明提供了一种新化合物半导体和用于制备其的方法，所述新化合物半导体具有提高的热电优值以及优异的导电性，并且因此可以应用于多种用途，例如太阳能电池、热电转换装置的热电转换材料等。

公开(公告)号：CN107408618A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680012741.9

申请日：2016-07-21

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 权五贞 ,  崔铉祐 ,  林炳圭 ,  郑明珍 ,  朴哲熙

IPC: H01L35/16 ,  H01L35/18 ,  H01L35/34

Abstract: 提供了化合物半导体热电材料，其制造方法以及使用其的热电模块、热电发电机或热电冷却装置，所述化合物半导体热电材料通过具有优异的功率因数和ZT值而具有优异的热电转换性能，并且特别地，在低温下具有优异的热电转换性能。根据本发明的化合物半导体热电材料包含：n型化合物半导体基体；和分散在基体中的n型颗粒，所述n型颗粒是与基体不同的化合物半导体并且平均颗粒尺寸为1μm至100μm。

公开(公告)号：CN107112406A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580068585.3

申请日：2015-12-16

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李载骑 ,  高京门 ,  金兑训 ,  朴哲熙 ,  朴致成 ,  郑明珍

IPC: H01L35/14 ,  H01L35/18 ,  H01L35/28

Abstract: 公开了一种经表面处理的热电粉末，其可以用于制造具有改善的热电性能的基于方钴矿的热电材料。所述热电粉末可以包括具有一个或更多个方钴矿颗粒的芯部分以及具有含Ni材料且涂覆在所述芯部分的至少一部分表面上的涂层部分。